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Mosfet Frequenz und Leistung
Gast
#4525951
Hallo, Im Internet habe ich nichts gefunden, deshalb versuche ich es jetzt hier. Ab wann hat man Probleme eine hohe Leistung mit dem Mosfet zu schalten? Liegt es an der Temperaturabhängigkeit Und wenn man die Frequenz des Schaltens eines Mosfets erhöhen will, dann muss man die Kanallänge verkürzen. Wieso macht man das eigentlich? Vielen Dank im Voraus. Julian
Gast
#4526040
Mosfets haben hohe Kapazitäten, verglichen mit anderen Transistoren. Darasu folgt, dass du hohe Steuerströme hast, wenn die Frequenz hoch ist. Einen Grenzwert gibt es da nicht. 0Hz = kein Strom. Von da an steigt der Strom mit der Frequenz ungefähr linear an. Außerdem stellt die Kapazität zusammen mit der Ansteuerung einen Tiefpass dar. Der Transistor schaltet dann nicht so sprunghaft um wie man es gerne hätte, das zu Verlustleistung beim Umschalten führt. He häufiger du umschaltest, umso mehr Verluste hast du. Auch dazu gibt es wieder keinen Schwellwert. 0 Hz = keine Umschaltverluste, von da an ungefähr linear steigend. Dazu kommt noch der RDSon. > Ab wann hat man Probleme Kann man nicht beantworten > muss man die Kanallänge verkürzen Ich glaube nicht, dass irgend jemand Transistoren modifiziert. Man sucht sich eher einen heraus, der für den Anwendungsfall geeignet ist, den man kaufen kann und sich leisten kann. Es ist immer ein Abwägen von Vor- und Nachteilen. Julian schrieb: > Und wenn man die Frequenz des Schaltens eines Mosfets erhöhen will, > dann muss man die Kanallänge verkürzen. Woher genau kommt das? Nicht aus dem Netz? Ich habe sehr viele Infos zu FETs aus dem Netz gezogen Stefan U. schrieb: > Ich glaube nicht, dass irgend jemand Transistoren modifiziert. Der meint wohl Hersteller/Entwickler. Worauf genau willst Du hinaus?
Gast
#4526311
Julian schrieb: > Und wenn man die Frequenz des Schaltens eines Mosfets erhöhen will, dann > muss man die Kanallänge verkürzen. Wieso macht man das eigentlich? Hallo Julian, wie Stefan U. schon beschrieben hat, hängt die erreichbare Schaltgeschwindigkeit (für typische Anwendungen aus dem Forum) meist nur von der Treiberleistung ab, die benötigt wird um die Gatekapazität umzuladen. Will man aber bspw. im GHz Bereich schalten, kommt man um die von dir beschriebene Skalierung, d.h. die Verkleinerung des MOSFET und damit auch einer Verkürzung des Kanals nicht herum. Unter den Stichworten Tranistzeit oder Sättigungsgeschwindigkeit wirst du bestimmt fündig. Bspw. im n-Kanal MOSFET benötigen die Elektronen eine gewisse Zeit um den Gate Bereich zu passieren. Diese Zeit hängt von der Mobilität bzw. Sättigungsgeschwindigkeit und der Gatelänge ab. Die Kanalladung kann sonst (einfach gesagt) nicht schnell genug abfließen. Die Sättigungsgeschwindigkeit ist ohne spezielle Tricks eine Materialkonstante ... es bleibt also nur die Kanallänge. Julian schrieb: > Im Internet habe ich nichts gefunden, Glaub ich nicht so recht. Ich denke mal, du hast das Problem noch nicht mal soweit verstanden, daß du in der Lage bist, Antworten zu finden. Oder, wenn du sie findest, sie zu verstehen. > Ab wann hat man Probleme eine hohe Leistung mit dem Mosfet zu schalten? Unbeantwortbar. Was ist "hohe Leistung"? Was ist ein "Problem"? > ... wenn man die Frequenz des Schaltens eines Mosfets erhöhen will, > dann muss man die Kanallänge verkürzen. Das hast du also auch nicht verstanden. Ein MOSFET mit kurzer Kanallänge hat eine kürzere Schaltzeit (vulgo: kann schneller schalten). Aber natürlich kann man die Kanallänge eines (vorhanden) MOSFET nicht mehr ändern. Statt dessen sucht man sich von vornherein einen passenden MOSFET aus. Was du oben schreibst, ist auf einem Level mit "wenn man die Geschwindigkeit eines Autos erhöhen will, muß man die Motorleistung erhöhen". Zwar nicht direkt falsch, aber eine Verdrehung von Ursache und Wirkung. Antwort schreibenBitte melde dich an, um einen Beitrag zu schreiben. |
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