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Ersatzschaltbild einer Diode
Gast
#4457396
Hi, ich will keinen Thread kapern, deshalb hier ein neuer. Bei dem byv27 Thread geht es um das heiss werden dieser Diode. Könnte man nicht mal so eine reale Diode mit all ihren Macken in einem ESB mit idealen Bauteilen nachbilden?!
Gast
#4457418
Spannungsquelle nach Shockley-Gleichung, Silizium-Bahnwiderstand, ohmscher Widerstand der Anschlußdrähe, Sperrschichtkapazität, Induktivität von Siliziumbahn, Induktivität der Anschlussdrähe. Gibts aber schon, nennt sich PSpice.
Gast
#4457473
Sascha schrieb: > Spannungsquelle nach Shockley-Gleichung, Silizium-Bahnwiderstand, > ohmscher Widerstand der Anschlußdrähe, Sperrschichtkapazität, > Induktivität von Siliziumbahn, Induktivität der Anschlussdrähe. > > Gibts aber schon, nennt sich PSpice. hm, hast du wohl recht. Reichen diese paar Parameter aus um z.B. auch die Sperrverzoegerungszeit und hard bzw. Softrecovery zu modellieren?
Gast
#4457488
Reverse Recovery Time wird unter anderem von der Sperrschichtkapazität verursacht, da sind dann noch Ladungsträger im pn Übergang die erst raus müssen bevor das Ding wieder sperrt. Die Begriffe Hard und Softrecovery sagen mir nichts. Mathematische Modelle können beliebig kompliziert werden, daher erfindet man das Rad am besten nicht neu. Antwort schreiben |
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