häufiges Schreiben auf eeprom

[H. R. (hacker_r)]

Hi
EEprom geht ja durch häufiges schreiben > 10k-100k kaputt.
Ist dann eine ganze Page hin oder nur die beschriebne Adresse?
Was liest man aus einer solchen Adresse dann raus? random oder den 
letzten richtigen Wert?
Danke

[Knut B. (Firma: TravelRec.) (travelrec)]

Hacker R. schrieb:
> Ist dann eine ganze Page hin oder nur die beschriebne Adresse?

Die entsprechend oft beschriebene Zelle.

Hacker R. schrieb:
> Was liest man aus einer solchen Adresse dann raus?

Irgendwann nur noch 0xFF, da alle Ladungsträger abgeflossen sind. Bis 
dahin liest man alles Mögliche an Zwischenwerten.

[Stefan K. (stefan64)]

Die Angaben der Hersteller beziehen sich auf den kompletten 
Temperaturbereich. Bei einem Schreibtest eines Microchip-Eeproms, das 
mit 1Mio Schreibzugriffen spezifiziert ist, haben wir > 20Mio 
Schreibzugriffe unter Bürobedingungen erzielt.

Gruß, Stefan

[Andreas S. (Firma: Schweigstill IT) (schweigstill)]

Die Haltbarkeit des geschriebenen Datenwertes sinkt mit der 
Lösch-/Schreibhäufigkeit ab, da mit jedem Vorgang die Oxydschicht, mit 
der das Floating Gate der Speicherzelle isoliert ist, etwas geschädigt 
wird. Man kann also gerade in der Anfangszeit nicht etwa durch einfaches 
Zurücklesen des unmittelbar zuvor geschriebenen Werte erkennen, ob die 
Speicherzelle hinüber ist. Die Haltbarkeit ist dann von vielleicht 20 
Jahren auf 58 Tage oder so abgesunken.

Die konkreten Auswirkungen auf das Datenmuster hängen auch davon ab, wie 
viele analoge Werte bzw. daraus resultierende digitale Bitmuster in 
einer Speicherzelle gespeichert werden. Bei SLC-Speicher (Single level 
cell) handelt es sich um eine 1:1-Zuordnung. Bei MLC (Multi level cell) 
sind derzeit acht Analogwerte, d.h. drei Bit, der Stand der Technik. 
Folglich würde dort eine 000 langsam zu 001, 010, 011, 100, ... ,111 
oder umgekehrt werden. Man beachte, dass hierbei auch eine deutliche 
Temperatur- und Versorgungsspannungsabhängigkeit des Flash-Bausteins 
bestehen kann.