Hallo Experten, ich schreibe an der Software zur Konfiguration eines SDRAM Chips und mir ist im Datenblatt des uC eine Bezeichnung aufgefallen die ich nicht einordnen kann. Es wird eine Konfiguration für "Low Drive" und "High Drive" angeboten und mir ist unklar was dem SDRAM Controller (K4S560832H-UC75) entspricht. Der Anhang zeigt einen Ausschnitt aus dem Datenblatt des uC (AT91SAM9XE512) mit der entsprechenden Passage aus dem Kapitel des 'External Bus Interface' des uC. Könnte mir das jemand erläutern? Grüße, ET
Damit kann man den Ausgangswiderstand einstellen. Zu klein, und die Flanken sind nicht steil genug, und hochfrequente Signale kommen nicht mehr durch. Zu groß, und du bekommst Überschwinger. Die Eingänge eines K4S560832H haben laut Datenblatt eine typische Kapazität von 2.5 pF. Dann musst du alle SRAM-Chips am Bus zusammenzählen und die parasitären Kapazitäten der Leitungen addieren.
Clemens L. schrieb: > Zu groß, und du bekommst Überschwinger. Oder EMV-Probleme. Mit LOW testen, messen, auch bei HT und TT. Wenn's Fehler gibt, auf die höhere Stärke gehen.
Clemens L. schrieb: > Damit kann man den Ausgangswiderstand einstellen. Zu klein, und > die > Flanken sind nicht steil genug, und hochfrequente Signale kommen nicht > mehr durch. Zu groß, und du bekommst Überschwinger. Modelliere ich den Ausgang eines Pins nicht durch eine Spannungsquelle mit RC-Glied? Daraus würde ich aus der Zeitkonstante
genau das Gegenteil folgern, dass nämlich die Flanken für kleine R steil sind. Und der Abfall im Bodeplot des RC-Tiefpasses erfolgt erst für
d.h. hohe Frequenzen freuen sich über kleines R. Oder liege ich hier falsch? Gruß
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