Hallo allerseits,
ich befasse mich gerade mit Klasse F-Verstärkern. Dazu habe ich eine
Frage. Ich habe leider in sämtlichen mir zur Verfügung stehenden IEEE
Papers und Büchern keine brauchbare Antwort gefunden.
Angenommen, man hat einen idealen Klasse F-Verstärker, dann ist doch die
Spannung am Drain des Transistors rechteckförmig mit Amplitude Vdd.
Anhand der Fourierreihe findet man, dass die Amplitude der Grundwelle
somit um Faktor 4/pi grösser ist:
Da dies die Amplitude einer Sinusschwingung ist (Grundschwingung), kann
man den Effektivwert zu
angeben. Die Leistung, welche an die Last abgegeben wird, ist dann
wobei Z die Impedanz ist, die der Transistor an seinem Drain sieht.
Richtig? Das kann ich doch jetzt nach Z umstellen
und wenn ich somit eine gewünschte Leistung P an meine 50 Ohm Last
abgeben möchte, muss der Transistor die Impedanz Z sehen, d.h. man muss
eine Impedanzanpassung von 50 Ohm auf Z vornehmen.
Kann man das so machen, oder habe ich da einen Denkfehler drin?
Grüsse
Tobias
Tobias P. schrieb:> d.h. man muss> eine Impedanzanpassung von 50 Ohm auf Z vornehmen.>> Kann man das so machen,
Das macht man bei Endstufen in erster Näherung sogar fast immer so.
Das Problem ist die vom Filter reflektierte Leistung, -im Idealfall nur
Oberwellen-, und die Phasenlage der zugehörigen Ströme.
Das führt jedenfalls zu einem völlig unterschiedlichen Verlauf von Strom
und Spannung am Ausgangstransistor.
Hallo,
oh das überrascht mich sehr, das ist ja fast zu einfach um wahr zu
sein. Denn bei den üblichen Kleinsignalverstärkern bricht man sich ja
zum Teil fast einen ab, um S22 zu matchen, und so wie es hier aussieht,
kann ich ja mein Z22 einfach 'wählen'. Erstaunlich!
Ist der Royer Converter ein Klasse F Amp?
Tobias P. schrieb:> [...] bricht man sich ja zum Teil fast einen ab, um S22 zu matchen, [...]
Meinst du etwa
> d.h. man muss eine Impedanzanpassung von 50 Ohm auf Z vornehmen
bedeutet was völlig anderes? Du baust damit ein Netzwerk, sodass die
50-Ohm-Last eine Quelle mit 50 Ohm Innenwiderstand sieht, also ein
Netzwerk, das S22 zu Null macht.
Oder anders gesagt: Ja, du kannst dein "Z22 einfach wählen", wenn du ein
Netzwerk nachschaltest, welches "eine Impedanzanpassung von 50 Ohm auf Z
vornimmt".
Hallo,
bin immer noch mit dem Klasse F Verstärker befasst. Hier ist ein
interessanter Artikel
http://www.highfrequencyelectronics.com/May11/HFE0511_Grebennikov.pdf
habe mir mal zwei Stück von dem dort benutzten CGH40010 FET besorgt. Die
Anpassung am Eingang ist mir völlig klar, wie die Funktioniert. In
Gleichung 6 berechnet der Autor die Impedanz Znet am Drain, mit diesem
Loading Network. Ich versthe noch immer nicht genau, wie man darauf
kommt :-) muss Znet an den FET angepasst werden, oder wird Znet so
gewählt, dass mit der Betriebsspannung und angenommener Rechteckförmiger
Drainspannung die gewünschte Ausgangsleistung erzielt wird?
Hallo Tobias,
der verlinkte Artikel ist klasse!
Ich bin derzeit an meiner Master Arbeit und soll einen Continuous
Inverse Class F Verstärker entwerfen und bauen (im ISM Band), zur
Verfügung steht mir der CGH40010 von Cree/Wolfspeed.
Ich habe da ein gewisses Problem mit deiner Aussage über die
rechteckförmige Drain-Spannung. In allen Papers konnte ich hierzu nichts
derartiges finden. Selbst im verlinken Artikel wird in Figure 1 eine
Gleichspannung dargestellt (Vdd mit den 28 V).
Bei meinen Recherchen wird auch immer von DC-Speisung mittels Bias-Tee
gesprochen.
Rechteckig wird diese doch eher durch den Schaltvorgang.
Zu deiner Frage mit Znet:
Dieses wird nicht designt um eine Anpassung zum Reflexionsfaktors des
Transistors zu haben, sondern um eine Terminierung/Durchgang bei den
Harmonischen zu erzeugen. Siehe dazu die Frequenzabhängigkeit(ideal) in
Figure 5.
Wie er genau auf diese Formel gekommen ist, kann ich leider nicht
nachvollziehen.
Würde mich freuen, wenn du weitere Updates zu deinem Projekt posten
würdest.
Alexander K. schrieb:> Ich bin derzeit an meiner Master Arbeit und soll einen Continuous> Inverse Class F Verstärker entwerfen und bauen (im ISM Band), zur> Verfügung steht mir der CGH40010 von Cree/Wolfspeed.
Yo, geht mir genauso, habe einen Frequenzsynthesizer entworfen und
gebaut und da soll noch eine 10W Endstufe dazu. Für den Anfang würde ich
mich auch mit 5W oder so begnügen.
