Miller-Kapazität MOSFET

[S. M. (liveup)]

Hey, ich brauche mal wieder eure Hilfe.
Und zwar geht es diesmal um die inneren Kapazitäten bzw. die 
Millerkapazität eines MOSFET´s. Oben habe ich ein Ersatzschaltbild 
hochgeladen.

Die Spannung zwischen Gate und Emitter kann ja aufgrund der Kapazität 
Cge nicht sprunghaft ansteigen, daher dauert es ein wenig bis die 
Einsatzspannung erreicht ist, die benötigt wird, um einen leitenden 
Kanal zwischen Emitter und Kollektor zu erzeugen/aufzubauen. Dadurch 
wird dann die Spannung zwischen Kollektor und Emitter kleiner.
Nun soll die Kapazität Cgc - die sogenannte Millerkapazität der Spannung 
zwischen Gate und Emitter entgegennwirken und somit den Schaltvorgang 
verlangsamen, da sie Auswirkung auf die Spannung zwischen Emitter uznd 
Kollektor hat!
Jedoch versteh ich das nicht, bzw. kann mir das nicht spannungstechnisch 
erklären =(
Anscheinend soll auch mit zunehmender Kapazität Cgc die Spannung 
zwischen Emitter und Kollektor kleiner werden...

Um Hinweise/Tipps/Erklärungen wäre ich sehr dankbar..danke!

[Max M. (jens2001)]

S. M. schrieb:
> eines MOSFET´s

S. M. schrieb:
> ein Ersatzschaltbild
> hochgeladen

MOSFET != IGBT

Freitag!

[Geri (Gast)]

Beim Mosfet spricht man von Source und Drain und nicht von Emitter und 
Kollektor.

Ab einer gewissen Frequenz führt die Millerkapazität zu einem 
Kurzschluss zwischen Drain und Gate -> Diode-connected -> Diode ->
U_DS = U_GS = 0.7V

[Possetitjel (Gast)]

S. M. schrieb:

> Die Spannung zwischen Gate und Emitter kann ja aufgrund
> der Kapazität Cge nicht sprunghaft ansteigen,

Richtig.

> daher dauert es ein wenig bis die Einsatzspannung erreicht
> ist,

Schlechtes Deutsch. - Auch ohne die Schwellenspannung
könnte die Gatespannung nicht springen, denn die Spannung
am Kondensator kann halt NIE springen.

> die benötigt wird, um einen leitenden Kanal zwischen
> Emitter und Kollektor zu erzeugen/aufzubauen.

In der Summe trotzdem korrekt. Eine gewisse Ladung ist
notwendig, um die Schwellenspannung zu erreichen, eine
weitere Ladungsmenge braucht es, um den IGBT aufzusteuern.

> Dadurch wird dann die Spannung zwischen Kollektor und
> Emitter kleiner.

Ist i.d.R. korrekt.

> Nun soll die Kapazität Cgc - die sogenannte Millerkapazität
> der Spannung zwischen Gate und Emitter entgegennwirken

Nein.
Die Miller-Kapazität wirkt primär dem Gate-STROM entgegen.
Anders ausgedrückt: Nur ein bestimmter Anteil des
Gate-Stromes läd die Gate-Emitter-Kapazität um; der Rest
wird nutzloserweise damit verbraucht, die Gate-Kollektor-
Kapazität umzuladen.

Da der Spannungshub am Kollektor i.d.R. ziemlich groß
ist, ist auch die dadurch erforderliche Ladung ziemlich
groß --> Miller-Effekt.

> und somit den Schaltvorgang verlangsamen, da sie Auswirkung
> auf die Spannung zwischen Emitter uznd Kollektor hat!

Ja, natürlich.

Wenn während des Schaltvorganges ein beträchtlicher Teil
des Gatestromes durch die Miller-Kapazität "abgesaugt" wird,
läd sich das Gate entsprechend langsamer um, und die
Schaltzeit steigt entsprechend.

Letztlich ist auch die Miller-Kapazität selbst keine Konstante,
sondern von der Spannung abhängig - aber das sind Feinheiten.