RadonDetektor schrieb:
> Anscheinend kann man also den Fet auch noch um Ug = 0V noch symmetrisch
> ansteuern.
Natürlich.
Die JFETs werden gewöhnlich ja auch so betrieben, und die in den
Datenblättern genannten Kennwerte für I_d oder R_on beziehen sich
meistens darauf.
Im Übrigen sind JFETs sehr gut modelliert. In den alten
Siliconix-Unterlagen, noch bevor überall Comuter herumstanden, findet
man schon die entsprechenden Gleichungen.
Normalerweise werden sie aber nicht mit in der Luft hängendem Gate
betrieben, weil es eine Ewigkeit dauern kann, bis sich ein durch
Influenz oder Selbstgleichrichtung (Übersteuerung) aufgeladenes Gate
wieder so weit entladen hat, dass der Transistor wieder normal
funktioniert.
(Teure) Ableitwiderstände von 100 GOhm oder mehr können in
Elektrometerverstärkern aber durchaus vorkommen.
Sauberkeit ist dabei ganz wichtig, sonst kann man das Messen
entsprechend geringer Ströme gleich vergessen.
Auch wird bei solch hochohmigen Schaltungen niemand auf die Idee kommen
das Gate oder die Widerstände auf einer Platine anzulöten. Dafür gibt es
Lötstützpunkte mit PTFE-Isolation.
Wenn ich mich recht erinnere ist der 2N4416, ebenso wie der BF245 und
dessen SMD-Nachfolger, ein symmetrischer JFET. Das fällt in den
Datenblättern oft unter den Tisch, und ist der symmetrischen
Konstruktion geschuldet, aber es bedeutet, dass du völlig ungestraft D
und S vertauschen darfst ;-)
Es bedeutet auch, dass die G-D Diode die gleiche Kennlinie hat, wie die
G-S Diode...
P.S.:
Ich sehe gerade im Datenbuch, dass der 2N4416 doch nicht ganz
symmetrisch ist.
Aber der BF245 ist es. Definitiv.
Um noch mal zur Frage zu kommen:
RadonDetektor schrieb:
> Wie verhält sich ein jFet mit leicht positiver Gatespannung (von 0 bis
> z.B. 10 mv?)
Genau wie bei 0V, d.h. weitgehend linear.