Wegen der Rechteckförmigen Drainspannung: meiner Meinung nach wird diese
automatisch zum Rechteck, wenn der Transistor als Schalter betrieben
wird. Was ja eigentlich auch die Idee ist hinter Klasse F. Um dem
Transistor beim Umschalten zu 'helfen', versucht man die Drainspannung
möglichst rechteckig zu bekommen.
(Bei Klasse E besteht sie ja aus einzelnen Sinusbögen, der Trick ist da,
dass die Spannung aufgrund des Einschwingvorgangs beim Schalten selber
wieder zu 0 abklingt, bevor der Transistor wieder schaltet.)
So habe ich das jedenfalls verstanden.
In welchem ISM-Band bist du unterwegs?
Tobias P. schrieb:> In welchem ISM-Band bist du unterwegs?
Ich soll den Verstärker um 2.45 Ghz entwerfen.
Wieso hast du dich für Klasse F entschieden? Gehts um möglicht große
PAE? Klasse A wäre doch sicherlich einfacher zu realisieren.
Tobias P. schrieb:> Mouser hat ihn, ich glaube für um die 50$.
Vielen lieben Dank.
Da muss ein kleiner Hüpfer wie ich lange für sparen. Ich werde erst mal
diesem interessanten Thread nur weiter zusehen...
Alexander K. schrieb:> Tobias P. schrieb:>> In welchem ISM-Band bist du unterwegs?>> Ich soll den Verstärker um 2.45 Ghz entwerfen.>> Wieso hast du dich für Klasse F entschieden? Gehts um möglicht große> PAE? Klasse A wäre doch sicherlich einfacher zu realisieren.
Ich habe ein frequenzmoduliertes CW-Signal und will eine gute PAE
erreichen, daher dachte ich Klasse F wäre ganz gut dafür ;-)
Ich habe mich mal durch das PDF Script gekämpft. Der erreichte
Wirkungsgrad ist aber verdammt nah an Class B. Ein Wirkungsgrad über 95%
wär mir lieber. Nicht wegen Energiesparen sondern wegen Wärmeeintrag und
Kühlung...
Habt ihr Praktiker aus der ersten Reihe schon was neues? Ich warte
gespannt und drücke Daumen ;-)
Bei meinen Tests in F- Konfiguration kam heraus, dass 95 %
Gesamtwirkungsgrad utopisch sind; am Transistor allein konnte ich das
erreichen.
Aber: ich hatte gerade mal ein Zehntel deiner Arbeitsfrequenz, bei 2,4
GHz hätte ich die Parasiten nicht gut genug in den Griff bekommen.
73
Bernhard
Kleiner Hüpfer schrieb:> Ich habe mich mal durch das PDF Script gekämpft. Der erreichte> Wirkungsgrad ist aber verdammt nah an Class B. Ein Wirkungsgrad über 95%> wär mir lieber. Nicht wegen Energiesparen sondern wegen Wärmeeintrag und> Kühlung...
Also selbst 85% werden in der Praxis nicht erreicht, 95% ist völlig
unrealistisch. Ein Transistor im Class B Betrieb erreicht theoretisch
ein max. von 78.5%, dies ist aber in der Praxis genauso realistisch wie
die 100% des Class F :)
Ich werde hier meine Ergebnisse Posten, wenn ich denn soweit bin, dass
ich den Verstärker aufgebaut habe.
Hi,
besser spät als nie :)
Mein aufgebauter Verstärker (mit CGH40010 bei 2.45 GHz) erreicht 73.3%
Effizienz (71.14% PAE), bei einer Eingangsleistung von 25 dBm und
Augangsleistung von 40.3 dBm :)
Verwendet habe ich als Grundlage:
https://www.highfrequencyelectronics.com/May11/HFE0511_Grebennikov.pdf
mit dem inversen Klasse-F mit Transmission Lines.
Hallo Tobias,
ich hatte ja auch ziemlich mit dem HEMT zu kämpfen :)
Hier der Aufbau mit Microstrip in AWR: https://i.imgur.com/BpYk4wH.png
Grün ist die Simulation des Package, Orange der Nachbau aus dem Paper,
Blau die Anpassung (die ist ganz besonders wichtig für den Gain!) und
als RFC habe ich ein L genommen.
Hier der simulierte Gain und PAE: https://i.imgur.com/I1gsrJ1.png
Simulation im Zeitbereich: https://i.imgur.com/5MthtiP.png
Gemessene Gain(rechts): https://i.imgur.com/xSYsugv.png
Gemessene PAE (rechts): https://i.imgur.com/jSDapZ3.png
Foto von Aufbau: https://i.imgur.com/oJtA3Pp.jpg
Ich habe noch zwei weitere Verstärker gebaut, den Klasse-F nach
Grabennikov und einen nach http://ieeexplore.ieee.org/document/1629038/
Alle drei funktionieren mehr oder weniger gleich.
Gemessen habe ich über einen R&S Spektrumanalysator, Funktionsgenerator
(auch R&S) gibts 25 dBm aus, die Strecke + Dämpfungsglied habe ich
vorher natürlich ordentlich durchgemessen :)
Verbesserungen können aber noch viele dran erfolgen, zum einen den RFC
als radial stub + lambda/4, Anpassung der harmonischen nach Load Pull im
Source, Analyse am Netzwerkanalysator etc.
Edit:
Zur Anpassung: ohne die keine Verstärkung, deshalb nochmal S11 im Smith
und S11/S21 im Rect.
Smith Chart: https://i.imgur.com/4ZwJyq7.png
S-Parameter: https://i.imgur.com/Us9kHqP.png