Forum: Analoge Elektronik und Schaltungstechnik Schaltnetzteil m. TL494 - Frage zu Mosfet (und Treiber)


von Marcel H. (Firma: Enercon) (legolas136)


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Moin moin.

Ich bin ganz neu hier und habe lange gewartet bis ich etwas poste.
Deshalb von mir erstmal ein herzliches Hallo an alle.

Auf die Gefahr hin, dass einige mich hier direkt steinigen und mich der 
Suche oder Google verweisen kann ich nur entgegnen, dass ich diese schon 
genutzt habe, jedoch nichts finden konnte, was mir wirklich weiter 
hilft.

Zu mir: vor 10 Jahren ausgelernter Elektroniker für Betriebstechnik aus 
Paderborn.

Da die Berufsschule und der Unterricht zum Thema OpAmps und Transistoren 
schon so lange her ist, bin ich absolut nicht mehr im Thema.

Ich erwarte zudem keine fertigen Lösungen, sondern viel mehr Tipps um 
selbst auf den richtigen Weg zu kommen.


Zur Schaltung:

Die Spannungsversorgung wurde vereinfacht, um Multisim nicht jedes mal 
die komplette Gleichrichtung etc. rechnen lassen zu müssen.
Die Induktivität L2 soll Strom-/Spannungsspitzen dämpfen; ist jedoch 
gebrückt um auch hier Multisim die Arbeit zu erleichtern.

Die Spannungs- und Stromregelung über die beiden Fehlerverstärker des 
TL494 funtionieren zufriedenstellend. (U über R4 + R3; I über R15).
Dead Time Control ist für die Simulation per S2 deaktiviert.

Die Schaltfrequenz beträgt ca. 110kHz.


Zu meiner eigentlichen Frage:

S1 verrichtet momentan die eigentliche PWM.
Ich bekomme es zum verrecken nicht hin einen geeigneten MOSFET mit 
zugehörigem Treiber zu dimensionieren/auszuwählen. Außerdem bin ich 
nicht sicher, wo ich nun welchen (Stichwort P-Kanal/N-Kanal) einbinden 
müsste.

Kann mir wohl jemand einen Tipp, Link oder korrigierten Plan geben um 
mich auf den richtigen Weg zu bringen?

PS: Q1 (TIP120) und Q2 (BC547) hätte ich hier genug liegen.
PPS: Bitte seid nicht zu hart, hab hier schon einiges im Forum gelesen, 
was einem Angst machen kann überhaupt was zu fragen.
"Wer nichts nettes sagen kann, soll gar nichts sagen." - Alle Mütter 
dieser Erde


Grüße, Marcel

: Bearbeitet durch User
von Matthias S. (Firma: matzetronics) (mschoeldgen)


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Marcel H. schrieb:
> Ich bekomme es zum verrecken nicht hin einen geeigneten MOSFET mit
> zugehörigem Treiber zu dimensionieren/auszuwählen. Außerdem bin ich
> nicht sicher, wo ich nun welchen (Stichwort P-Kanal/N-Kanal) einbinden
> müsste.

In dieser Schaltung wird als Highside Endstufe nur ein P-Kanal richtig 
funktionieren. Dazu verdrahtest du den TL494 um, so das der Kollektor 
(C1) ans Gate der Endstufe kommt und der Emitter (E1) an Masse.

Zusätzlich spendierst du diesem Transistor einen Pullup von der Drain 
des S1 zum Gate, recht niederohmig wäre wegen deiner hohen 
Schaltfrequenz recht gut - 470 Ohm oder so.
Parallel zu deinm 10mF Elko schadet ein Kerko sicher nicht - der filtert 
Spitzen und entlastet so das ESR des dicken Elkos (da sind die meistens 
sowieso nicht so dolle). Also noch 100nF oder so ran.

von Mark S. (voltwide)


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Die gezeigte Schaltung zielt offenbar ab auf einen Abwärtswandler 
(Labornetzgerät?).

