Wilson Stromspiegel

OP #4489106
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Hi,

ich habe ein kleines Verständnis Problem. Ich möchte einen 1:10 
Stromspiegel entwerfen.

Zitat von Wikipedia:

"Um die Genauigkeitsanforderungen zu erfüllen, werden Stromspiegel 
möglichst symmetrisch aufgebaut, üblicherweise in Quad-Layout oder 
Common-centroid-Layout. In MOSFET-Stromspiegeln werden nur Gates 
gleicher Länge und gleicher Weite verwendet, das Spiegelverhältnis wird 
daher nur über die Anzahl der Transistoren festgelegt."

Jetzt habe ich das alles mal aufgebaut. Habe die Weiten und Längen exakt 
identisch jedoch bekomme ich niemals einen exakten 1:1 Stromspiegel hin. 
Wenn ich die Transistoranzahl auf der rechten Seite erhöhe dann wird 
mein Strom logischerweise kleiner. Nun habe ich aber das Problem, wie 
ich zu meinem 1:10 Stromspiegel komme.

Kann man mit Wilson keinen 1:10 Stromspiegel entwerfen? Wenn nein, dann 
verstehe ich den letzten Satz von Wikipedia nicht.

Vielen Dank für eure Hilfe.
Angehängte Dateien:
Gast #4489179
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Du hast den Early-Effekt (Bei FETs: Kanallängenmodulation) nicht 
berücksichtigt. Die Geometrie der Transistoren gleich zu machen, reicht 
nicht aus. Der Strom durch einen Transistor hängt auch von der 
Drain-Source-Spannung ab und die ist beim den Transistoren im 
Wilson-Stromspiegel nicht gleich groß.
Gast #4489502
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Du kannst die Schaltung von den Eigenschaften der Transistoren 
weitgehend unabhängig machen, also eine starke Stromgegenkopplung mit 
Emitter-/Source-Widerständen bzw. eine Regelschaltung mit OPVs 
(spannungsgesteuerte Konstantstromquelle) bauen. Oder du stellst für die 
Transistoren gleiche Betriebsbedingungen ein. Oder am besten beides.
Gast #4489689
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Sawyer M. schrieb:
> Wie kann ich den das nun Integriert 1:10 realisieren?

Wenn es nicht ganz so ganz genau sein muss, dann nimmt man (zusätzlich 
zum Flächenverhältnis) Emitter- bzw. Source-Widerstände. Wenn es 
wirklich genau 1:10 sein muss, dann nimmt man z.B. Kaskode-Schaltungen, 
d.h. man stellt für alle Transistoren die gleiche (und weitgehend 
konstante) Uds/Uce ein. Die Geometrie der Transistoren gleich zu machen, 
ist integriert ganz leicht.

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