Hallo zusammen, ich möchte mittels uC die Spannungsversorgung anderer IC's ( uC, Speicher etc. ) schalten. Dazu möchte ich einen p und n MOSFET wie in der Schaltung gezeigt verwenden. Wobei ich mir aber nicht sicher bin ist die Dimensionierung der Widerstände R33 und R34. Der maximale Strom am Verbraucher soll 300 mA betragen und die Versorgungsspannung ist variabel von 1,8V bis 6V. Der p-MOSFET ist: PMV75UP von NXP ( Vgs: -1,3V = Rds: ca 0.2 Ohm ) Der n-MOSFET ist: NX3008NBK von NXP ( Vgs: 2,5V , Ids: 0.1A = Rds: ca 1.4 Ohm ) Für R34 hätte ich 3,3k oder 4k gewählt, aber wie ich R33 bestimmen soll hab ich keine Ahnung. Kann mir da jemand einen Tipp geben ? Mark
Mark B. schrieb: > Kann mir da jemand einen Tipp geben ? Der simple Trick ist: Du solltest Deine Schaltung verstehen (kein Witz). Erkläre bitte mal, WIE die Schaltung funktionieren soll. Wenn das einigermassen passt, dann kommst Du auch schnell dahinter, welche Funktion Dein R33 hat. Und dann ist es bis zum festlegen eines Wertes nicht mehr weit. HtH Andreas
ok, der P-MOSFET soll die Last schalten. Der N-MOSFET dient dazu die negative Vgs zu erzeugen. Ist der N-MOSFET geschlossen, ist die Vgs an dem P-MOSFET 0 und dieser geschlossen. Ist der N-MOSFET durch geschalten, wird die Vgs am P-MOSFET negativ und dieser schaltet durch. R33 dient dazu einen Spannungsabfall zu erzeugen, sodass am P-MOSFET eine negative Vgs entstehen kann. Die Frage war ein wenig blöd formuliert. Die Größe von R33 beeinflusst den Strom zum Gate von dem P-MOSFET und damit dessen "Schließung". Je größer R33 ist, desto länger dauert es bis der P-MOSFET wieder sperrt, oder sehe ich das falsch ? Die Frage bleibt, wie ich jetzt am besten den Widerstand bestimme.
Liegt der Source des P-Kanal an der Betriebsspannung verhält sich die Schaltung wie folgt: Ohne Ansteuerung ist der N-Kanal-FET geschlossen (Ugs = 0 V) und der Pullup-Widerstand R33 zieht das Gate des P-Kanal auf Vcc. AM P-Kanal-FET liegt dann eine Ugs von 0 V an und dieser sperrt. Bei Ansteuerung schließt der N-Kanal-FET und zieht das Gate des P-Kanal auf GND, was einer Ugs von -Vcc entspricht. Dein Vcc muss also so hoch sein, dass der P-Kanal-FET sicher öffnet. Als Dimensionierung für Pullup-/Pulldownwiderstände lege ich sie so aus, dass ein entsprechender Strom von ca. 1 mA fließen kann. Die Gates eines MOSFET werden quasi Leistungslos angesteuert und benötigen nur im Moment des Umladens Strom. Wie lange dann ein Umladen dauert, kannst Du mit Hilfe der Gate-Kapazität (Datenblatt!) und der Ladezeit über Deinen Pullup-Widerstand ermitteln. Einschalten wird der P-Kanal-FET sehr schnell, abschalten etwas langsamer. Als einfache Schalter ist das alles unkritisch. Interessant wird es erst, wenn Du sehr hohe PWM-Frequenzen fährst und sehr schnell ein- und ausschaltet und sich der FET verhältnismäßig lang und oft im Knick seiner Kennlinie befindet, denn dort wird Verlustleistung erzeugt. Dies kann den Transistor thermisch überlasten. Viele Grüße! Sven
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Bearbeitet durch User
Sven L. schrieb: > Als einfache Schalter ist das alles unkritisch. Das hast Du schön erklärt klatscht Kleiner tipp noch für R33: Wenn der NMOS leitet, dann bilden sein RDS_on und R33 einen Spannungsteiler. Dieser muss natürlich so dimensioniert sein, dass das nötige -VGS des PMOS auch bei 1V8 Versorgungsspannung noch erreicht wird. Grüße Andreas
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