Forum: Analoge Elektronik und Schaltungstechnik Sperrstrom von BC846 Transistor im Datenblatt?


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von epikao (Gast)


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Hallo, wo finde ich den Collector-Emitter Sperrstrom eines Transistor im 
Datenblatt...(also wenn Transistor Off)

liegt der Strom im nA oder uA Bereich? Falls Letzteres, wieviel ca.?

Danke

von hinz (Gast)


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epikao schrieb:
> Hallo, wo finde ich den Collector-Emitter Sperrstrom eines
> Transistor im
> Datenblatt...(also wenn Transistor Off)

Der wird nicht angegeben weil es keinen Sinn macht. Achte statt dessen 
auf I_CBO.


> liegt der Strom im nA oder uA Bereich? Falls Letzteres, wieviel ca.?

Beides, je nach Sperrschichttemperatur.

von epikao (Gast)


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ich habe gelesen, dass im off-Zustand der Transistor nur ca. 300Kohm 
zwischen Collector und Emitter aufweist?...

verdammt wenig, nicht?

von MaWin (Gast)


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Ist es wirklich so schwer einfach mal ins Datenblatt zu gucken ?
http://www.nxp.com/documents/data_sheet/BC846_SER.pdf
ICBO collector-base cut-off current
VCB = 30 V; IE = 0 A; 15 nA
VCB = 30 V; IE = 0 A; Tj = 150°C; 5 uA
sagt doch deutlich wie gut der sperrt.

Bei 150 GradC also (besser) wie 6 MOhm, bei 25 GradC besser als 2 GOhm.

Übrigens sind die Standard-Kleinleistungs-Transistoren sehr gut im 
Sperrverhalten. 2N1711 FFB2222A (NPN 10nA @ 25GradC)

von transistor (Gast)


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>ich habe gelesen, dass im off-Zustand der Transistor nur ca. 300Kohm
>zwischen Collector und Emitter aufweist?...

Wo?

von epikao (Gast)


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MaWin schrieb:
> Ist es wirklich so schwer einfach mal ins Datenblatt zu gucken ?
> http://www.nxp.com/documents/data_sheet/BC846_SER.pdf
> ICBO collector-base cut-off current

und das ist der Collector-Emitter Sperrstrom?!
da steht Collector-Basis!

transistor schrieb:
>>ich habe gelesen, dass im off-Zustand der Transistor nur ca. 300Kohm
>>zwischen Collector und Emitter aufweist?...
>
> Wo?

hier (vor Mosfet-Feldeffekt Titel):
http://www.u-r-rennert.de/dig/dig_nand.html
ich zitiere:
Links also wieder die Ausgangssituation für ein NAND mittels Schalter.
Man kann tatsächlich Transistoren in Reihe schalten. Werden beide 
Transistoren mit 1 angesteuert, werden beide leitend und etwa die Masse 
wird auf y gelegt. Der Widerstand beträgt nun so etwa 60Ω, im Gegensatz 
zum gesperrten Zustand von etwa 330KΩ (ein Transistor leitend) bis 600KΩ 
(beide Transistoren gesperrt).

von MaWin (Gast)


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epikao schrieb:
> und das ist der Collector-Emitter Sperrstrom?!
> da steht Collector-Basis!

Natürlich. Schon hinz schrieb, daß der andere keine Sinn macht.
Der Strom fliesst nun mal von C nach B, E kommt erst nach B.
Was du dann bei B damit machst, ist deine Sache.

Du kannst B an Masse legen, also mit E verbinden, dann ist das direkt 
der Collector-Emitter-Strom.

Du kannst B offen lassen, dann sammeln sich die Ladungsträger bis B 
etwas positiver als E ist und diese nA abfliessen können. Dabei wird der 
Transistor den Strom verstärken, wie er das immer tut, sagen wir ums 
100-fache, also fliesen bei offener Basis dann 100*ICBO, also 1.5uV (bei 
25 GradC maximal).

Das Datenblatt weiss nicht, was du machen wirst.

