Forum: Analoge Elektronik und Schaltungstechnik Mosfet als Schalter


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von Jens (Gast)


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Hallo,

ich bin gerade beim umbauen einer Taschenlampe die einen neuen LED 
Treiber bekommt. Der Treiber hat verschiedene Modis/Leuchtstufen die 
sich durch kurzes oder langes drücken (vorwärts/rückwärts der Modis) und 
unterbrechen der Masse über einen Schalter der an der Endkappe der Lampe 
sitzt schalten lassen. Da die Lampe aber auch einen vorderen 
Seitentaster bekommen soll bräuchte ich einen Taster/Öffner in SMD 
Bauform welcher mir die Masse zum Treiber auch vorne in der Lampe 
unterbrechen kann.

In der Lampe fließt ein Strom von etwa 6A also bin ich gezwungen das 
ganze über einen Mosfet zu schalten, da normale SMD Taster/Öffner einen 
solch hohen Strom nicht vertragen. Für die Gate Spannung soll eine 3V 
Litium Zelle zum Einsatz kommen.
Also 3V Batterie-->SMD Taster/Öffner--->FET-->Treiber.
Das einzigste was die Schaltung können muss ist Minus schnell und 
zeitnah über einen FET zum Treiber zu unterbrechen. Bei nicht drücken 
soll über den FET ständig der Strom zum Treiber fließen.


Welche FET`s kämen hier in Frage und wie sollte die Schaltung aussehen?
Das ganze sollte so klein wie möglich werden und der FET so wenig 
Widerstand wie nur möglich besitzen um keine großen Verluste am Treiber 
zu haben.

Vielen dank schonmal.

Gruß
Jens

von Rainer U. (r-u)


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z.B. IRLML6244

schalte das Gate mit dem Taster und belege das Gate per Pull-up oder 
pull-down Widerstand so vor, wie Du es im Ruhezustand haben willst.

von Jens (Gast)


Angehängte Dateien:

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Danke,

also quasi so wie ich es oben gezeichnet habe?
Nochmal kurz was ich erreichen möchte:

- Minus soll geschalten werden
- maximal 6A
- durch drücken des Tasters Minus zeitnah unterbrechen

Dann brauche ich nur noch einen Taster der bei gedrückt halten die 
Verbindung unterbricht.

von Konrad S. (maybee)


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6A mit dem IRLML6244?
Das wird nix!
Eher sowas wie IRF6201.

von Jens (Gast)


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Achso das wichtigste fast vergessen...
Wie hoch der Stromverbrauch bei dieser Schaltung ist brauche ich bei 
100nA Gate-to-Source Leakage denke ich garnicht zu auszurechnen oder?
Eher ist die Batterie durch selbstentladung im Keller als das sie leer 
genuckelt wird.

von Bernd K. (bmk)


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Jens schrieb:
> Eher ist die Batterie durch selbstentladung im Keller als das sie leer
> genuckelt wird.

So isses.

Hier ein MOSFET Tipp, der bezüglich Qg und RDSon beste Werte aufweist:
http://www.ti.com/lit/ds/symlink/csd16342q5a.pdf

Kann natürlich sein, dass dir das Gehäuse nicht schmeckt.

von knips (Gast)


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Jens schrieb:
> also quasi so wie ich es oben gezeichnet habe?

Ja, genau so. Ein Mosfet, der etwas mehr Strom verträgt, ist natürlich 
sicherer, oder nimm 2 von meinen genannten, was besser passt.

von Jens (Gast)


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Vielen dank für die Antworten ;).
Ich habe mir nun mal ein paar von den IRF6201 bestellt.

Auf Empfehlung von Bernd werde ich mir die 3V Batterie sparen und direkt 
an der Versorgungsspannung für den Treiber die Steuerspannung für das 
Gate abgreifen. So spare ich Platz und kann den etwas größeren IRF6201 
unter bringen.

Ich habe aber noch ein größeres Problem...
Es scheint keine SMD Taster als Öffner zu geben, dann fällt das ganze 
mit dem Seitentaster ins Wasser :(.
Im Mobilfunk Bereich wird wohl so etwas verwendet aber ich konnte 
trotzdem noch nichts finden.

von Martin E. (erdie)


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Wieso braucht man für das Gate eigentlich eine separate Stromversorgung? 
Kann man die Schaltspannung über den Taster nicht direkt an die 4,2V 
Versorgungsspannung anschließen?

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