Hallo, ich möchte über einen µC und PCF8574 einen IRF5210 ansteuern (PWM). Um die Ausgänge des PCF8574 zu schützen soll als Treiber ein ULN2803A eingesetzt werden. Mir wurde von verschiedenen Seiten gesagt, das man bei der Ansteuerung des MOSFET einen Gatewiderstand verwenden soll, manche sagen sogar zusätzlich einen Widerstand von Gate nach Masse um ganz sicher zu gehen. Mich würde nun einfach interessieren wie ich die Widerstandswerte in meiner Schaltung zu dimensionieren habe. R1 ist der Pullup wegen der Open-Kollektor Ausgänge des ULN - nebenbei wird durch den ULN die Schaltungslogik wieder "richtigherum" gedreht (wegen des P-MOSFET hab ich ja negierte Schaltzustände). Als grundsätzliche Frage: Ist meine Schaltung so richtig? Brauche ich bei einem ULN2803 unbedingt noch den Spannungsteiler R2/R3 bzw. nur den Gatevorwiderstand? Welche Widerstandswerte für R1 bis R3 muss ich verwenden (5V Betriebsspannung) ? Der P-Channel MOSFET ist notwendig, da meine Lasten (R4) eine gemeinsame Masse haben.
Nimm bitte keinen 8574 sondern irgendein Schieberegister, was mA-Ströme als 'sink' und 'source' liefern kann: 4094, 40HC94, 74HC595, ... Dann brauchst Du auch keinen ULNxxxx mehr, sondern nur einen Widerstand vom Gate nach Source (Vcc) damit der Transistor ohne aktive Ansteuerung gesperrt bleibt.
Hallo Michael, Vorteil beim TWI/I2C wäre das ich die meiste Arbeit hardwäremäßig durch den µC erledigen könnte. Ich möchte insgesamt 24 Ports ansteuern mit 3x PCF8574 (oder auch mit Schieberegister...) Ich habe mir mal das Datenblatt der 74HC Familie angeschaut, in der Tat sind die Ströme wesentlich höher und auch die Frequenzen höher als beim I2C Standard. Hört sich alles nicht schlecht an, laß ich mir mal durch den Kopf gehen... Und ich brauche keinen Gatevorwiderstand (möchte ja mit PWM schalten...) ???
Wenn Du PWM vorhast, dann richte Dich darauf ein, daß sie nicht sonderlich schnell sein kann. Allen Unkenrufen zum Trotz, brauchst Du keinen Gatevorwiderstand. Die CMOS/HCMOS Ausgänge haben ihren eigenen Innenwiderstand.
Nein, das die Frequenz bei 24 Ausgängen relativ niedrig sein wird ist klar. Komme aber damit zurecht... Ich danke dir für deine Antworten.
Hallo, um welche Frequenz handelt es sich denn? Wir setzen bei uns in der Firma immer 100R ein um das Gate zu schützen. Allerdings solltest Du das Gate mit Zenerdioden vor Überspannung schützen. Darauf reagieren sie meist mit Ausfall.
>> Wir setzen bei uns in der Firma immer 100R ein um das Gate zu
schützen.
Wovor soll denn das Gate geschützt werden, vor 5V, vor 50mA ?
Hallo, effektiv nicht größer als 1kHz (8bit, 24 Kanäle, 8MHz µC Frequenz). Aber mit großer Wahrscheinlichkeit kann ich auch PNP-Bipolartransistoren (z.B. BD140) einsetzen, also hat sich die Frage nach einem Gatewiderstand quasi erledigt. @Jürgen: Ich dachte immer mit dem Widerstand schützt man den Ansteuerausgang und nicht das Gate - wegen der Umladung der Gatekapazität. Aber ich denke mal bei meinen geplanten PWM-Frequenzen wäre das sowieso nicht nötig.
man schützt auch den ausgang, beim umladen können ströme bis 100 mA und mehr fließen. die meisten treiber halten das auch kurzzeitig (einzelne spitzen - wie beim umladen eines kondensators) aus. es geht darum den strom den der ausgang liefern muss zu begrenzen.
Hi,
die Last an Source halte ich für problematisch.
Beim Durchschalten fällt an RL fast Ub ab, dh du brauchst am Gate Ub +
>4V (zumindest beim Buz10, vielleicht beim IRF weniger,
ausprobieren...), auf jeden Fall mehr als Ub, und dann klappt das so
nicht.
Sinnvoller wäre es die Last an Drain zu klemmen.
Die R´s ( wie in der Skizze):
Einer von Gate an Masse - ca. 100kOhm (statische
Einer seriell davor - 100Ohm ... 2k, kann aber erstmal entfallen,
reiner Schtuzwiderstand, damit beim Einschalten über die Gate Source
Kapazität der Strom begrenzt wird.
Überdenke bitte mal die Position von RL.
lg Ralf
Hallo Ralf, die Last ist an Drain, der MOSFET ist spiegelverkehrt eingezeichnet :-)
Wie spiegelverkehrt? Dieser p-kanal ist richtig eingezeichnet. Ich würde für R2 (am gate und controller-pin) ca. 100R wählen. Dann schaltet ein P-kanal durch, wenn UGs < Uth ist. D.h. wenn an einer Schaltung der ausgang von deinem treiber-ding kein (also high-z) signal anliegt, dann schaltet der fet durch. (also wie micheal schon gesagt hat einen widerstand zwischen gate und source (vcc))
Hi, schau nochmal genau hin :-) Drain ist "unten", Source "oben" - und die Diode verläuft von Drain nach Source in Durchlaßrichtung...
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