Ich habe bereits einige Step-Up Converter für Nixies gebaut, die aus 12V ca 170V mit 0.1A produzieren können. Diese basierten meist auf dem MC34063, und somit war die Effizienzfrage sowieso hinfällig. Der aktuelle wird mit dem MAX1771 gebaut MAX1771: http://pdfserv.maximintegrated.com/en/ds/MAX1771.pdf Nun geht es darum, ein passendes N-Mosfet zu finden, was als Schalter dient. Es muss "zwingend" ein SMD Bauteil sein. Folgende habe ich mir angeschaut: FDB52N20 (http://www.farnell.com/datasheets/1781225.pdf) 200V,33A Bauform: D2Pak RDSon : 49mOhm @ 10V Gate Change: 49nC Coss : 66pf Einzelpreis bei 10 Stück : 1.66€ ------------ STP40NF20 (http://www.farnell.com/datasheets/1781225.pdf) 200V,40A Bauform D2Pak RDSon: 45mOhm @ 10V Coss: 510pf Gate Change: 75nC Einzelpreis bei 10 Stück: 2.09€ ------------ IPD320n20N3G (http://www.farnell.com/datasheets/1648190.pdf) 200V, 34A Bauform: T252 RDSon 32mOhm @10V Coss: 135pf Gate Change: 8nC Einzelpreis bei 10 Stpck: 2.22€ Ich bin mir nun nicht ganz sicher welches ich kaufen soll, der IPD320N hat den kleinsten RDSon und GateCHange, der FDB52 hat jedoch den kleineren Coss. Der STP40 ist beim RDson der Preisliche kompromiss, hat jedoch sehr schlechten Coss. Was meint ihr hierzu? Gibt es noch andere SMD-Fet (min 180V,3A) welche in diese Preisklasse fallen? Einige habe ich bereits gefunden, kosten aber weit über 3 Euro. Das ist mir zuviel
Hi, das Datenblatt des Max1771 schreibt einen Logiklevel MOSFET mit 2V GS vor. Keiner Deiner ausgewählten MOSFETs ist ein solcher. Warum suchst Du MOSFETs mit 30A und mehr wenn Du nur 0,1 A brauchst? Gruß Andreas
Andreas B. schrieb: > Hi, > das Datenblatt des Max1771 schreibt einen Logiklevel MOSFET mit 2V GS > vor. Keiner Deiner ausgewählten MOSFETs ist ein solcher. > Warum suchst Du MOSFETs mit 30A und mehr wenn Du nur 0,1 A brauchst? > > Gruß > Andreas ...."To ensure the external N-channel MOSFET is turned on hard, use logiv-level or low-threshold N-Fets when the input drive voltage ist less than 8V" Es ist ein Logikspannungs oder low threshold Fet zu verwenden WENN die Eingangsppannung unter 8 Volt liegt. Mit meinen 12V liege ich weit über 8Volt. Und übrigens ein IDP320 hat eine threshold von 2-4V. 0,1A ? wohl kaum. Bei einem Step-Up Wandler der ein Output von 170V 100mA liefert, liegt die zu schaltende Stromstärke auf der 12V Seite bei ca 2A.
@ Johnny SGT (sgt_johnny) >0,1A ? wohl kaum. Bei einem Step-Up Wandler der ein Output von 170V >100mA liefert, liegt die zu schaltende Stromstärke auf der 12V Seite bei >ca 2A. Und dafür braucht man einen 30A MOSFET? ;-)
Falk B. schrieb: > @ Johnny SGT (sgt_johnny) > >>0,1A ? wohl kaum. Bei einem Step-Up Wandler der ein Output von 170V >>100mA liefert, liegt die zu schaltende Stromstärke auf der 12V Seite bei >>ca 2A. > > Und dafür braucht man einen 30A MOSFET? ;-) Wohl kaum, ich habe aber halt bei Farnell folgende Parmeter eingegeebn Drains-Source Spannung : >200V Dauer Drainstrom : >2A Betriebswiderstand: <60mOhm und dann alle SMD-Bauformen ausgewählt. Da kommt man nicht mehr zu so vielen Ergebnissen :-)
@Johnny SGT (sgt_johnny) >> Und dafür braucht man einen 30A MOSFET? ;-) >Wohl kaum, ich habe aber halt bei Farnell folgende Parmeter eingegeebn >Drains-Source Spannung : >200V >Dauer Drainstrom : >2A >Betriebswiderstand: <60mOhm Hier liegt das Problem. 200V++ MOSFETS mit R_DS_ON deutlich unter 1 Ohm sind schon eher Exoten. Warum glaubst du, weniger als 60mOhm zu brauchen? 300-500mOhm reichen locker.
Falk B. schrieb: > @Johnny SGT (sgt_johnny) > >>> Und dafür braucht man einen 30A MOSFET? ;-) > >>Wohl kaum, ich habe aber halt bei Farnell folgende Parmeter eingegeebn > >>Drains-Source Spannung : >200V >>Dauer Drainstrom : >2A > >>Betriebswiderstand: <60mOhm > > Hier liegt das Problem. 200V++ MOSFETS mit R_DS_ON deutlich unter 1 Ohm > sind schon eher Exoten. Warum glaubst du, weniger als 60mOhm zu > brauchen? > 300-500mOhm reichen locker. Im Maxim-Beispiel wird RDSon 150mOhm verwendet. Bei einer deutlich niedrigeren Ausgangspannung. je kleiner RDSon, desto weniger Strom geht auf dem Mosfet flöten also effizienter ist die Schatung. Auf einer Website hab ich ein experiment gesehen wo ein RDSon von 180mOhm gegen ein 130mOhm getauscht wurde, die Effizienz stieg von 86% auf 87%
@Johnny SGT (sgt_johnny) >Im Maxim-Beispiel wird RDSon 150mOhm verwendet. Bei einer deutlich >niedrigeren Ausgangspannung. >je kleiner RDSon, desto weniger Strom geht auf dem Mosfet flöten Dort geht gar kein Strom flöten, bestenfalls Verlustleistung. > also effizienter ist die Schatung. Ja. >Auf einer Website hab ich ein experiment gesehen wo ein RDSon von >180mOhm gegen ein 130mOhm getauscht wurde, die Effizienz stieg von 86% >auf 87% WOW! Das rettet das Weltklima und beschert dir den Innovationspreis 2015!
