Hallo zusammen Ich habe bei einer Schaltung einen P-Kanal FET(Q4A) eingesetzt der defekt ist. Zwischen Gate und Source (PIN1 und PIN2) ist er niederohmig geworden. Hat jemand schon eine solche Erfahrung gemacht und eine Ahnung warum dies passieren kann? Bei einer Überlast zerstört sich der FET normalerweise zwischen Drain und Source, aber beim Gate hatte ich dies noch nie gehabt. Danke für Feednbacks.
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ESD-Durchschlag? Einfach Ugs überschritten? Das Gateoxid eines MOSFETs ist nur ein paar Atomlagen dick, sodass die Feldstärke an ihm verdammt hoch ist.
Welches ist die Gatespannung an TS15 bezueglich der Speisung. Mir scheint sie vom Spannungsteiler her groesser als -12V. Allenfalls mit dem Datenblatt vergleichen... Und dann grad mit dem Fet von der Speisung auf den Cap ... ist eher wild.
Wenn Q16 sperrt und C22 leer ist, stehen 24V Ugs am Q4A. Ich hab mir sein Datenblatt nicht angeschaut, aber vermute, dass ihm das zuviel ist.
> Wenn Q16 sperrt und C22 leer ist, ..
Und beim Laden macht der Fet langsam zu. Also immer auf Verlustleistung
maximieren.
Ein N-Fet gehoert da nicht hin. Es muss ein P-Fet sein.
Kann es sein, dass ihr den Sourceanschluss missdeutet? Der ist „oben“, an +24 V. Ugsmax ist ±20 V, zusammen mit dem Spannungsteiler sollte das OK sein.
Simpel schrieb: > Wenn Q16 sperrt und C22 leer ist, stehen 24V Ugs am Q4A. Nö. Das Schaltzeichen ist zwar ziemlich komisch, aber offensichtlich soll das ein p-Kanal MOSFET sein. Source oben an 24V, Drain unten an C22. Der Pfeil am Symbol soll wohl die Bodydiode darstellen. Aber der FET kriegt halt -15V U_gs. Ich habe jetzt nicht das Datenblatt gecheckt, ob er das noch aushält. Und natürlich gilt das auch nur, wenn die +24V den Nominalwert haben. Ein kleiner Spike auf dieser Spannung und der FET gibt Rauchzeichen. Eine Umdimensionierung des Spannungs- teilers R11/R12 auf U_gs = -12V und eine 12V Z-Diode parallel zu R11 wäre IMHO besser.
Ja die Diode ist die Freilaufdiode im FET, laut Datasheet liegt VGS max bei +-20V: http://www.diodes.com/_files/datasheets/ZXMP6A17DN8.pdf Durch R11 und R19 liegen max. 15.42 V an, solte also passen. Die 24V primärseitig sind begrenzt, was den Ladestrom von C22 begrenzt, auch wenn es theoretisch ein Kurschluss bedeuten würde. I_DM liegt bei 15.6A (Pulsed Drain Current). Das mit der Z-Diode oder einer Anpassung vom Spannungsteiler kann ich mir anschauen, demnach müsste die zu hohe Spannung am Gate die Ursache sein, ich fand eben auch keine andere schlüssige Erklärung, denn wenn der C22 oder sonstige Verbraucher das Problem wären, hätte ich einen FET mit D-S Kurschluss und nicht das Problem beim Gate... Danke mal im Voraus
Rechne dir mal den Strom aus, der durch den FET fließt, wenn du ihn einschaltest und C22 leer ist. Nehmen wir mal an: RDSON = 0,1Ohm -> Imax=240A Muss nich unbedingt das Problem sein, kann aber.
Hurra schrieb: > Rechne dir mal den Strom aus, der durch den FET fließt, wenn du ihn > einschaltest und C22 leer ist. > > Nehmen wir mal an: RDSON = 0,1Ohm -> Imax=240A Ja das stimmt, der Strom der 24V Versorgung ist aber begrenzt und somit kann auch theoretisch nur soviel Strom fliessen wie das Netzteil hergibt.
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Hurra schrieb: > Nehmen wir mal an: RDSON = 0,1Ohm -> Imax=240A Zeig mir mal den Elko dieser Baugröße, der wirklich in der Lage wäre, so einen Strom aufzunehmen. ;-) Außerdem ist das doch völlig irrelevant: davon schlägt die G-S-Strecke nicht durch. Um dieses Problem geht's aber.
Wenn Deine Doku stimmt, dann fällt mir nur noch ESD ein. Wieviele PMOS sind Dir denn schon gestorben? Wenn das öfter vorkommt, ESD Diode zwischen Gate und Source.
