Hi Leute! Habe mir grade einen netten NFet ausgesucht und sah im Datenblatt, dass dieser eine "Gate Protection Diode" verbaut hat. -> Diodes DMG1012T Datenblatt: https://www.diodes.com/assets/Datasheets/ds31783.pdf Diese ist von Gate zu Source verschaltet. Ich habe gerade ein paar Platz-Probleme auf der PCB und könnte hier eine Z-Diode sparen - wenn es denn täte :) Ich habe Vgs-Spannungen von ca. 24V zu erwarten. Leider finde ich im Datenblatt keine Angabe über die Spannung der ProtDiode. Hat schon einmal wer getestet wie es sich verhält, wenn man z.B. einen 10k Widerstand vor das Gate setzt und die Eingangsspannung über Vgs dreht? Wäre ja zu schön wenn ich diese so nutzen könnte (Habe leider keine zum Testen hier). Euch nen schönen Feierabend!
Hat keiner solche Erfahrungen sammeln können?
ennen schrieb: > Ich habe Vgs-Spannungen von ca. 24V zu erwarten. Dann hast du im Konzept was falsch gemacht. ennen schrieb: > Hat schon einmal wer getestet wie es sich verhält, wenn man z.B. einen > 10k Widerstand vor das Gate setzt und die Eingangsspannung über Vgs > dreht? Was nützt dir das? Mit einem Widerstand von 10K wirst du im realen Betrieb deinen FET nicht erfolgreich steuern können.
Hat sich mittlerweile dank dem wirklich tollen Support von Diodes geklärt. Die ProtectionDiode ist nur als ESD-Schutz zu sehen. Wurde nun auch im neuen Datenblatt ergänzt.
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