Johnny S. schrieb: > je kleiner RDSon, desto weniger Strom geht auf dem Mosfet flöten also > effizienter ist die Schatung. Nein. Du tauscht nur Leitverluste gegen Umschaltverluste aus. Niederohmige Mosfets haben entsprechend größere Gate- und Ausgangsladungen (die besonders weh tun, weil sie von der hochgepumten Spannung abgehen).
Falk B. schrieb: > WOW! Das rettet das Weltklima und beschert dir den Innovationspreis > 2015! Also ist es nicht so übertrieben wichtig wie in den meisten Anleitungen steht? in vielen steht eben "Select super-low ESR Capacitors and lowest RDson you can find"... oder sowas... Darum war ich verwirrt..
@Johnny SGT (sgt_johnny) >> WOW! Das rettet das Weltklima und beschert dir den Innovationspreis >> 2015! >Also ist es nicht so übertrieben wichtig wie in den meisten Anleitungen >steht? Was ändert sich für dich und die Welt, ob dein Regler nunr 80 oder 75% Wirklungsgrad hat? Dein Regler, der einmalig aufgebaut wird und wahrscheinlich nicht 24/7 die nächsten 30 Jahre laufen wird. >in vielen steht eben "Select super-low ESR Capacitors and lowest RDson >you can find"... oder sowas... In der Werbung sagen sie das auch immer, "schöner, weißer, schneller, leckerer" >Darum war ich verwirrt.. Weil du die Relationen aus den Augen verloren hast. Mach dir nichts draus, das haben viele Menschen.
Johnny S. schrieb: > Auf einer Website hab ich ein experiment gesehen wo ein RDSon von > 180mOhm gegen ein 130mOhm getauscht wurde, die Effizienz stieg von 86% > auf 87% Was ja wirklich eine "enorme" Steigerung ist. :-)
Falk B. schrieb: > Dein Regler, der einmalig aufgebaut wird und > wahrscheinlich nicht 24/7 die nächsten 30 Jahre laufen wird. Ich denke schon: Johnny S. schrieb: > Ich habe bereits einige Step-Up Converter für Nixies gebaut, die aus 12V > ca 170V mit 0.1A produzieren können. > Der aktuelle wird mit dem MAX1771 gebaut MfG Paul
@ Paul Baumann (paul_baumann) >> Dein Regler, der einmalig aufgebaut wird und >> wahrscheinlich nicht 24/7 die nächsten 30 Jahre laufen wird. >Ich denke schon: >>Johnny S. schrieb: >> Ich habe bereits einige Step-Up Converter für Nixies gebaut, die aus 12V >> ca 170V mit 0.1A produzieren können. >> Der aktuelle wird mit dem MAX1771 gebaut Daraus würde ich trotzdem keine 30jährige Laufzeit im Dauerbetrieb ableiten. Da sind die Nixies deutlich vorher im Eimer.
Also am besten irgendein Mosfet kaufen? Wie währe es mit dem? http://ch.farnell.com/stmicroelectronics/stb22ns25zt4/mosfet-n-kanal-250v-22a-d2pak/dp/1751988
Falk B. schrieb: > Reich vollkommen aus. Selbst bis 500mOhm sollte das passen. Mit solchen Aussagen wäre ich vorsichtig. Immerhin haben wir es hier mit einem Tastverhältnis um 5% zu tun, da werden die Bauteile ordentlich gestreßt. Das ist eben der Nachteil, wenn man keinen Trafo wickeln will. Bei 17W Ausgangsleistung und einem Wirkungsgrad um 80% muss man schon fragen, wieviel Watt der SMD-MOSFET denn auf Dauer verheizen darf. Wenn ich nicht irre, war der Ansteuerbaustein von LT. Also einfach mal das Ganze in LTSpice mit verschiedenen MOSFETs simulieren. Edit - ich habe mich geirrt!
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Den IPD320N20 setze ich auch in einem Schaltwandler ein. Der erwärmt sich kaum merklich. Zusätzlich kann ich den IRFS4020 empfehlen. Der hat mehr Rds,on, aber weniger Gateladung. Was du unbedingt berücksichtigen solltest ist der Parameter Coss, da eben dieser merklich zur Verlustleistung beiträgt.
Kevin K. schrieb: > Den IPD320N20 setze ich auch in einem Schaltwandler ein. Der erwärmt > sich kaum merklich. Zusätzlich kann ich den IRFS4020 empfehlen. Der hat > mehr Rds,on, aber weniger Gateladung. Was du unbedingt berücksichtigen > solltest ist der Parameter Coss, da eben dieser merklich zur > Verlustleistung beiträgt. Dann währe ja der FDB52N20 doch eine Option, der hat nur 66pf, die anderen haben alle mehr. In was für einem Schaltwandler benutzt du den IPD ? Auch eine Hochspannungsquelle?
Schalttransistor von einem Flyback, der an bis zu 100V Eingangsspannung hängt und dann maximal ca. 145V sperren muss. Das Netzteil hat zwar nur ca. 10W Ausgangsleistung, ich kann mir aber nur minimale Verlustleistungen erlauben (maximal 200mW im FET).
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