Hallo, ich versuche zu verstehen, weshalb Photovoltaik-Systeme bei Kälte besser funktionieren. Ein Lichtquant kann beim Eintreffen in die Sperrschicht eines PN-Übergangs ein Elektron-Defektelektron-Paar generieren. Durch das elektrische Feld der Sperrschicht werden die Ladungsträger nach Polarität getrennt. Dieser Ladungsträgertransport ist, nach der Zeit abegleitet, ein elektrischer Strom Strom. Soweit korrekt? Ist der Halbleiter erwärmt, ist der Bandabstand der Atome geringer. Die Wahrscheinlichkeit, dass es zur Generation kommt ist demnach höher und die Diffusionsläge größer. Ebendfalls korrekt? Was ich nicht verstehe ist, weshalb der Wirkungsgrad eines Photovoltaik-Systems bei Kläte besser ist. Wenn je Strahlungsleistung ein größerer Strom generiert werden würde müsste die Anlage doch bei Wärme besser funktionieren, oder? vielen Dank bereits im Voraus für konstruktive Beiträge!
Hohe Temperatur => kleinerer Bandgap => weniger Spannung => weniger Leistung bei gleichem Strom
Rekombination ist der blöde störende Effekt...
Thema Elektronenbeweglichkeit in Halbleitern. Die nimmt mit steigender Temperatur ab. -UND- Bandgap nimmt mit Temperatur ab, also ist die Leerlaufspannung geringer -> Niedrigerer MPP (U*I) bei steigender Temperatur.
Rote T. schrieb: >... => weniger Spannung => weniger Leistung bei gleichem Strom Und wenn ich den Strom einer Photodiode hinter einem Transimpedanzverstärker betrachte? Dann messe ich doch eigenlich nur den resultierenden Strom Ist denn die Rekombinationsneigung bei Wärme größer? Ich dachte die Diffusionslänge (also die Entfernung, die ein Ladungsträger vor der hinderlichen Rekombination zurücklegen kann) wäre bei Erwärmung ebenfalls größer. Ist das der einzige Denkfehler im Ansatz? Der negative Temperaturkoeffizient von Halbleitern ist mir bekannt und erscheint mir auch für den Sachverhalt plaubsibel.
Versteh dein Problem nicht. Du hast doch die Antwort bekommen. Wie kommst du jetzt auf den Transimpedanzverstärker? Die erzeugte Leistung einer PV Anlage ist eine Funktion des Stroms (aka Anzahl generierte Ladungsträger) UND der Spannung (aka Bandgap) Wenn du dir die T° Abhängigkeit eines Solarmoduls ansiehst wirst du sehen dass der Löwenanteil der T-Abhängigkeit die Leerlaufspannung ist.
Ich wollte nur wissen, ob sich das Prinzip auf Photodioden am Transimpedanzverstärker übertragen lässt. Rekombinieren die Ladungsträger denn bei Wärme tatsächlich schneller?
Ob die Rekombination bei höherer Temperatur schneller oder langsamer ist, kann man so pauschal nicht sagen, das hängt vom Material ab. Der Photostrom ist nur relativ wenig von der Temperatur abhängig. Die Spannung an der Solarzelle wird dagegen mit höherer Temperatur kleiner, ganz so wie bei der Flusspannung einer normalen Diode. Die Temperaturabhängigkeit der Bandlücke ist dabei auch nur ein eher kleiner Anteil am Effekt.
Super, alles klar. Vielen Dank euch allen!
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