Gast
#4646272
Hallo, ich bin gerade dabei eine Transimpendanzverstärker-Schaltung für hohe Frequenzen (100MHz) zu layouten. Ich habe am Opamp um den -In einen Guard-Ring vorgesehen, welcher mit +In Verbunden ist. Im Bereich des Guard-Rings ist kein Gnd-Layer vorhanden. Jetzt meine Frage: Ist es besser die Zuleitung von der Photodiode zum negativen Eingang mit einem Gnd-Layer zu umschließen oder ist es besser das Gnd-Layer dort auszusparen. Der Vorteil des Gnd-Layers wäre ja eine Schirmung des Signals, der Nachteil die Kapazität. Bin mir etwas unschlüssig welcher Effekt hier der stärkere ist. vielen Dank schon mal
