Verlustleistung Mosfet App Note Infineon

OP #4808887
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Hallo,

ich versuche gerade die App Note von Infineon über Mosfet Verluste 
http://application-notes.digchip.com/070/70-41484.pdf zu verstehen. 
Leider verstehe ich nicht, wie man dort auf die Formel von E_{onM} 
kommt. Warum wird in der Formel \frac{tri+tfu}{2} anstatt \frac{tri+tfu1 
+tfu2}{2}  verwendet? Leider hat das mit der math Umgebung nicht 
funktioniert.

Ich hoffe mir kann jemand diese Formel erklären?

Grüße

Martin
Gast #4808942
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Ich bin mir nicht ganz sicher ob ichs verstanden habe, aber ich glaube 
das ist etwa das gleiche, was ich auch in meiner Elektronikvorlesung 
gelernt habe, nämlich die lineare Annäherung des Umschaltmoments.

FET an: Strom I hat Wert IDon, Uds ist 0
FET aus: I = 0, Uds = Udd

Im Umschaltmoment fällt der Strom linear nach 0 während die Spannung 
linear nach Vcc hochgeht.

In deiner Formel (2.2.3 die erste) wird das Einschalten des FETs 
betrachtet: tri ist die current rise time und tfu ist die voltage fall 
time.

In Figure 6 sieht man, dass die tfu und tri haben (2 getrennte Zeiten 
statt einer gemeinsamen Umschaltzeit tswitch) weil der Spannungs- und 
Stromverlauf durch die Miller-Kapazität doch nicht ganz linear ist.

Addiert man die jetzt und teilt durch 2, ist das der Mittelwert aus 
beiden Zeiten. Damit spart man sich, für Ein- und Ausschalten des FETs 
jeweils das gleiche Integral zu lösen (Linearität des Integrals).

Der Term Eonmi bedeutet also "integral von Id * Ugs über den Mittelwert 
von Ein- und Ausschaltzeit".

Dazu wird dann noch die reverse recovery Energie addiert und fertig sind 
die kompletten Umschaltverluste.
OP #4810187
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Laut Datenblattformel:
Laut Diagramm auf Seite 7, wie schon Hornisse angemerkt ist
.
Mit tfu=tfu1+tfu2 stimmt die Berechnung der Energie
 beim Einschalten mit meiner Aussage zusammen.

Das würde bedeuten dass die Formel
 falsch ist? Kann mir das jemand bestätigen?

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