Wer Ahnung hat, lässt B nicht offen, sondern legt ihn auf 0V (in Bezug 
zum E).

von Harald W. (wilhelms)


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epikao schrieb:

> ich habe gelesen, dass im off-Zustand der Transistor nur ca. 300Kohm
> zwischen Collector und Emitter aufweist?...

Wenn Du zum Messen die beiden Drähte zwischen Daumen und Zeigerfinger
klemmst, könnte das etwa hinkommen. :-)

von hinz (Gast)


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epikao schrieb:
>> ICBO collector-base cut-off current
> und das ist der Collector-Emitter Sperrstrom?!
> da steht Collector-Basis!

Denk mal drüber nach was wohl das "O" bedeuten soll.


> http://www.u-r-rennert.de/dig/dig_nand.html

Ganz großes Kino!

von epikao (Gast)


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hinz schrieb:
> Denk mal drüber nach was wohl das "O" bedeuten soll.
>
>> http://www.u-r-rennert.de/dig/dig_nand.html
>
> Ganz großes Kino!

was meinst du mit Kino? Unfug?

"0" - Basis auf 0, Masse/Emitter?? Vielen Dank aber, hat mir schon sehr 
geholfen :-)

von epikao (Gast)


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und noch was, kann ich den Sperrstrom also auch erhöhen, indem ich z.B. 
ein 100Kohm Widerstand zwischen Basis und Emitter schalte?

von Marian  . (phiarc) Benutzerseite


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Sperrstrom ist in weit über 100 % der Anwendungen eine unerwünschte 
Eigenschaft :-)

von epikao (Gast)


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Marian B. schrieb:
> Sperrstrom ist in weit über 100 % der Anwendungen eine unerwünschte
> Eigenschaft :-)

und was nützt diese Antwort auf meine obige Frage?!

von Helmut S. (helmuts)


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Es gibt einfach Transistoren bei denen ist nicht viel spezifiziert, denn 
messen kostet Geld.
Wenn man aus einem bestimmten Grund auf eine Spezifikation angewiesen 
ist, dann muß man sich einen anderen Hersteller suchen oder meistens 
sogar einen anderen Transistortyp wählen.

von Axel S. (a-za-z0-9)


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epikao schrieb:
> Marian B. schrieb:
>> Sperrstrom ist in weit über 100 % der Anwendungen eine unerwünschte
>> Eigenschaft :-)
>
> und was nützt diese Antwort auf meine obige Frage?!

Es war ein vorsichtiger Hinweis darauf, daß du gefragt hast wie man den 
Sperrstrom erhöhen kann. Wo doch jeder vernünftige Mensch den 
Sperrstrom eher verringern wollen würde.

Und ja. Wie MaWin schon ausführte, hilft es enorm, den Basisanschluß des 
Transistors nicht offen zu lassen sondern irgendwie mit GND zu 
verbinden. Je niederohmiger man diese Verbindung macht, desto geringer 
wird der resultierende Sperrstrom im Kollektorkreis.

von mhh (Gast)


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epikao schrieb:
> und noch was, kann ich den Sperrstrom also auch erhöhen, indem ich z.B.
> ein 100Kohm Widerstand zwischen Basis und Emitter schalte?

Wenn Du erniedrigen bzw. den "Sperrwiderstand" meinst, und statt 100 
kOhm z.B. 10 kOhm nimmst, dann ja.

von Helmut S. (helmuts)


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> wo finde ich den Collector-Emitter Sperrstrom eines Transistor im
Datenblatt

Die Frage war doch klar aber offensichtlich lesen die meisten die Frage 
nicht genau.

von epikao (Gast)


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Axel S. schrieb:
> Es war ein vorsichtiger Hinweis darauf, daß du gefragt hast wie man den
> Sperrstrom erhöhen kann. Wo doch jeder vernünftige Mensch den Sperrstrom
> eher verringern wollen würde.

wieso? In meiner Applikation sind die Transistoren meist gesperrt und in 
einer Akku-Anwendung.
Ich möchte dass dann möglichst wenig "Sperr/Leckstrom" fliesst...

