Moin moin, ich bin gerade dabei eine Schaltung mit einem AQV210EH auszulegen. In möchte ihn in der Schaltungsvariante A betreiben und an den Klemmen 6 und 4 eine Wechselspannung anlegen. Meine Frage: Weiß jemand ob die Dioden (zwischen 6 und 5 bzw. 5 und 4) wirklich da sind, oder ob das nur ein Schaubild ist? Bzw. was mich am meisten interessiert fällt dort eine Diffusionsspannung ab und wie groß ist diese? Im Datenblatt habe ich dazu keine Antwort gefunden dort ist nur der Widerstand Ron aufgelistet. Gruß der Lude
Der letzte Lude schrieb: > Meine Frage: Weiß jemand ob die Dioden (zwischen 6 und 5 bzw. 5 und 4) > wirklich da sind Es sind die Bulk-Dioden des Mosfets. Die sind aber uninteressant, weil sie ja im eingeschalteten Zustand vom Mosfet kurzgeschlossen werden. Und deshalb ist nur der Widerstand der Mosfets interessant. Naja, zumindest, bis der Strom über die DS-Strecke so groß wird, dass eine der Dioden anfangen könnte zu leiten. Dann hilft diese Diode aber, den Widerstand quasi zu verringern. Wenns noch nicht "Klick" gemacht hat: einfach mal ein Ersatzschaltbild mit 17,5 Ohm Widerständen statt der DS-Strecken malen und drüber nachdenken... ;-)
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GENAU solch ein Symbol (DIODE) habe ich an meinem Multimeter. Einzig was mir fehlt, ist ein AQV210. Miß doch einfach nach ... Selbst wenn dort 0.7V an einer Diode abfallen, so spert doch die andere Diode in jenem Moment, die sind doch antiseriell verschaltet. StromTuner
Axel R. schrieb: > Selbst wenn dort 0.7V an einer Diode abfallen, so spert doch die andere > Diode in jenem Moment, die sind doch antiseriell verschaltet. Es geht um den leitenden Zustand...
Aber ist bei der positiven Halbwelle der Sinusschwingung nicht der obere Transistor und die untere Diode leitend, bzw. bei der negativen Halbwelle der untere Transistor und die obere Diode? Dann hätte ich ja einen Stromfluss über einen Transistor und eine Bulk Diode.
Der letzte Lude schrieb: > Aber ist bei der positiven Halbwelle der Sinusschwingung nicht der obere > Transistor und die untere Diode leitend, bzw. bei der negativen > Halbwelle der untere Transistor und die obere Diode? Nein. Der Trick ist, dass beide Transistoren leiten. Ein Mosfet kann das bei der entsprechenden Ansteuerung. Das wird z.B. dort beim Verpolschutz ausgenützt: http://www.lothar-miller.de/s9y/categories/39-Verpolschutz > Dann hätte ich ja einen Stromfluss über einen Transistor und eine Bulk > Diode. Ja, auch das ist nicht schlimm. Und sofort danach leitet der zweite Transistor auch...
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