Hi Leute, was für eine Induktivität nimmt man typisch für einen Turn On Snubber über einem MOSFET? Eine Speicherinduktivität oder eine Funkentstörende? Zur Info Mein FET wird Lowside angesteuert und schließt mit max. 5kHz eine Stromquelle (keine Spannungsquelle!) kurz. THX
Wumps schrieb: > was für eine Induktivität nimmt man typisch für einen Turn On Snubber TRIAC Entstördrossel.
MaWin schrieb: > TRIAC Entstördrossel. Sind das einfache Eisenkerne, die schnell in Sättigung gehen?
Könnte ich da sonst auch Ferrite nehmen - also Leistungsferrite für Leiterplattenbestückung? Ich muss parasitäre Kapazitäten (~2µF @ 40V) "Wegfiltern" wenn ich den FET bepulse. Nennstrom der Quelle wäre 3A. Leider ist da nicht mehr all zu viel Platz auf der Leiterplatte übrig.
Wumps schrieb: > Sind das einfache Eisenkerne Eisenpulver mit distributed air gap, so weit ich weiss.
Genauere Beschreibung und Schaltplan auch möglich? Bis jetzt planst Du evtl. was ganz anderes als MaWin (untersch. Typ und Verschaltung). Ich vermute, Du recherchierst, wieso das so ist. Wenn ja - gut. Aber mehr Daten hülfen, um via Forum auch weiterzukommen. (Und natürlich fände ich es interessant.)
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