von Helmut S. (helmuts)


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http://www.onsemi.com/pub_link/Collateral/2N3903-D.PDF

Da gibt es eine Spec Icex mit 50nA. Allerdings für Ueb=3V, also Ube=-3V. 
Ob du die hast?

von Harald W. (wilhelms)


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epikao schrieb:
> Axel S. schrieb:
>> Es war ein vorsichtiger Hinweis darauf, daß du gefragt hast wie man den
>> Sperrstrom erhöhen kann. Wo doch jeder vernünftige Mensch den Sperrstrom
>> eher verringern wollen würde.
>
> wieso? In meiner Applikation sind die Transistoren meist gesperrt und in
> einer Akku-Anwendung.
> Ich möchte dass dann möglichst wenig "Sperr/Leckstrom" fliesst...

...und deshalb willst Du den Sperrstrom erhöhen? (siehe 12.00 Uhr)

von epikao (Gast)


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Harald W. schrieb:
> ...und deshalb willst Du den Sperrstrom erhöhen? (siehe 12.00 Uhr)

ouu das ist missverständlich ausgedrückt, nicht erhöhen sondern 
verringern habe ich gemeint x-D sorry

von Marian  . (phiarc) Benutzerseite


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Für den Fall steht ja alles bereits oben - halbwegs niederohmige 
Ansteuerung (sodass die BE-Strecke nicht auf die Idee kommt vorwärts zu 
leiten), passender Typ und niedrige Temperatur bedingen kleine 
Leckströme.

: Bearbeitet durch User
von epikao (Gast)


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ok. hier mal konkret meine Schaltung....

das Relais darf erst ziehen, wenn eine der beiden 10V Signale wegfallen.
Kann ich bzgl. Stromaufnahme was optimieren?

Oder wird was wegen den hohen Widerstände kritisch?

von MaWin (Gast)


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epikao schrieb:
> das Relais darf erst ziehen, wenn eine der beiden 10V Signale wegfallen.

D.h. so lange das Relais ausgeschaltet ist, also du "keinen Strom" 
verbrauchen darfst, hast du fast unendlich viel Strom (na ja, zumindest 
1mA) aus den 10V Eingängen zur Verfügung ?

Ist die Masse der 30V zwangsweise mit der Masse der 10V verbunden ?

Du musst bloss 7mA schalten.

Dein Relais braucht nur 24V, du hast aber 30V ?

von epikao (Gast)


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MaWin schrieb:
> D.h. so lange das Relais ausgeschaltet ist, also du "keinen Strom"
> verbrauchen darfst, hast du fast unendlich viel Strom (na ja, zumindest
> 1mA) aus den 10V Eingängen zur Verfügung ?

die 10V Signale können auch 10mA liefern... aber auch der Strom der 
Signale muss möglichst gering sein (weil alles vom Akku kommt).

MaWin schrieb:
> Ist die Masse der 30V zwangsweise mit der Masse der 10V verbunden ?

Ja

MaWin schrieb:
> Du musst bloss 7mA schalten.

> Dein Relais braucht nur 24V, du hast aber 30V ?

nur 7mA Ja, das Relais verträgt bis 150% der Nominalspannung. Aber ich 
habe ein Vorwiderstand vorgesehen, nur noch nicht berechnet.
Schlussendlich sind die 30V das Minimum. Der Akku wird aber bis ca. 45V 
haben - im vollen Zustand.

von Marian  . (phiarc) Benutzerseite


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Durch die N-FETs hast du sehr niedrige Eingangsströme.
Durch die 10 MΩ und zwei-dreifach Darlington niedrigen Ruhestrom.

von ArnoR (Gast)


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epikao schrieb:
> ok. hier mal konkret meine Schaltung....
>
> Kann ich bzgl. Stromaufnahme was optimieren?

