Hallo zusammen, ich habe ein (möglicherweise mehrere) Verständnisprobleme betreffend der Datenblätter von MOSFETs. In den Absolute Maximum Ratings ist meistens ein Wert Vgs max. aufgeführt. Was der Wert aussagt ist oft nachzulesen, es geht einfach darum, dass zwischen Gate und Source nicht mehr Spannung anliegen darf, da sonst Beschädigungen des Bauteils zu erwarten sind. Jetzt ist es aber so, dass dort der Wert immer (?) als +/- Wert angegeben wird. Oft sind das +/- 20V, jetzt weiß ich damit aber nichts anzufangen... Bedeutet das zwischen Source und Gate darf ein maximaler Potentialunterschied von 40V anliegen oder bedeutet es, dass die Spannung niemals mehr als +20V und - 20V sein darf? Hintergrund ist folgender: Ich habe für ein Projekt eine kleine Mosfet-Schaltung gebaut, die ich an 24V schalte. Das bedeutet am Gate des Mosfets liegen eimal 24V und 0V (PWM) an. Source liegt auf Masse. Das ist im schlimmsten Fall also eine Vgs von 24V. Funktionieren tut das und zwar wohl ewig aber... ist es richtig das so zu machen? Gibt es vielleicht einen Trick wie ich das richtig mache?
Rattenkind schrieb: > Oft sind das +/- 20V, jetzt weiß ich damit aber nichts anzufangen... > Bedeutet das zwischen Source und Gate darf Nein, es dürfen zwischen Source und Gate maximal +20V oder -20V anliegen. Du darfst also bestenfalls eine 20V-Batterie einmal mit dem Minuspol an die Source oder mit dem Minuspol ans Gate anschließen. Rattenkind schrieb: > Ich habe für ein Projekt eine kleine Mosfet-Schaltung gebaut, die ich an > 24V schalte. Das bedeutet am Gate des Mosfets liegen eimal 24V und 0V > (PWM) an. Source liegt auf Masse. Du wirst also die Ugsmax um +4V überschreiten. Rattenkind schrieb: > ist es richtig das so zu machen? Gibt es vielleicht einen Trick wie ich > das richtig mache? Nimm eine Z-Diode, die die Ugs begrenzt. In etwa so wie dort die dritte Variante der Verpolschutzschaltung: http://www.lothar-miller.de/s9y/categories/39-Verpolschutz
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Rattenkind schrieb: > ist es richtig das so zu machen? Nein, denn du überschreitest die maximal zulässigen Parameter. >Gibt es vielleicht einen Trick wie ich das richtig mache? Der "Trick" ist, die maximal zulässigen Parameter nicht zu überschreiten.
Zwischen Gate und Source dürfen maximal +20V oder -20V Spannung anliegen. Deine 24V sind zu viel. Es besteht dann die Gefahr, dass die Oxidschicht zwischen Gate und Source durchbricht. Ein Durchbruch ist ein nicht reversibler Vorgang der den Mosfet zerstört.
Rattenkind schrieb: > Das bedeutet am Gate des Mosfets liegen eimal 24V und 0V (PWM) an. > Source liegt auf Masse. Eine einfache Möglichkeit wäre z.B. ein Spannungsteiler, der die 0/24V auf 0/12V halbiert. Das kommt jetzt aber auf die PWM-Frequenz und die Quelle an. BTW: man rechnet nicht mit Werten aus dem Datenblatt-Abschnitt "Absolute Maximum Ratings", sondern man bleibt möglichst weit davon weg...
Also so? Bitte nicht auf die Bauteile achten, ich hab nur irgend welche reingeklickt um die Verläufe sehen zu können.
Rattenkind schrieb: > Also so? Um Himmels Willen, nein! R2, R5 und R6 haben da nichts zu suchen. Und die Z-Diode D1 gehört vor die Treiberstufe aus Q1 und Q3. Sprich: an den Kollektor von Q2.
Rattenkind schrieb: > Also so? Wenn du eh' schon die Kompelemtärtreiberstufe mit Emitterfolgern hast, dann musst du nur die Eingangsspannung dieser Treiberstufe begrenzen. Also einfach parallel zur Q2 CE-Strecke einen 12k Widerstand (oder die eben erwähnte Z-Diode dorthin). Und das ganze andere Gebastel raus... > Bitte nicht auf die Bauteile achten Die Gatewiderstände mit 600 Ohm wären mir viel zu hochohmig.
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Okay, vielen Dank, soweit schon einmal. Ich schreibe vermutlich dummes Zeug, wenn ich jetzt versuche zu beschreiben, was ich mir gedacht hatte... aber ich machs trotzdem mal... Ich sehe dass es funktioniert, nur hat Q3 jetzt einen kurzzeitigen Basisstrom von knappen 40mA und ohne R2 und R3 werden beide Treiber-Transistoren theoretisch ebenfalls für sehr kurze Zeit überlastet. Ich hatte den Basiswiderstand für Q3 extra gesetzt um den Basisstrom zu begrenzen, genau wie R2 und R3 um zu verhindern, dass bei 24V zu hohe Ströme über die Transistoren kommen. Ich weiß, dass Treiber im allgemeinen ohne diese Widerstände ausgeführt werden, nur... woher weiß ich, dass meine Transistoren das mitmachen? Ich war wohl erheblich zu konservativ.
Rattenkind schrieb: > Ich weiß, dass Treiber im allgemeinen ohne diese Widerstände ausgeführt > werden, nur... woher weiß ich, dass meine Transistoren das mitmachen? Es ist eigentlich recht simpel: wenn deine Treiberstufe die nötige Leistung zum Umladen des Gates nicht bringen kann, ist sie unterdimensioniert. > woher weiß ich, dass meine Transistoren das mitmachen? Du kannst dir die Verlustleistung in der Simulation ausrechnen lassen...
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