Boris O. schrieb:
> Ich erinnere mich dunkel, dass einige MOSFET-Gehäuse den Strom so bei
> 175A begrenzen – nur die Gehäuse! Damit dann 200-250A geschaltet werden
> können, brauchst du 2-3 und dann wirds auch schon kritisch, sie
> dynamisch zu begrenzen, d.h. geschickt Leitungsinduktivität einzubauen,
> dass nicht einer allein die 250A schaltet.
Ich hatte auch schon mal mit 2 MOSFETs geplant, sonst bekommt man die
Verluste kaum in den Griff. Es geht in der Anwendung v.a. um den
Lastabwurf. Einschalten geht nahezu lastfrei. Es geht also in der
Richtung einer eFuse.
Boris O. schrieb:
> Ich finde das sehr ambitioniert, da 50V/250A schon 'ne ordentliche
> Kupferschiene braucht. Jeder mickrige MOSFET-Treiber bekommt das hin und
> es gibt sogar welche, die 100% Tastgrad mit High-Side-N-Kanal können.
> Der Vorteil: Steuerspannung isoliert.
Dass das nicht trivial ist bei der Leistung, ist verständlich. Es geht
aber auch weniger um den Treiber als um die Vorsorgung: Klar, ich kann
mir einen IXDD614SI schnappen, der bekommt auch bei 100% Tastgrad und im
Transientenfall auch 2 Gates von 30nF oder mehr gut umgeladen. Aber dann
brauche ich noch einen kleinen galvanischen getrennten DC/DC (wie zB
NMK1212SAC) und dann habe ich meine Ansteuerspannung. Ich würde aber
gerne auf den 12V DC/DC verzichten (Platz, Größe, Kosten) und lieber
eine Ladungspumpe o.Ä verbauen. Sonst wäre ja normales Bootstrapping
kein Problem, da aber der Tastgrad nahezu immer 100% beträgt fällt das
raus.
WEnn du allerdings Treiber kennst, die all das schon integriert haben,
dann gerne her damit :)
Dennis schrieb:
> Ein E-Techniker würde erstmal die Transienten abfangen ....
Naja, bei der Leistung schlecht möglich. Die Schaltung muss die halt
einfach überleben im Fall der Fälle. Bisschen wird mit man mit TVS
Dioden schon entschärfen können.