Der gezeigte MOSFET scheint ein p-Kanal-Typ zu sein.
Da der Ausgang des TL494 nur im Bereich 0..12V liefert, reicht das 
natürlich zur Ansteuerung des gates nicht aus.
Das passt also weder mit p- noch mit n-Kanal MOSFET.

Wenn ich mich recht erinnere, macht der TL494 ohnehin nur max 50% 
Tastverhältnis. Er ist halt ausgelegt zur Ansteuerung von 
Gegentaktstufen, für Abwärtswandler imho eher ungeeignet.

Wenn Du Dich entschließen könntest auf LTSpice umzusatteln, würdest Du 
hier mehr aktive Hilfe erwarten können.

: Bearbeitet durch User
von Matthias S. (Firma: matzetronics) (mschoeldgen)


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Mark S. schrieb:
> Da der Ausgang des TL494 nur im Bereich 0..12V liefert, reicht das
> natürlich zur Ansteuerung des gates nicht aus.

Wie kommst du darauf? Die Ausgänge des TL494 sind mit bis zu 40V 
spezifiziert und können 200mA schalten.
Auch die Betriebsspannung des TL494 darf bis zu 40V betragen.
Übrigens gibts im Onsemi Datenblatt die fast schon passende 
Beispielschaltung

: Bearbeitet durch User
von Marcel H. (Firma: Enercon) (legolas136)


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Matthias S. schrieb:
> In dieser Schaltung wird als Highside Endstufe nur ein P-Kanal richtig
> funktionieren.

Hieße dies dann nicht, dass ich auch die PWM invertieren müsste, da ich 
ja mit Low-Signalen den P-Kanal Mosfet leitend schalte (wenn ich das 
richtig verstanden habe)?

Mark S. schrieb:
> Die gezeigte Schaltung zielt offenbar ab auf einen Abwärtswandler
> (Labornetzgerät?).
In der Tat.

Mark S. schrieb:
> Wenn ich mich recht erinnere, macht der TL494 ohnehin nur max 50%
> Tastverhältnis.
pro Kanal bei Push-Pull-Betrieb. Da Pin 13 auf Masse liegt, arbeitet der 
TL494 im Parallelbetrieb und erreicht fast 100% (wie im Push-Pull bei 
parallel geschalteten Ausgängen afaik).

Mark S. schrieb:
> Wenn Du Dich entschließen könntest auf LTSpice umzusatteln, würdest Du
> hier mehr aktive Hilfe erwarten können.
Multisim erschien mir persönlich eher auf meine Ansprüche abgestimmt. 
Werde demnächst dann aber fürs µC-Forum noch eine Simulation in LTSpice 
anhängen. Danke für den Tipp!

Matthias S. schrieb:
> Übrigens gibts im Onsemi Datenblatt die fast schon passende
> Beispielschaltung
Super! Ich hatte bis jetzt immer das Datenblatt von Texas zurate 
gezogen.
Schön, noch mehr Beispielschaltungen zu haben.

: Bearbeitet durch User
von Mark S. (voltwide)


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Marcel H. schrieb:
> Hieße dies dann nicht, dass ich auch die PWM invertieren müsste, da ich
> ja mit Low-Signalen den P-Kanal Mosfet leitend schalte (wenn ich das
> richtig verstanden habe)?

Ja, so ist es.

von Matthias S. (Firma: matzetronics) (mschoeldgen)


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Marcel H. schrieb:
> Hieße dies dann nicht, dass ich auch die PWM invertieren müsste, da ich
> ja mit Low-Signalen den P-Kanal Mosfet leitend schalte (wenn ich das
> richtig verstanden habe)?

Das passiert ja von alleine, wenn du, wie o.a., den MOSFet vom Kollektor 
(C1/C2) des TL494 antreibst und die E1 und E2 Emitter auf Masse legst. 
Wenn der Kollektor auf low zieht, wird der P-Kanal durchgeschaltet. Die 
OnSemi Schaltung zeigt das mit einen PNP Transistor, aber das Prinzip 
ist das gleiche.

von Mike B. (mike_b97) Benutzerseite


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Ich hab in noch keinem Schaltnetzteil eine Freilaufdiode über der 
Speicherdrossel (L1) gesehen.
Soll das so richtig sein?

von hinz (Gast)


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Mike B. schrieb:
> Ich hab in noch keinem Schaltnetzteil eine Freilaufdiode über der
> Speicherdrossel (L1) gesehen.
> Soll das so richtig sein?

