Ersatzschaltbild einer Diode

[Peter Z. (Gast)]

Hi, ich will keinen Thread kapern, deshalb hier ein neuer. Bei dem byv27 
Thread geht es um das heiss werden dieser Diode. Könnte man nicht mal so 
eine reale Diode mit all ihren Macken in einem ESB mit idealen Bauteilen 
nachbilden?!

[Sascha (Gast)]

Spannungsquelle nach Shockley-Gleichung, Silizium-Bahnwiderstand, 
ohmscher Widerstand der Anschlußdrähe, Sperrschichtkapazität, 
Induktivität von Siliziumbahn, Induktivität der Anschlussdrähe.

Gibts aber schon, nennt sich PSpice.

[Peter Z. (Gast)]

Sascha schrieb:
> Spannungsquelle nach Shockley-Gleichung, Silizium-Bahnwiderstand,
> ohmscher Widerstand der Anschlußdrähe, Sperrschichtkapazität,
> Induktivität von Siliziumbahn, Induktivität der Anschlussdrähe.
>
> Gibts aber schon, nennt sich PSpice.

hm, hast du wohl recht.
Reichen diese paar Parameter aus um z.B. auch die Sperrverzoegerungszeit 
und hard bzw. Softrecovery zu modellieren?

[Sascha (Gast)]

Reverse Recovery Time wird unter anderem von der Sperrschichtkapazität 
verursacht, da sind dann noch Ladungsträger im pn Übergang die erst raus 
müssen bevor das Ding wieder sperrt.

Die Begriffe Hard und Softrecovery sagen mir nichts.

Mathematische Modelle können beliebig kompliziert werden, daher erfindet 
man das Rad am besten nicht neu.