Hi EEprom geht ja durch häufiges schreiben > 10k-100k kaputt. Ist dann eine ganze Page hin oder nur die beschriebne Adresse? Was liest man aus einer solchen Adresse dann raus? random oder den letzten richtigen Wert? Danke
Hacker R. schrieb: > Ist dann eine ganze Page hin oder nur die beschriebne Adresse? Die entsprechend oft beschriebene Zelle. Hacker R. schrieb: > Was liest man aus einer solchen Adresse dann raus? Irgendwann nur noch 0xFF, da alle Ladungsträger abgeflossen sind. Bis dahin liest man alles Mögliche an Zwischenwerten.
Die Angaben der Hersteller beziehen sich auf den kompletten Temperaturbereich. Bei einem Schreibtest eines Microchip-Eeproms, das mit 1Mio Schreibzugriffen spezifiziert ist, haben wir > 20Mio Schreibzugriffe unter Bürobedingungen erzielt. Gruß, Stefan
Die Haltbarkeit des geschriebenen Datenwertes sinkt mit der Lösch-/Schreibhäufigkeit ab, da mit jedem Vorgang die Oxydschicht, mit der das Floating Gate der Speicherzelle isoliert ist, etwas geschädigt wird. Man kann also gerade in der Anfangszeit nicht etwa durch einfaches Zurücklesen des unmittelbar zuvor geschriebenen Werte erkennen, ob die Speicherzelle hinüber ist. Die Haltbarkeit ist dann von vielleicht 20 Jahren auf 58 Tage oder so abgesunken. Die konkreten Auswirkungen auf das Datenmuster hängen auch davon ab, wie viele analoge Werte bzw. daraus resultierende digitale Bitmuster in einer Speicherzelle gespeichert werden. Bei SLC-Speicher (Single level cell) handelt es sich um eine 1:1-Zuordnung. Bei MLC (Multi level cell) sind derzeit acht Analogwerte, d.h. drei Bit, der Stand der Technik. Folglich würde dort eine 000 langsam zu 001, 010, 011, 100, ... ,111 oder umgekehrt werden. Man beachte, dass hierbei auch eine deutliche Temperatur- und Versorgungsspannungsabhängigkeit des Flash-Bausteins bestehen kann.
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