Hallo, der Titel sagt es eigentlich schon. In der Schaltung eines Moduls habe ich einen Open Collector Ausgang mit einem BC847 nach "draußen". Die Schaltung läuft an 5V. GND ist geerdet. Ich stelle mir gerade die Frage, wie es mit der ESD-Beständigkeit des Ausgangs bestellt ist? Wenn von außen ein Hochspannungsimpuls (z.B. Human Body Model 2kV) kommt, würde wohl die CE-Strecke des Transistors durchschlagen. Ist es zu erwarten, dass der Transistor davon Schaden nimmt? Es ist klar, dass es grundsätzlich nicht verkehrt ist, z.B. Schutzdioden nach Vcc bzw. GND oder einen Suppressor einzubauen. Mir geht es aber hier eher um das Verständnis, wie empfindlich ESD-technisch bestimmte Bauteile sind. Bipolare Transistoren sind mir zumindest bisher nicht bekannt als "Sensibelchen" wie (Mos-)Fets. Danke. Third Eye
Gast
#4763500
Third E. schrieb: > Wenn von außen ein Hochspannungsimpuls (z.B. Human Body Model 2kV) > kommt, würde wohl die CE-Strecke des Transistors durchschlagen. > Ist es zu erwarten, dass der Transistor davon Schaden nimmt? Diodes Inc. gibt 4kV nach JESD22-A114 (*) an. http://www.diodes.com/_files/datasheets/ds11108.pdf ON Semi ebenfalls, ohne Normenreferenz. http://www.onsemi.com/pub_link/Collateral/BC846ALT1-D.PDF (*) https://www.jedec.org/standards-documents/results/JESD22-A114 benötigt zumindest eine Registrierung für die aktuelle Version JS001-2014. http://ihome.ust.hk/~epack/member%20download%20area/22a114F.pdf
Third E. schrieb: > Wenn von außen ein Hochspannungsimpuls (z.B. Human Body Model 2kV) > kommt, würde wohl die CE-Strecke des Transistors durchschlagen. > Ist es zu erwarten, dass der Transistor davon Schaden nimmt? Muß nicht, aber es kann von Hersteller zu Hersteller verschieden sein. Es gibt spezielle Avalanche-Transistoren, die auf diese Weise extrem steile (1ns) und stromsstarke Impulse erzeugen, und manch ein normaler Kleinleistugstransistor kann das auch. Allerdings kann man nicht vorher sagen, welcher Kleinleistungstransistor auch als Avalanche-Transistor geeignet ist, sondern man muß es (nicht destruktiv) ausprobieren. Bei Transistoren, bei denen sich keine Lawine bildet, treten hohe Spannung und hoher Srom zugleich auf, und durch diese hohe Leistung kann der Chip beschädigt werden. http://www.diodes.com/catalog/Avalanche_Transistors_16
Gast
#4764052
Also ich hab mal gelernt dass ein Avalanchedurchbruch einen Bipolartransistor prinzipiell beschädigt, stimmt das gar nicht?
Sascha_ schrieb: > Also ich hab mal gelernt dass ein Avalanchedurchbruch einen > Bipolartransistor prinzipiell beschädigt, stimmt das gar nicht? Dann schau Dir doch einfach einmal die Datenblätter von Avalanchetransistoren wie z.B. FMMT413 oder ZTX415 und die zugehörige Schaltungstechnik an. Wichtig ist dabei vor allem die Begrenzung der Pulsdauer, was man z.B. über die Kapazität eines Ladekondensators oder eine offene Koaxialleitung realisieren kann. http://www.jensign.com/avalanchepulsegenerator/
Gast
#4764161
Wenn die Energie begrenzt ist, ist der Avalanche-Durchbruch reversibel. Erst wenn es wegen ungleichmäßiger Stromverteilung zu lokalen Überhitzungen kommt - secondary breakdown - ist das Teil beschädigt. Siehe Grafik aus https://www.onsemi.com/pub/Collateral/AN1628-D.PDF (Die im Tietze/Schenk ist etwas besser)
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AN1628-D_f4.png
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Gast
#4764170
Third E. schrieb: > Ich stelle mir gerade die Frage, wie es mit der ESD-Beständigkeit des > Ausgangs bestellt ist? > Wenn von außen ein Hochspannungsimpuls (z.B. Human Body Model 2kV) > kommt, würde wohl die CE-Strecke des Transistors durchschlagen. > Ist es zu erwarten, dass der Transistor davon Schaden nimmt? Das ist doch nur Theorie. Normalerweise ist so ein Ausgang sehr niederohmig beschalten. Wo soll da so eine Spannung herkommen? Sollte der Kollektor offen sein, kann es vorkommen. Es ist jedoch vollkommen praxisfremd.
Gast
#4764295
michael_ schrieb: > Normalerweise ist so ein Ausgang sehr niederohmig beschalten. Wie viel Ohm ist bei Dir Niederohmig?
Gast
#4764298
ginam schrieb: > Wenn die Energie begrenzt ist, ist der Avalanche-Durchbruch > reversibel. > Erst wenn es wegen ungleichmäßiger Stromverteilung zu lokalen > Überhitzungen kommt - secondary breakdown - ist das Teil beschädigt. > > Siehe Grafik aus https://www.onsemi.com/pub/Collateral/AN1628-D.PDF > (Die im Tietze/Schenk ist etwas besser) Ah hab den second breakdown vergessen. Also eigentlich alles wie beim FET.
Gast
#4764388
Third E. schrieb: > einem BC847 nach "draußen" Überspannung ist erst der 2. Grund des Todes. Öfter wird eine fehlende Masseverbidung wahre Ursache sein wenn dieser Kontakt zum BC847 füher hergestellt wurde! Nicht umsonst hat z.B. ein USB-Stecker vorauseilende Kontakte.