Hochohmige Anbindung an die Masse. Warum?

Antwort von Sender Eriwan: kommt drauf an...

Tina schrieb:
> Was gibt es denn für Möglichkeiten? ;-)

Wieviele Möglichkeiten fallen Dir denn rund um Deine "Skizze" ein?

Tina schrieb:
> Was gibt es denn für Möglichkeiten? ;-)

Allgemein: da floatet vermutlich irgendwas und irgendwo müssen ja die 
Biasströme langfließen.

Weil die sonst auf undefiniertem Potential liegen. Bzw. ein Potential, 
welches durch die Biasströme verursacht wird.
Und der 10k soll letztendlich auch nur sicherstellen, daß AGND nicht (zu 
sehr) von CGND wegfloated (auch evtl. wegen elektrostatischer 
Aufladung).

Hochohmige Anbindung ist für/ gegen HF (EMV) nicht sinnvoll. 1 MOhm 
hilft aber bei der Überwindung möglicher statischer Aufladungen ( ESD 
von außen auf ein Gerät geschossen.

In dem IC sind Transistoren egal ob Bipolartransistor oder Mosfet. Deren 
Basis bzw. Gate muss auf eine definierte Spannung innerhalb des 
Versorgungsspannungsbereichs liegen. Wenn du nur AC-Kopplung hast oder 
die  Eingänge frei in der Luft hängen, dann gibt es keine definierte 
Gleichspannung am Eingangspin. Bei ICs mit Bipolar-Transistoren müssen 
die Widerstände auf Grund des erheblichen Basistromes sogar relativ 
niederohmig (<100kOhm) sein. Bei Mosfets dürfen es auch bis zu vielen 
Mega-Ohm sein. Kleinere Widerstandswerte sind aber immer besser da man 
dann weniger Offsetfehler wegen Eingangsstrom und weniger 
Eingangsrauschspannung hat.