Hi! Kann man irgendwie grundsätzlich sagen welche Transistoren-Typen eine kleine hFE-Abweichung über einen Temperaturbereich haben? Also ala "Hohes hFE -> Große Beeinflussbarkeit" oder wie auch immer? Danke erstmal, Achim
Ich schätze, die schwebt da ein Anwendungsfall or, der so nicht ralisierbar ist. Was hast dzu denn vor? Da die Stromverstärkung von sehr vielen Faktoren (nicht nur der Temperatur) abhängt und allgemein innerhalb einer Modellreihe sehr starken Streuungen unterliegt, sollte man die Schaltungen stets so auslegen, dass mit großen Schwankungen klar kommen. Was letztendlich meistens auf eine Gegen-Koppelung hinaus läuft.
Guck dir mal das Ebers-Moll Modell an. Da siehst du immer die Temperaturspannung Ut, die bekommste da auch nicht weg. Wenn deine Schaltung temperaturkompensiert sein muss, dann musst du entweder deine Transistoren auf konstanter Temperatur halten oder irgendeine Form von Regelschleife vorsehen (wenns auch nur ne Diode ist die dem Transistor Basisstrom klaut).
Soweit ich es noch erinnere kommt die Temperaturabhängigkeit des Verstärkungsfaktor von der Temperaturabhängigkeit der Diffusionslänge. Da wiederum gehen Beweglichkeit und Minoritäts-ladungsträger Lebensdauer ein. Bei der Beweglichkeit sollte nicht viel zu Beeinflussen sein, außer ggf. mit SiGe Transistoren. Die Lebensdauern hängen von der Reinheit des Materials ab. Sauberer muss dabei nicht unbedingt besser sein - aber so etwas wie eine extra Dotierung für kürzere Lebensdauer bei HF Transistoren kann helfen. Ob jetzt NPN oder PNP, rauscharme NF typen oder HF Typen oder ggf. Hochspannungstypen ggf. besser sind müsste man halt vergleichen. Normal sollte man ein Schaltung aber so auslegen, dass es nicht auch den Verstärkungsfaktor ankommt. Meist kommt es auch noch auf andere Parameter an.
Achim schrieb: > kleine hFE-Abweichung über einen Temperaturbereich haben? Sagen wir mal so, je größer ein Transistor ist, desto mehr thermische Trägheit hat er. Kleine HF-Transistoren z.B. reagieren flinker als ein dicker 2N3055. Das wird Dir aber wenig helfen. Wahrscheinlich wäre eine genauere Beschreibung Deiner Anwendung nützlich.
Achim schrieb: > Kann man irgendwie grundsätzlich sagen welche > Transistoren-Typen eine kleine hFE-Abweichung > über einen Temperaturbereich haben? Also ala > "Hohes hFE -> Große Beeinflussbarkeit" oder > wie auch immer? Die Antwort ist ein klares Jein! 1. Die Abhängigkeit hFE(T) ist physikalisch bedingt, nicht technisch. Temperaturspannung wurde schon genannt. Die Stromverstärkung steigt mit steigender Temperatur. 2. Technologische Unterschiede bei der Herstellung scheinen einen gewissen modifizierenden Einfluss zu haben; verschiedene Literaturstellen nennen unterschiedliche Zahlenwerte. Ungefähr +0.3% je Kelvin habe ich mehrfach fuer Si-Bipolartransistoren gelesen. Details darüber, wovon die Verstärkung genau abhängt, weiss ich aber nicht. 3. Eine große Verstärkung driftet natürlich stärker als eine niedrige, denn 0.3% von 200 ist mehr als 0.3% von 30. 4. Es wäre nützlich, die Hintergründe Deiner Anwendung zu kennen. Für viele Verstärkeranwendungen ist die Steilheit wesentlich aussagekräftiger und wichtiger als die Strom- verstärkung. Man kann sich da leicht verrennen (das ist mir auch passiert).
Wie schon gesagt wurde, haben Transistoren einen Temperaturgang, der von der Halbleiterphysik her vorgegeben ist und in der Praxis nur wenig variiert. Von daher habe ich mir nie die Mühe gemacht, die Hfe-Kurven verschiedener Typen zu vergleichen. Besonders temperaturstabile Versionen sind nicht in Sicht, Temperaturabhängigkeiten wurden seit jeher schaltungstechnisch gelöst.
Hi da! Vielen Dank für Eure Antworten. Sorry, dass ich mich erst jetzt wieder dazu melden kann... @Stefan Us: Eine wirklichen Anwendungsfall habe ich gerade nicht. Ich hatte nur in irgendeinem Schaltplan ein Konstrukt gesehen in dem eine LED so gesteuert wurde ohne eine Gegenkopplung zu haben was mich etwas wunderte. @THOR: Danke Dir, ich muß das mit der angesprochenen Diode mal ergooglen. Meintest Du diese in Reihe zur Basis oder nicht? @Lurchi: So sollte man sie auslegen, das stimmt wohl. Der Verstärkungsfaktor-Drift ist ja bei den verschiedenen Transen schon extrem teilweise. Habe mich mal umgeschaut bei den Kleinleistungs-Typen. Hier hatte ich zwischen 70 und 600hFE Unterschiede bei den Temperaturen von -25 bis 100°C. @oszi40: Stimmt. Glaube bei der Schaltung war der Diodenstrom aber konstant an und wurde nur ab und an bissl verändert. Vorteil vom großen THT-Transistor wäre dann der Abstand zur eigentllichen Platine. Diese würde den nicht zusätzlich aufheizen. Auch die eigene größe und Wärmeabstrahlung würde den ja stabiler machen. Aber sobald die Luft wärmer wird, hat dieser das selbe Problem. @Possetitjel: Danke der Ausführung! So lange die Steilheit über den Temperaturbereich gleich bliebe wäre es ja gut, aber diese driftet ja auch wegen der hFE oder nicht? @voltwide: Schade, dass es bis heute keine intern kompensierte Typen gibt... Danke Euch auf alle Fälle! Schönen Tag noch
Naja. eine LED Stromquelle sollte eher nicht durch den Basisstrom definiert sein. Eher mit Emitter Gegenkopplung, dh spannungsgesteuert mit Gegenkopplung.
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