Erax schrieb: > Wieviele PMOS sind Dir denn schon gestorben? Dies ist der erste bei ca. 150 Geräten die je 4 Stück verbaut haben... Darum sehe ich es auch weniger kritisch, da auch Burst, Surge, HF Einkopplung usw. im EMV Labor ok waren ohne irgendwelche Probleme zu verursachen, aber ich habe es eben nicht so gerne, wenn Bauteile "unerklärlich" zerstört werden... Grüsse
Jupps, MOSFet sind gegen ESD viel empfindlicher als CMOS Bausteine, das ist jedenfalls meine Erfahrung. Hängt vermutlich damit zusammen, das sie keine Schutzdioden haben. Der MOSFet könnte schon vor dem Einbau beschädigt worden sein.
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Matthias S. schrieb: > Der MOSFet könnte schon vor dem Einbau beschädigt worden sein. Ja das könnte durchaus passiert sein da eventuell bei den Prototypen die anschliessend vergossen wurden nicht sauber auf ESD Schutz geachtet wurde... Ich habe soeben ein anderes Layout erstellt und da einen neuen N-Fet gesucht (für eine andere Anwendung), habe gesehen, dass mittlerweile viele FETs ESD Dioden im Gate schon verbaut haben... Wohl nicht ohne Grund und die Technik macht es (fast) kostenlos möglich
Mach F. schrieb: > Ja das stimmt, der Strom der 24V Versorgung ist aber begrenzt und somit > kann auch theoretisch nur soviel Strom fliessen wie das Netzteil > hergibt. Das Netzteil hat allerings am Ausgang nach der strombegrenzung auch einen Elko... Jörg W. schrieb: > Zeig mir mal den Elko dieser Baugröße, der wirklich in der Lage > wäre, so einen Strom aufzunehmen. ;-) Kurzzeitig sind alle aktuellen Elkos schaltfest, können also den Kurzschlusstron tragen.
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Das Netzteil hat einen Elko drin, ist aber nicht sehr gross. Es ist kein 0815 Netzteil ab Stange sondern auf dem selben Print gelayoutet, aber wie gesagt wäre dann Drain Source defekt und nicht das Gate...
in meiner Industiezeit waren mal alle bestückten FETs nach dem Einbau defekt, Rds off nur noch einige kOhm, es wurde nach langwieriger Suche festgestellt das sie von der Rolle geschnitten beim Fall in den Auffangbehälter angeschädigt wurden durch statische Enladung, drehende Rolle (FET gegurtet) Aufladung, harte Entladung im Auffangbehälter.
Mach F. schrieb: > den Prototypen die > anschliessend vergossen wurden Ihr vergießt auch die Prototypen? Ohne dir zu nahe zu treten, aber ist das nicht sinnlos? Wie wollt ihr denn daran noch was messen?
Matthias S. schrieb: > Ihr vergießt auch die Prototypen? Ohne dir zu nahe zu treten, aber ist > das nicht sinnlos? Wie wollt ihr denn daran noch was messen? Ja die Prototypenserie von 50Stück wurde anschliessend vergossen, da bezüglich Feuchtigkeit grosse Probleme auftraten. Zuerst wurde dioese nur lackiert, was aber nicht genügend Schutz brachte, jetzt sind diese vergossen und ich hatte noch nie eienn Ausfall, und mit Dichtungsentferner löst sich die Vergussmasse wieder auf :-) nicht sehr hübsch aber was solls
machfax schrieb: > laut Datasheet liegt VGS max bei +-20V: > http://www.diodes.com/_files/datasheets/ZXMP6A17DN8.pdf > > Durch R11 und R19 liegen max. 15.42 V an, solte also passen. Wenn ich mir das Datenblatt ansehe, scheint oberhalb -U_gs = 10V nicht mehr viel zu passieren - R_ds_on mäßig. Darum mit U_gs nicht höher gehen als nötig und liber mehr Abstand zu den maximum Ratings lassen. Oder eben mit einer Z-Diode begrenzen. Vor allem wenn man Bursts auf der +24V Leitung nicht sicher ausschließen kann. > Die 24V > primärseitig sind begrenzt, was den Ladestrom von C22 begrenzt, auch > wenn es theoretisch ein Kurschluss bedeuten würde. Ich hätte C22 einfach weggelassen.
Axel S. schrieb: > Ich hätte C22 einfach weggelassen. Elkos sind leider nötig, darum ist mit Weglassen nix, wie auch immer, ich kann die Gatespannung auf 10V begrenzen und wenn ich mal ein Redesign mache zusätzlich eine Z-Diode einlayouten, Danke sehr
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