Ist natürlich falsch. Man will die in der Drossel gespeicherte Energie 
ja nicht in Wärme umwandeln.

von Marcel H. (Firma: Enercon) (legolas136)


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Matthias S. schrieb:
> Das passiert ja von alleine, wenn du, wie o.a., den MOSFet vom Kollektor
> (C1/C2) des TL494 antreibst und die E1 und E2 Emitter auf Masse legst.
> Wenn der Kollektor auf low zieht, wird der P-Kanal durchgeschaltet. Die
> OnSemi Schaltung zeigt das mit einen PNP Transistor, aber das Prinzip
> ist das gleiche.

Wenn die Error Amps des TL494 keinen Fehler mehr erkennen verringert 
sich der Duty Cycle. Also werden die Low-Phasen der PWM länger.
Wenn ich den Mosfet am Gate mit Low zum durchschalten bringe, müsste 
dieser dann doch "erst recht" durchlassen.
Deswegen dachte ich mir, ich müsse das Generierte Signal invertieren und 
nicht einfach so anbinden.
Funktioniert in der Simulation soweit auch wie gedacht.

hinz schrieb:
> Mike B. schrieb:
>> Ich hab in noch keinem Schaltnetzteil eine Freilaufdiode über der
>> Speicherdrossel (L1) gesehen.
>> Soll das so richtig sein?
>
> Ist natürlich falsch. Man will die in der Drossel gespeicherte Energie
> ja nicht in Wärme umwandeln.

Hierzu kann ich leider nur auf die mir vom virtuellen Oszilloskop 
gezeigten Bilder verweisen. Diese ließen beim Sperren des FETs sehen, 
dass die Spannung viel zu hoch schoss. Also dachte ich, ich müsse diese 
Spitzen irgendwie loswerden.
Sie soll ja nur als Hochpass dienen.
Hab die Geschichte mit den Induktivitäten früher schon immer 
verabscheut...
Wie sollte ich die Spule denn belassen?

Im angehängten Plan ist jetzt der geänderte Plan zu sehen, welchen ich 
mir im Netz:
http://www.joretronik.de/Web_NT_Buch/Kap6/Kapitel6.html
http://www.joretronik.de/Web_NT_Buch/bilder/b6_1_e.gif
abgekupfert habe.
Funktioniert auch alles so weit, jedoch crasht mein MultiSim-Spice 
irgwann. Immer, wenn der Duty Cycle auf ca. 50% runter geht.

Hab versucht die Schose in LTSpice nachzubauen, aber da sitzt man ja 
Jahre dran. Und ich finde bei Mosfets nur einen generischen.


Ich danke euch vorallem erstmal herzlich für die Antworten :-)

: Bearbeitet durch User
von hinz (Gast)


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Marcel H. schrieb:
> Im angehängten Plan ist jetzt der geänderte Plan zu sehen, welchen ich
> mir im Netz:
> http://www.joretronik.de/Web_NT_Buch/Kap6/Kapitel6.html
> http://www.joretronik.de/Web_NT_Buch/bilder/b6_1_e.gif
> abgekupfert habe.

Falsch abgekupfert. Schau dir die Verschaltung von Drossel und Diode 
nochmal genau an.

von hinz (Gast)


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Marcel H. schrieb:
> Hab versucht die Schose in LTSpice nachzubauen, aber da sitzt man ja
> Jahre dran. Und ich finde bei Mosfets nur einen generischen.

RTFM

von Mark S. (voltwide)


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Marcel H. schrieb:
> Hab die Geschichte mit den Induktivitäten früher schon immer
> verabscheut...

