Gast
#5018573
Ich versuche mich gerade an einer Simulation der Load sharing Schaltung aus dieser App note http://ww1.microchip.com/downloads/en/AppNotes/01149c.pdf. Wenn V_in nicht angeschlossen ist, öffnet der Pmos und die Last wird von dem LIpo versorgt. Wenn ich jetzt aber V_In= 4.5 oder auch weniger habe, dann habe ich über der Schottky Diode einen Spannungsabfall von ca 800mV was auch dem Datenblatt enstpricht. Das führt zu einer Source Spannung VS=3.7V und demnach zu VGS=700mV was den Transistor ja sperren müsste. In der Simulation werden dennoch knapp 3mA aus dem Lipo gezogen was ich daher auf die interne Body Diode des MOsfets führe. theoretisch könnte V_In einfach erhöhrt werden und dann hab ich das problem nicht. Da V_In bei mir aber auf 4.5V festgelegt ist muss ich das wohl über die Schottky Diode realisieren. Der Strom durch die Last wird max 200mA sein und die Spannung an der Diode max 5V Im Moment würde ich die BAT30F4 verwenden bei der VF mit max 0.6V bei 300mA angegeben wird. IDeal wäre für mich eine Diode mit max 300mV VF bei 200-300mA und einem Sperrstrom IS der so klein ist wie möglich. Hat jemand da so eine Diode im Hinterkopf die er mir nennen kann?