Du könntest die LED in Reihe zum Relais schalten, das verringert die 
Stromaufnahme und vernichtet etwas von der zu hohen Spannung.

von epikao (Gast)


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Marian B. schrieb:
> Durch die N-FETs hast du sehr niedrige Eingangsströme.
> Durch die 10 MΩ und zwei-dreifach Darlington niedrigen Ruhestrom.
stimmt, die Schaltung ist viel besser. Danke

ArnoR schrieb:
> Du könntest die LED in Reihe zum Relais schalten, das verringert die
> Stromaufnahme und vernichtet etwas von der zu hohen Spannung.
es ist eine niedrig-Strom LED... die nur 2mA benötigt - dann würde das 
Relais nicht ziehen.
Und bei einer normalen LED würde sie nicht leuchten. Danke trotzdem :-)

von ArnoR (Gast)


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epikao schrieb:
> es ist eine niedrig-Strom LED... die nur 2mA benötigt - dann würde das
> Relais nicht ziehen.
> Und bei einer normalen LED würde sie nicht leuchten. Danke trotzdem :-)

Aha, der LED-Spezialist hat gesprochen...

von epikao (Gast)


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ArnoR schrieb:
> Aha, der LED-Spezialist hat gesprochen...

stimmts nicht?

von ArnoR (Gast)


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epikao schrieb:
> stimmts nicht?

Nein, nichts von deinen Aussagen stimmt. Schau einfach mal in ein 
LED-Datenblatt. Low-Current-LEDs kann man auch bei höheren Strömen als 
2mA betreiben, die begrenzen den Strom nicht, und normale leuchten auch 
bei 2mA. Die Emission ist näherungsweise proportional zum Strom.

Low-Current-LED, Seite 3, Diagramme links:
https://cdn-reichelt.de/documents/datenblatt/A500/LED5MM2MAGE_LED5MM2MAGN_LED5MM2MART%23KIN.pdf

Standard-LED, Seite 4, Diagramme links:
https://cdn-reichelt.de/documents/datenblatt/A500/LED5MMSTGE_LED5MMSTGN_LED5MMSTRT%23KIN.pdf

von Lurchi (Gast)


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Die Schaltung mit den FETs und dem Darlington ist schon gut. Für weniger 
Leckstrom wäre noch ein Widerstand von etwa 100K-1M von Basis nach 
Emitter beim 2. Transistor sinnvoll: dann wird der Leckstrom des 1. 
Transistors nicht noch verstärkt.

Wegen der Variablen Batteriespannung wäre es ggf. sinnvol den Strom für 
das Relais zu begrenzen / Regeln, mit Hilfe eines Widerstandes am 
Emitter. Auch eine grobe Regelung mit etwa einer Diode als Ref. wäre 
vermutlich schon ausreichend.

von epikao (Gast)


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ArnoR schrieb:
> Low-Current-LED, Seite 3, Diagramme links:
> 
https://cdn-reichelt.de/documents/datenblatt/A500/LED5MM2MAGE_LED5MM2MAGN_LED5MM2MART%23KIN.pdf

interessante 2mA Low Current LED ... läuft scheinbar auch noch mit 20mA, 
wusste ich nicht.

nunja, meine verwendete LED hat 7.5mA als Maximum... ok. würd auch gehen 
in Serie, da das Relais nur ca. 5mA braucht. Aber ist mir zu nahe an der 
Grenze...
http://www.distrelec.ch/Web/Downloads/_t/ds/LxT679_ger-eng_tds.pdf?mime=application%2Fpdf

von epikao (Gast)


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Lurchi schrieb:
> Die Schaltung mit den FETs und dem Darlington ist schon gut. Für weniger
> Leckstrom wäre noch ein Widerstand von etwa 100K-1M von Basis nach
> Emitter beim 2. Transistor sinnvoll: dann wird der Leckstrom des 1.
> Transistors nicht noch verstärkt.

Ich kann doch auch einfach den BCV47 Darlington Transistor nehmen, statt 
die zwei Transistoren, oder?

von Marian  . (phiarc) Benutzerseite


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Klar. Darlington ist Darlington. Beim Zeichnen vom Plan habe ich 
allerdings den Basisräumwiderstand (oben bereits von Lurchi 
angesprochen) vergessen. Wenn der im integrierten Darlington nicht 
eingebaut ist, solltest du einen externen vorsehen. >10 kΩ reichen.