Das ist aber eine gaaanz schlechte Voraussetzung für dieses Hobby!

von Matthias S. (Firma: matzetronics) (mschoeldgen)


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C5 muss raus. Der wird nur jedesmal beim Durchschalten des MOSFet 
kurzgeschlossen und hat keine Funktion.

von Matthias S. (Firma: matzetronics) (mschoeldgen)


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Marcel H. schrieb:
> Deswegen dachte ich mir, ich müsse das Generierte Signal invertieren und
> nicht einfach so anbinden.
> Funktioniert in der Simulation soweit auch wie gedacht.

Ja, du invertierst ja auch gar nicht extern. Also alles gut, wie in Fig. 
21 im Onsemi Datenblatt.

von Der Gast hat immer recht! (Mr. Krabs) (Gast)


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Marcel H. schrieb:
> Ich bin ganz neu hier und habe lange gewartet bis ich etwas poste.

Angesichts der Sinnhaftigkeit dieses Satzes, und auch des Schaltplans 
hättest du besser noch ein paar Jahre gewartet...

von MaWin (Gast)


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Marcel H. schrieb:
> Kann mir wohl jemand einen Tipp, Link oder korrigierten Plan geben um
> mich auf den richtigen Weg zu bringen?

Deine Schaltung funktioniert nicht. Schau mal in Figure 21 dieses 
Datenblatts, wie ein step down richtig wäre

http://www.onsemi.com/pub_link/Collateral/TL494-D.PDF

Das geht dank der 47R/150R auch mit einem P-Kanal MOSFET bei 36Vin an 
Stelle des PNP Transistors, und mit höherer Frewuenz, aber ob 150kHz 
gehen ist zweifelhaft. Nur Pin1 müsstest du mit einem Spannungsteiler 
beschalten.

Dein LM324 ist auch zweifelhaft, er hat einen Einfluss auf die 
Phasenstabilität der Schaltung.

von ichbin (Gast)


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Moin

Wofür soll denn R10 sein? An den 100µOhm misst Du bei max 0,5A mit 
herkömmlichen Messgeräten nicht viel mehr als Rauschen.
Und den Shunt R13 halte ich auch für zu klein dimensioniert. Da kommen 
ja auch nicht mehr als 3,7mV zustande. Wie groß ist eigentlich der 
Offset des LM324?

ichbin

von Marcel H. (Firma: Enercon) (legolas136)


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Matthias S. schrieb:
> C5 muss raus. Der wird nur jedesmal beim Durchschalten des MOSFet
> kurzgeschlossen und hat keine Funktion.
Ok, hab ne rausgenommen.

Der Gast hat immer recht! (Mr. Krabs) schrieb:
> Marcel H. schrieb:
>> Ich bin ganz neu hier und habe lange gewartet bis ich etwas poste.
>
> Angesichts der Sinnhaftigkeit dieses Satzes, und auch des Schaltplans
> hättest du besser noch ein paar Jahre gewartet...
Na vielen Dank. Ist das die allgemeine Meinung hier?

MaWin schrieb:
> Das geht dank der 47R/150R auch mit einem P-Kanal MOSFET bei 36Vin an
> Stelle des PNP Transistors, und mit höherer Frewuenz, aber ob 150kHz
> gehen ist zweifelhaft. Nur Pin1 müsstest du mit einem Spannungsteiler
> beschalten.
Pin1 ist mit nem sehr großzügigem Spannungsteiler angebunden. bis zu 42V 
können die Eingänge ab, ziemlich robust find ich.
hab den Plan jetzt dem Beispiel im Onsemi Datenblatt (Fig. 21) 
angepasst. Hab das mit dem Invertieren im meinem Kopf jetzt auch auf die 
Kette bekommen. Vielen Dank für die Geduld..

ichbin schrieb:
> Wofür soll denn R10 sein? An den 100µOhm misst Du bei max 0,5A mit
> herkömmlichen Messgeräten nicht viel mehr als Rauschen.
Ich weiß nicht warum, aber ohne den stürzte die Simulation immer direkt 
ab.
Hab gelesen, das hier und da ein paar "Übergangswiderstände" Wunder 
wirken können bei der Stabilität.

