selbstleitende P-CH MOSFET

versuch bitte andere zu benutzen.

Was soll's denn werden ? Allenfalls eine alternative verwenden. zB einen 
Stromspiegel.

Sepp schrieb:
> Irgendwo ist mal gestanden, dass die fast nicht produziert werden.

Dann weißt du doch schon alles.

Selbstleitende MOSFET (nicht: jFET) sind zwar technologisch möglich, 
werden aber praktisch nicht produziert.

Wenn du eine bestehende Schaltung nachbauen willst, solltest du eine 
Typenbezeichnung haben, nach der du googlen kannst. Wenn es ein neues 
Projekt ist, dann ist die Verwendung eines selbstleitenden MOSFET ein 
Designfehler. Bau es anders.

Sepp schrieb:
> Ich brauche ein paar selbstleitende P-CH MOSFETs
Immer, wenn ich etwas brauche, das es nicht gibt, hinterfrage ich mein 
Konzept...

HildeK schrieb:
> Was willst du den damit erledigen?
Diese Frage stelle ich auch.
Und zudem: welchen Strom und welche Spannung willst du dabei schalten?

Axel R. schrieb:
>>Selbstleitende MOSFET (nicht: jFET)
>
> Dann zeig mir mal nen selbstleitenden N-Ch. *MOSET*

Ist Google kaputt?

http://google.de/search?q=depletion+mode+mosfet

Bei mir geht der zweite Link zu Infineon. Die haben so viele davon, daß 
sie die sogar verkaufen müssen. z.B. BSP149

Selbstleitend p-Kanal MOSFET wüßte ich jetzt nur SMY50/52 aus der Tätärä

Es gibt einen BSS169 von Infineon.

restmuell schrieb:
> Axel S. schrieb:
>> Selbstleitend p-Kanal MOSFET wüßte ich jetzt nur SMY50/52 aus der Tätärä
>
> Soweit ich mich erinnern kann, waren die nicht selbstleitend.

Stimmt. Habe ich mit SM103/104 verwechselt.
Die waren selbstleitend. Aber n-Kanal.

Selbstleitende n-Kanal-FETs sind vor allem als Dualgate-FETs im
HF-Bereich nach wie vor recht beliebt.  Einer der Großväter dieser
Kategorie wäre der BF960, aktuelleres Beispiel BF998:

http://www.nxp.com/products/discretes-and-logic/mosfets/rf-small-signal-mosfets/n-channel-dual-gate-mosfets/n-channel-dual-gate-mosfet:BF998

bipolar Transistoren haben eigentlich immer einen gewissen 
Spannungsabfall, der nichtlinear vom Strom abhängt (also anfangs stark 
ansteigend, dann rel. unabhängig vom Strom, bzw. dann eher eine lineare 
Abhängigkeit), auch wenn der teilweise durchaus deutlich unter 100mV 
liegen kann (Zetex). Siehe jeweiliges Datenblatt.

Bei Mosfet/Relais ist das dagegen vorrangig ein linearer Widerstand, 
also Spannungsabfall eher linear abhängig vom Strom. Wenn man beide 
reichlich überdimensioniert, können diese sehr kleine Spannungsverluste 
haben. Also da einfach den RdsOn (in Zusammenhang mit Ugs) bzw. 
Kontaktwiderstand betrachten.

Sepp schrieb:
> Die Frage ist mehr aus Dokumentations-technischen Gründen gestellt
> worden, da es mit diesen MOSFET sowieso nicht realisierbar wäre :D
>
> Die Aufgabe des FETs wäre es gewesen 30V mit 5V zu schalten.

Das beantwortet nicht die Frage, warum du nach einem selbstleitenden 
MOSFET suchst.

> Jetzt stellt sich mehr die Frage wie man am wenigsten Spannungsverluste
> hat. Zur Auswahl stehen bipolar Transistoren, FETs und Relais denk ich
> mal.

Nein, die Frage stellt sich nicht. Bzw. die Antwort ist klar: ein Relais 
hat von diesen Alternativen den geringsten Spannungsverlust, denn den 
Kontaktwiderstand eines Relais kann man so niedrig wählen wie man möchte 
- die Begrenzung stellen dann die Anschlußleitungen dar.

Allerdings haben Relais andere Nachteile, wie z.B. Alterung oder die 
vergleichsweise hohe Steuerleistung.

Bei der Suche nach dem optimalen Schalter sind weitere Kriterien neben 
dem Spannungsverlust zu berücksichtigen.