Jens G. schrieb: > Nennt sich dann wohl Steilheit, wenn Iout von Uin abhängt :-))), ist ja völlig richtig aber es ist ja keine Spannungsverstärkung im Sinne von Uout/Uin.
Jens G. schrieb: > Und? Was ist denn nun die Zusammenfassung? > BJT -> spannungsgesteuert? > Ib - nötiges Übel, um einen "Stau" (so er vorkommen könnte) zu > vermeiden? Meine persönliche Zusammenfasung wäre, dass der BJT sowohl spannungs- als auch strom-gesteuert ist. Die Basis-Emitter-Spannung steuert den Basisstrom (Shockley-Diodengleichung) und der Basisstrom den Kollektorstrom, über Geometrie und Dotierung. Ib ist nicht bloß nötiges Übel, ohne diesen gäbe es ja keine Ladungsträger in der Basis, die die CB-Sperrschicht abbauen könnten. Das Abbauen der BE-Sperrschicht greift sozusagen qua Diffusion auf die CB-Sperrschicht über.
samdeluxe schrieb: > Ich weiß worauf Sie hinaus wollen, aber nach meiner Ansicht, wird durch > Hinzuziehen der Spannungsverstärkung in eine Erklärung wieder das > Funktionsprinzip mit der Schaltungstechnik vermischt. Habe ich denn zu viel vorausgesetzt (nicht bei Ihnen - ich weiß), wenn ich angenommen habe, dass jeder Teilnehmer an dieser Diskussion weiß, dass eine Spannungsverstärkung nur an einem Kollektorwiderstand erzielt werden kann? Ich habe das ja überhaupt nur angesprochen, um auf den vielfach anzutreffenden Irrtum hinzuweisen, dass eine hohe "Stromverstärkung" zu hoher Spannungsverstärkung führen würde. Aber noch einmal: Dies "Vermischung" zwischen Funktionsprinzip und Schaltungstechnik ist doch nicht falsch - im Gegenteil, in vielen Fällen ist es die einzige Möglichkeit, um die Eigenschaften des Bauteils erkennen zu können. Diese Eigenschaften werden doch in die Eigenschaften der Schaltung eingebracht - und müssen dann allerdings richtig isoliert und interpretiert werden. Das wird doch z.B. deutlich, wenn ich frage: Wo kommt die "Faustregel" zur Dimensionierung des Basisspannungsteilers her? Das hat doch mit den Transistoreigenschaften zu tun. Und das gleiche gilt für mein Beispiel mit der Re-Gegenkopplung. Das ist - meines Erachtens nach - sowieso das überzeugendste Argument; dem hat noch niemand widersprochen - und ich verstehe nicht, wieso das nicht überzeugen kann.
samdeluxe schrieb: > Aber vielleicht hilft es ja, wenn Sie erklären warum es dann so viele > Typen von BJTs gibt, da ja bei allen Transistors dass gm bei gleicher > Temperatur und Kollektorstrom gleich ist. Sonst wär ja nur ein > UniversaL-BJT notwendig. Die Steilheit gm ist nun mal nicht der einzige Parameter von Interesse, der die Eigenschaften des Transistors festlegt
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Joachim schrieb: > Ib ist nicht bloß nötiges Übel, ohne diesen gäbe es ja keine > Ladungsträger in der Basis, die die CB-Sperrschicht abbauen könnten. > > Das Abbauen der BE-Sperrschicht greift sozusagen qua Diffusion auf die > CB-Sperrschicht über. CB-Sperrschicht wird abgebaut? Ganz im Gegenteil!
Lutz V. schrieb: > Joachim schrieb: >> Ib ist nicht bloß nötiges Übel, ohne diesen gäbe es ja keine >> Ladungsträger in der Basis, die die CB-Sperrschicht abbauen könnten. >> >> Das Abbauen der BE-Sperrschicht greift sozusagen qua Diffusion auf die >> CB-Sperrschicht über. > > CB-Sperrschicht wird abgebaut? Ganz im Gegenteil! Erste Funstelle nach google: http://www.physi.uni-heidelberg.de/Einrichtungen/FP/anleitungen/E01.pdf Zitat Seite 17: Nun beeinflusst dieser Basisstrom, und das ist das Grund- prinzip eines Bipolartransistors, die Sperrschicht in der CB-Strecke! Durch den Basisstrom wird die CB-Sperrschicht abgebaut, so dass auch im CE-Kreis ein Strom fließen kann. Gruß
Joachim schrieb: > Erste Funstelle nach google: > > http://www.physi.uni-heidelberg.de/Einrichtungen/FP/anleitungen/E01.pdf > > Zitat Seite 17: > > Nun beeinflusst dieser Basisstrom, und das ist das Grund- > prinzip eines Bipolartransistors, die Sperrschicht in der > CB-Strecke! Durch den Basisstrom wird die CB-Sperrschicht abgebaut, so > dass auch im CE-Kreis ein Strom fließen kann. Ja - das ist ein sehr "schönes" Beispiel für Fehlinformation. Eigentlich ein sehr trauriges Zeichen, dass sowas von einer deutschen Uni verbreitet wird. Nicht umsonst habe ich bereits ein paar mal erwähnt, dass man sehr kritisch mit den verschiedenen Erklärungsversuchen umgehen muss - und nichts einfach "glauben" darf, sondern sich selber Gedanken machen muss. Zum Vergleich hier ein Satz aus A. Möschwitzer: Grundlagen der Halbleiter- und Mikroelektronik" (Hanser Verlag 1992): "Mit wachsender Sperrspannung am Kollektor-Basis-Übergang weitet sich die Sperrschicht dieses Übergangs immer weiter in das Basisgebiet aus... " Also genau das Gegenteil zur obigen Behauptung. Das führt übrigens zum EARLY-Effekt. Ob der in der obigen Fundstelle überhaupt angesprochen wird?
