Masse eines Programms im Flash

@Sören (Gast)

>hat sich schon mal jemand überlegt, wie schwer ein Programm auf einem uC
>ist?

Negativ!

>Da das Programm im Flash auf Floating Gates gespeichert wird, müsste man
>doch nur wissen, wieviele Elektronen sich auf einem solchen Gate
>befinden.

Beim LÖSCHEN wird das Gate geladen, beim Programmieren entladen!

>Die Masse eines Elektrons ist bekannt, die Zahl der damit programmierten
>Gates lässt sich bestimmen. Damit hat hat man schon den Massezuwachs.

Masseverlust, wie beim Heliumballon ;-)

Falk B. schrieb:
> Beim LÖSCHEN wird das Gate geladen, beim Programmieren entladen!

Sicher? Das höre ich zum ersten Mal.

M.W. wird gelöscht, indem das Floating Gate entladen wird. Das war schon
beim EPROM so (bei der UV-Löschung geht es gar nicht anders) und ist
beim EEPROM und Flash (wo theoretisch auch andersherum möglich wäre)
sicherlich immer noch so, allein schon aus Kompatibilitätsgründen.

Vielleicht verwechselst du Löschen (im Sinne von Zurücksetzen aller Bits
in den Auslieferungszustand (logisch 1), was nur blockweise möglich ist)
mit dem Schreiben einer logischen 0 in ein Bit (auch "Programmieren"
genannt, wortweise möglich). Ja, die Logik bei diesen Dingern ist schon
etwas verquer.

> Masseverlust

Siehe Beitrag von deinem Vorgänger: Die Gesamtladung und damit die Zahl
der Elektronen in einer Flashzelle ändert sich beim Programmieren oder
Löschen nicht. Die Elektronen werden lediglich innerhalb der Zelle (d.h.
des FP-Transistors) verschoben.

Eine Masseänderung entsteht allenfalls nach Einstein durch die in einer
programmierten (geladenen) Zelle enthaltene Energie. Dieser Effekt führt
zu einer geringfügigen Massezunahme der programmierten (also auf logisch
0 gesetzten) Zellen.

Immerhin könnte man damit – zumindest theoretisch – durch die Bestimmung
der Masse, der Lage des Schwerpunkts und der Trägheitsmomente in drei
Achsen einiges über den Flash-Inhalt erfahren, auch wenn dieser
lesegeschützt ist. Vielleicht wäre das mal ein neuer Ansatz für die
Herren Reverse-Ingenieure :)

@ Yalu X. (yalu) (Moderator)

>> Beim LÖSCHEN wird das Gate geladen, beim Programmieren entladen!

>Sicher?

Nein ;-)

>M.W. wird gelöscht, indem das Floating Gate entladen wird. Das war schon
>beim EPROM so (bei der UV-Löschung geht es gar nicht anders)

Stimmt.

> und ist
>beim EEPROM und Flash (wo theoretisch auch andersherum möglich wäre)
>sicherlich immer noch so, allein schon aus Kompatibilitätsgründen.

Das spielt glaub ich keine Rolle.

>genannt, wortweise möglich). Ja, die Logik bei diesen Dingern ist schon
>etwas verquer.

Möglich.

Habe gerade mal nachgemessen, kein Unterschied!