Bzgl. der Relaisspannung könnte man einfach einen adäquaten 
Vorwiderstand benutzen. Sollte es mit dem nicht möglich sein unter allen 
Akkuspannungen die Spezifikation des Relais einzuhalten, kann man dem 
Relais parallel eine Zenerdiode verpassen.

von michael_ (Gast)


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epikao schrieb:
> hier (vor Mosfet-Feldeffekt Titel):
> http://www.u-r-rennert.de/dig/dig_nand.html
> ich zitiere:
> Links also wieder die Ausgangssituation für ein NAND mittels Schalter.
> Man kann tatsächlich Transistoren in Reihe schalten. Werden beide
> Transistoren mit 1 angesteuert, werden beide leitend und etwa die Masse
> wird auf y gelegt. Der Widerstand beträgt nun so etwa 60Ω, im Gegensatz
> zum gesperrten Zustand von etwa 330KΩ (ein Transistor leitend) bis 600KΩ
> (beide Transistoren gesperrt).

Vermutlich ist es ein Fehler vom Autor.
Ursprünglich war es sicher mal für Ge-Transis geschrieben. Da sind 
solche Restströme möglich.
Irgendwann mußte er mit der Zeit gehen, und hat es auf Si-Transis 
umgeschrieben.
Da ist ihm das mit den 330K durch die Lappen gegangen.

von epikao (Gast)


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michael_ schrieb:
> Vermutlich ist es ein Fehler vom Autor.
> Ursprünglich war es sicher mal für Ge-Transis geschrieben. Da sind
> solche Restströme möglich.
> Irgendwann mußte er mit der Zeit gehen, und hat es auf Si-Transis
> umgeschrieben.
> Da ist ihm das mit den 330K durch die Lappen gegangen.

vielen Dank. Damit ist auch mein letztes Fragezeichen geklärt.

Einzig was noch gegen die Fet-Lösung spricht, ist die wesentlich höhere 
Empfindlichkeit gegenüber ESD.

NPN Transistoren sind aus meiner langjährigen Reparatur-Erfahrung höchst 
selten ein Ausfallgrund....

von epikao (Gast)


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Marian B. schrieb:
> Klar. Darlington ist Darlington. Beim Zeichnen vom Plan habe ich
> allerdings den Basisräumwiderstand (oben bereits von Lurchi
> angesprochen) vergessen. Wenn der im integrierten Darlington nicht
> eingebaut ist, solltest du einen externen vorsehen. >10 kΩ reichen.

ist die Basisspannung zum Schalten, dann nicht zu klein - bei einem 
10Mohm?

30V: 10010000 × 10000 = 0.02V ... minimum aber 1.5V benötigt?

von Marian  . (phiarc) Benutzerseite


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Davor ist doch bereits ein Transistor mit seiner Stromverstärkung... (es 
geht um die BE-Strecke von Q2)

: Bearbeitet durch User
von epikao (Gast)


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Marian B. schrieb:
> Davor ist doch bereits ein Transistor mit seiner Stromverstärkung... (es
> geht um die BE-Strecke von Q2)

kann man Q1 nicht einfach weglassen - und für Q2 den BCV47 also 
Darlington nehmen?

von Marian  . (phiarc) Benutzerseite


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Das habe ich oben bereits bestätigt. Q1 & Q2 sind ein Darlington und 
können auch durch einen integrierten Darlington wie den BCV47 
implementiert werden.

von epikao (Gast)


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Marian B. schrieb:
> Das habe ich oben bereits bestätigt. Q1 & Q2 sind ein Darlington und
> können auch durch einen integrierten Darlington wie den BCV47
> implementiert werden.

und dieser Basisräumwiderstand ist dann unnötig? Danke

von Axel R. (Gast)


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Kann man das nicht in DTL Technik machen (eben so wie früher)?
http://elektroniktutor.oszkim.de/digitaltechnik/ttl_cmos.html im 
entsprechenden Abschnitt..

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