ichbin schrieb:
> Und den Shunt R13 halte ich auch für zu klein dimensioniert. Da kommen
> ja auch nicht mehr als 3,7mV zustande.
Ich las nirgendwo etwas von einer maximalen Stromverträglichkeit. Und 
zudem habe ich seit der Ausbildung nie wieder mit Shunts gearbeitet. 
Dachte, der Shunt könnte dann auch eventuell nicht mehr als 10A ab.

ichbin schrieb:
> Wie groß ist eigentlich der
> Offset des LM324?
Wird komplett ohne Offset betrieben, sollte mir ja nur die Spannung des 
Shunts auf ein gescheites Level verstärken. Habe die Werte da um ehrlich 
zu sein per Try and Error dimensioniert.
Hab den OP rausgenommen und dafür gesorgt, dass 0,5V am Shunt abfallen.


Ich habe alle Vorschläge und Korrekturen umgesetzt und siehe da -> Spice 
stürzt nicht mehr ab.
Komisch. kaum macht mans richtig, schon funktionierts.
Anbei der Plan.

: Bearbeitet durch User
von MaWin (Gast)


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Marcel H. schrieb:
> hab den Plan jetzt dem Beispiel im Onsemi Datenblatt (Fig. 21)
> angepasst.

Gut.

Das ist nun die Prinzipschaltung. Dank ychneller schaltendem MOSFET darf 
man nun mit der Frewuenz raufgehen und eine kleinere Spule und kleineten 
Ausgangselko verwenden, denn 1mH/10mF sind heftig. Der Elko muss den 
Ripplestrom aushalten.
In der Realität wird sich zeigen, wie gut er regelt. Ansonsten sind 
Kompensationskondensatoren an den Spannungsteilern nötig. Auch wird sich 
zeigen, wie weit Störspitzen die Bauteile gefährden, eventuell ist eine 
ZD18 am Gate des MOSFETs nötig oder ein Gatetreiber.

von Marcel H. (Firma: Enercon) (legolas136)


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MaWin schrieb:
> denn 1mH/10mF sind heftig

10 mF, da ich zuerst hoch hinaus, und das Ganze auf 1kW auslegen wollte 
:D

MaWin schrieb:
> Ansonsten sind
> Kompensationskondensatoren an den Spannungsteilern nötig

Damit die Regelung stabiler wird, nehme ich an?


Ich bin euch wirklich sehr dankbar, dass ihr mich auf den richtigen Weg 
gebracht habt und nicht gleich an die Wand stellt. Einiges, was man hier 
im Forum liest, man einem wirklich Angst eine Frage zu stellen...

: Bearbeitet durch User
von Der Gast hat immer recht! (Mr. Krabs) (Gast)


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Marcel H. schrieb:
>> hättest du besser noch ein paar Jahre gewartet...
> Na vielen Dank. Ist das die allgemeine Meinung hier?

Ja, aber sie trauen sich nur nicht, dir das so klar zu sagen.

Der Schaltplan hat vier, fünf gröbste Schnitzer drin. Das funktioniert 
so nie im Leben. Bevor du Schaltregler angehst, informiere dich doch 
bitte erst mal über deren grundsätzliche Funktionsweise. Wenn du das mal 
so weit drin hast, beginnen erst die eigentlichen Probleme.

Am schnellsten und einfachsten lernen kannst du wahrschinlich mit einem 
step-up, den du zunächst ohne Regelschleife baust, also nur mit 
einstellbarem Tastverhältnis. Oszi dran, und du lernst mehr als dir hier 
hundert Mann schreiben können.

von Der Gast hat immer recht! (Mr. Krabs) (Gast)


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...bei dem ungeregelten step-up natürlich nie die Last vergessen...

von Marcel H. (Firma: Enercon) (legolas136)


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Der Gast hat immer recht! (Mr. Krabs) schrieb:
> Der Schaltplan hat vier, fünf gröbste Schnitzer drin.