Hallo nochmal, ich hatte mich die letzten Beiträge etwas zurückgehalten, da man sich hier leider etwas im Kreis gedreht hat. Ein mögliche Zusammenfassung für den verstärkenden statischen Betrieb (BE im Vorwärtsbetrieb, CB im Sperrbetrieb) wäre: Der BE Übergang verhält sich wie eine positiv vorgespannte Diode nach der Shockley Gleichung. Die Spannung am Übergang steuert die Weite der Raumladungszone und damit den (Diffusions)Strom. (Umladeströme der RLZ sind keine statischen Ströme sondern Ladeströme der BE-Kapazität) Der eingestellte Strom fließt zunächst in die Basis und teilt sich dort in einen Teil der zum Kollektor fließt und einen Teil der in der Basis und den RLZ rekombiniert. Damit ist es doch auch eigentlich schon gesagt. Alles was am BC Übergang noch passiert, hat eigentlich nur einen Einfluss auf die Aufteilung der Ströme und damit B (Sättigung, Early- und Kirk Effekt etc. erstmal außen vor gelassen). Ein idealer BPT Transistor wäre theoretisch möglich, indem man alle Basisstromkomponenten eliminiert. D.h. das Verhältnis der Dotierung Emitter-Basis sehr hoch macht (die Basis ist dabei niedriger dotiert). Die Basis sollte sehr dünn sein. Der BE Übergang sollte eine Heterostruktur bilden. In der Praxis wird aber ein Kompromiss getroffen zu Gunsten anderer Eigenschaften (z.B. maximale UCE) aber zu Lasten des Basistroms und damit B. Würdet ihr soweit zustimmen?
@ Bodo (Gast)
>Würdet ihr soweit zustimmen?
Ja.
Der Variante von Joachim (Gast) dagegen würde ich überhaupt nicht
zustimmen.
Denn Ube bestimmte, wieviel Strom vom E über die EB-Barriere kommen. Bis
dahin wissen die Elektronen ja noch gar nicht, ob sie mal als Ib oder Ic
enden werden. Das entscheidet sich sozusagen erst in der B.
Ube steuert also eigentlich Ie, woraus dann Ib+Ic werden (je nach
Diffusionsverhältnisse+Basisbreite).
Die Joachim'sche Variante dagegen sagt aber Ueb steuert nur Ib, und erst
Ib würde zusätzlich Ic aus E ziehen. Ich wüsste jetzt nicht, auf welcher
Grundlage dies funktionieren sollte ... Aber selbst da wäre es
eigentlich eine Spannungssteuerung, denn Ube ist ja trotzdem die
verursachende Größe.
Bodo schrieb: > Würdet ihr soweit zustimmen? Größtenteils ja - mit einigen Ergänzungen (für npn, in GROSSBUCHSTABEN) : "Der eingestellte ELEKTRONEN-Strom fließt zunächst in die Basis und teilt sich dort in einen Teil der zum Kollektor fließt und einen... SEHR VIEL KLEINEREN... Teil der in der Basis und den RLZ rekombiniert." > "Alles was am BC Übergang noch passiert, hat eigentlich nur einen > Einfluss auf die Aufteilung der Ströme und damit B. " Wie ist das gemeint? Für den Anlaufbereich mit Ucb<0 ? Ansosnsten (für Ucb>0) "passiert" ja nicht viel und B bleibt praktisch konstant.
Lutz V. schrieb: >> Der eingestellte ELEKTRONEN-Strom fließt zunächst in die Basis und >> teilt sich dort in einen Teil der zum Kollektor fließt und einen > Der eingestellte ELEKTRONEN-Strom fließt zunächst in die Basis und ^^^^^ Eher in den Emitter, nich?
Wieso zum Emitter? Vom Emitter kommen doch die Elektronen (bei npn), und wollen in die Basis ...
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Lutz V. schrieb: > "Alles was am BC Übergang noch passiert, hat eigentlich nur einen >> Einfluss auf die Aufteilung der Ströme und damit B. " > > Wie ist das gemeint? Für den Anlaufbereich mit Ucb<0 ? > Ansosnsten (für Ucb>0) "passiert" ja nicht viel und B bleibt praktisch > konstant. Nein, das habe nicht für die Sättigung gemeint, die wollte ich bewusst erst einmal raus lassen. Du hast Recht, wenn man den Early Effekt außer Acht lässt, passiert auch nicht viel.
Jens G. schrieb: > Wieso zum Emitter? Vom Emitter kommen doch die Elektronen (bei > npn), und > wollen in die Basis ... Äh, ja, ich hab den Satz nicht richtig gelesen. Die Elektronen fließen zunächst in den Emitter und teilen sich dann in der Basis in zwei wesentliche Elektronenströme auf. So wie es im Original dort auch steht. Mein Fehler.
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