Hallo, hat sich schon mal jemand überlegt, wie schwer ein Programm auf einem uC ist? Da das Programm im Flash auf Floating Gates gespeichert wird, müsste man doch nur wissen, wieviele Elektronen sich auf einem solchen Gate befinden. Die Masse eines Elektrons ist bekannt, die Zahl der damit programmierten Gates lässt sich bestimmen. Damit hat hat man schon den Massezuwachs. Oder?
@Sören (Gast) >hat sich schon mal jemand überlegt, wie schwer ein Programm auf einem uC >ist? Negativ! >Da das Programm im Flash auf Floating Gates gespeichert wird, müsste man >doch nur wissen, wieviele Elektronen sich auf einem solchen Gate >befinden. Beim LÖSCHEN wird das Gate geladen, beim Programmieren entladen! >Die Masse eines Elektrons ist bekannt, die Zahl der damit programmierten >Gates lässt sich bestimmen. Damit hat hat man schon den Massezuwachs. Masseverlust, wie beim Heliumballon ;-)
Sören schrieb: > Da das Programm im Flash auf Floating Gates gespeichert wird Wenn die wirklich schwimmen, wird genauso viel Masse verdrängt - wusste schon der gute alte Archimedes.
Sören schrieb: > Die Masse eines Elektrons ist bekannt, die Zahl der damit programmierten > Gates lässt sich bestimmen. Damit hat hat man schon den Massezuwachs. > > Oder? Na, probiere es doch mal aus und berichte hier. Dann sind wir alle schlauer. :)
Falk B. schrieb: > Beim LÖSCHEN wird das Gate geladen, beim Programmieren entladen! Sicher? Das höre ich zum ersten Mal. M.W. wird gelöscht, indem das Floating Gate entladen wird. Das war schon beim EPROM so (bei der UV-Löschung geht es gar nicht anders) und ist beim EEPROM und Flash (wo theoretisch auch andersherum möglich wäre) sicherlich immer noch so, allein schon aus Kompatibilitätsgründen. Vielleicht verwechselst du Löschen (im Sinne von Zurücksetzen aller Bits in den Auslieferungszustand (logisch 1), was nur blockweise möglich ist) mit dem Schreiben einer logischen 0 in ein Bit (auch "Programmieren" genannt, wortweise möglich). Ja, die Logik bei diesen Dingern ist schon etwas verquer. > Masseverlust Siehe Beitrag von deinem Vorgänger: Die Gesamtladung und damit die Zahl der Elektronen in einer Flashzelle ändert sich beim Programmieren oder Löschen nicht. Die Elektronen werden lediglich innerhalb der Zelle (d.h. des FP-Transistors) verschoben. Eine Masseänderung entsteht allenfalls nach Einstein durch die in einer programmierten (geladenen) Zelle enthaltene Energie. Dieser Effekt führt zu einer geringfügigen Massezunahme der programmierten (also auf logisch 0 gesetzten) Zellen. Immerhin könnte man damit – zumindest theoretisch – durch die Bestimmung der Masse, der Lage des Schwerpunkts und der Trägheitsmomente in drei Achsen einiges über den Flash-Inhalt erfahren, auch wenn dieser lesegeschützt ist. Vielleicht wäre das mal ein neuer Ansatz für die Herren Reverse-Ingenieure :)
@ Yalu X. (yalu) (Moderator) >> Beim LÖSCHEN wird das Gate geladen, beim Programmieren entladen! >Sicher? Nein ;-) >M.W. wird gelöscht, indem das Floating Gate entladen wird. Das war schon >beim EPROM so (bei der UV-Löschung geht es gar nicht anders) Stimmt. > und ist >beim EEPROM und Flash (wo theoretisch auch andersherum möglich wäre) >sicherlich immer noch so, allein schon aus Kompatibilitätsgründen. Das spielt glaub ich keine Rolle. >genannt, wortweise möglich). Ja, die Logik bei diesen Dingern ist schon >etwas verquer. Möglich.
Bitte melde dich an um einen Beitrag zu schreiben. Anmeldung ist kostenlos und dauert nur eine Minute.
Bestehender Account
Schon ein Account bei Google/GoogleMail? Keine Anmeldung erforderlich!
Mit Google-Account einloggen
Mit Google-Account einloggen
Noch kein Account? Hier anmelden.