Und wo zum Beispiel?

von Der Gast hat immer recht! (Mr. Krabs) (Gast)


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Die groben Dinger:

-Kein Eingangskondensator
-S1 wird viel zu langsam, und auch falsch angesteuert
-D5 muss einseitig nach Masse, nicht über die Drossel
-D5 ist für den Kurzschlussfall unterdimensioniert, hierbei trägt sie je 
nach Qualität der Drossel bis zu 10A.
-keine Abblockkondis über den ICs


Kleinere Sachen:

-der LM324 sollte ganz raus, der T494 kann die 75mV problemlos 
handhaben.
Wäre sonst insgesamt langsamer, und lässt so wie abgebildet auch nur ca. 
4A zu.
-C3 ist viel zu groß
-R6 ist zu klein, die Ausgangsspannung lässt sich dabei nicht mehr auf 
null zurückregeln, und ist bei Belastung schwammig. An seine Stelle 
gehört ein RC-Netzwerk.
-Taktfrequenz ist für die Leistung und den alten IC viel zu hoch, 
probiere mal 20KHz.
-S2 hat da nichts zu suchen
-R3 hat mit einer Feineinstellung nichts zu tun, das ist 
Gröbsteinstellung
-Kondi ca. 100nF zwischen Ref und Gnd
-den Spannungsteiler unterhalb Vsense nur aus Festwiderständen bauen

von Telefonbuch Hamburg (Gast)


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Marcel, schau, es ist so:

Man kann auch mit wenig bis gar keinen Kenntnissen in einem beliebigen 
Forum einsteigen - die Leute werden trotzdem helfen.

Allerdings hast Du die Beschreibung Deiner Unkenntnis, gebunden an die 
Bitte um Nachsicht, sowie Hinweise auf Befürchtungen in Richtung (laut 
Dir) stark übertriebener Kritik -  1. mehrfach (praktisch andauernd), 
und 2. immer wieder mehr als überdeutlich machend, wiederholt.

Du übertreibst also sozusagen (aus der Sicht eines "Hunderudels", 
metaphorisch gesehen) Deine "Unterwürfigkeitsbezeugungen" viel, viel zu 
sehr... So lockst Du aus den Leuten eher schon mal Mißmut heraus - und 
nicht mehr nur Wohlwollen. Und erreichst somit irgendwann (wenn Du so 
weitermachst) exakt den von Dir "prophezeiten" Grad an Kritik.

Willst Du das? Ich denke sehr nüchtern, und habe weder Mitleid, noch 
Abscheu, noch... wasweißich, wegen dem bißchen Geschreibsel. Soll 
heißen, ich bin weder Dein Kritiker noch Dein Verteidiger - es gab ja 
noch gar keinen echten Diskussionsstoff (keinen fachlichen, und woanders 
steige ich gar nicht ein), und ich "fühle mich nicht involviert".

Aber:

Was zum Teufel hat Dich am Schluß noch dazu bewogen, das hier

Marcel H. schrieb:
> Der Gast hat immer recht! (Mr. Krabs) schrieb:
>> Der Schaltplan hat vier, fünf gröbste Schnitzer drin.
>
> Und wo zum Beispiel?

ernsthaft fragen zu wollen???

Hättest Du gefragt: "Kannst Du mir bitte einige oder alle 
aufzählen/beschreiben?" - hätte gepaßt, kein Problem. Aber das?

Ja, willst Du denn unbedingt provozieren, oder dachtest Du tatsächlich 
trotz aller vorheriger Antworten, Dein Schaltplan enthielte keine 
(oder zumindest fast keine) Fehler???

Bin gespannt...

von Marcel H. (Firma: Enercon) (legolas136)


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@ Der Gast hat immer recht! (Mr. Krabs)

Du beziehst deine Angaben, glaube ich, alle auf den ersten hochgeladenen 
Schaltplan.

Im Post: 
Beitrag "Re: Schaltnetzteil m. TL494 - Frage zu Mosfet (und Treiber)"
wurden bereits einige Änderungen vorgenommen.
Wahr

Zu den Punkten:

Der Gast hat immer recht! (Mr. Krabs) schrieb:
> -Kein Eingangskondensator

Die Spannungsversorgung ist (wie im Plan vermerkt) nur eine 
Ersatzquelle. Die eigentliche, befindet sich auf einer anderen Seite.

Der Gast hat immer recht! (Mr. Krabs) schrieb:
> -Kondi ca. 100nF zwischen Ref und Gnd

Wird gemacht.

Der Gast hat immer recht! (Mr. Krabs) schrieb:
> -den Spannungsteiler unterhalb Vsense nur aus Festwiderständen bauen

Ich habe viele Widerstände als virtuelle Potis realisiert um testen zu 
können.

Der Gast hat immer recht! (Mr. Krabs) schrieb:
> -Taktfrequenz ist für die Leistung und den alten IC viel zu hoch,
> probiere mal 20KHz.

Der IC kann bis 300kHz laut Datenblatt...


Ich freue mich, wenn mir geholfen wird, und möchte ungern Diskussionen 
auf persönlicher Ebene führen.
Und ja, ich ordne mich unter. Weil wahrscheinlich die meisten, die mir 
geantwortet haben einfach ne RIESENecke mehr Erfahrung haben.
Ist ja auch nicht üblich beim Meister in der Ausbildung klugscheißen zu 
wollen.

: Bearbeitet durch User
von Matthias S. (Firma: matzetronics) (mschoeldgen)


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Marcel H. schrieb:
> Der IC kann bis 300kHz laut Datenblatt...

Die ich nicht ausreizen würde, denn die Schaltflanken werden dadurch 
sicher nicht steiler.
Sinnvoll ist ein Kompromiss zwischen Grösse der Speicherdrossel und 
Schaltverlusten im MOSFet. 100kHz sind mMn eher die obere Grenze - 40kHz 
ist der Standard bei den ATX Dingerchen mit TL494/KA7500 und wimre sind 
da etwa 220-330µH bei der Speicherdrossel fällig.
Das kriegt man so eben noch mit massivem CuL Draht hin und profitiert 
von geringen MOSFet Verlusten - das dumme ist ja, das hier ein P-Kanal 
tätig ist mit den etwas schlechteren Eigenschaften gegenüber den 
N-Kanalern.

: Bearbeitet durch User
von Marcel H. (Firma: Enercon) (legolas136)


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Matthias S. schrieb:
> Die ich nicht ausreizen würde, denn die Schaltflanken werden dadurch
> sicher nicht steiler.

ich dachte so an 100 kHz. aber ist ja auch schnell geändert

Matthias S. schrieb:
> sind
> da etwa 220-330µH bei der Speicherdrossel fällig.

Vielen Dank.
Wie komme ich auf den Wert?

Matthias S. schrieb:
> das dumme ist ja, das hier ein P-Kanal
> tätig ist mit den etwas schlechteren Eigenschaften gegenüber den
> N-Kanalern.

Einen N-Kanal müsste ich dann quasi ans Ende des Strompfades, also vor 
die Masse legen und mit positiven Signalen anstelle der Masse 
durchschalten, oder? (Treiber notwenig, da IC das nicht packt)

von Matthias S. (Firma: matzetronics) (mschoeldgen)


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Marcel H. schrieb:
> Matthias S. schrieb:
>> sind
>> da etwa 220-330µH bei der Speicherdrossel fällig.
>
> Vielen Dank.
> Wie komme ich auf den Wert?

Gute Frage. Ich schau mir an, was die anderen nehmen und kupfer das dann 
ab. Der Wert oben z.B. kommt aus der Applikation des MC34063 bei etwa 
40kHz.

Marcel H. schrieb:
> Einen N-Kanal müsste ich dann quasi ans Ende des Strompfades, also vor
> die Masse legen und mit positiven Signalen anstelle der Masse
> durchschalten, oder? (Treiber notwenig, da IC das nicht packt)

So isses. Das macht die klassische Push-Pull Konfiguration meistens, 
wenn 2 dicke MOSFet einen Wandlertrafo o.ä. antreiben. (Car-Booster, ATX 
Netzteil usw.)

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