Hallo MC, ich recherchiere momentan, wie man am besten bei einer Antenne von Tx auf Rx umschaltet. Mein Transceiver soll bei 435 MHz mit 36 dBm senden. Auf den LNA kann in halbduplex umgeschaltet werden, die Umschaltzeit sollte kleiner als 500ms sein. Bislang habe ich PIN-Dioden genommen (BAR50-02V von Infineon) und mit kleinen Leistungen Tests gemacht. Das funktioniert für mich zufriedenstellend, ca. 25 dB Isolation. Ich bin mir aber nicht sicher, ob dass auch bei den relativ hohen Leistungen geht. Wie macht man dies sonst bei professionellen Transceivern? Vielleicht hat jemand auch eine Quelle für einen guten Bauvorschlag. Danke Robert
Entweder selber aus PIN dioden bauen, oder fertig kaufen.. z.B. https://www.minicircuits.com/pdfs/HSW2-272VHDR+.pdf https://www.minicircuits.com/pdfs/VSW2-33-10W+.pdf https://www.minicircuits.com/pdfs/JSW2-63VHDRP+.pdf Siehe auch https://www.sv1afn.com/high-power-rf-tr-switch-with-pin-diodes-ic.html
Robert schrieb: > Mein Transceiver soll bei 435 MHz mit 36 dBm senden. Auf den LNA kann in > halbduplex umgeschaltet werden, ...... > Das funktioniert für mich > zufriedenstellend, ca. 25 dB Isolation. Im schlimmsten Fall könnte die Eingangsstufe dann gut 10mW abbekommen. Das dürfte für manche Transistoren schon zuviel sein. Robert schrieb: > Ich bin mir aber nicht sicher, ob dass auch bei den relativ hohen > Leistungen geht. Du solltest an den abgeschalteten PIN-Dioden eine ausreichend hohe Sperrspannung anlegen, sonst richten sie die HF gleich und fangen an zu leiten. U.U. werden sie dabei auch durch die absorbierte HF beschädigt. Außerdem verringert eine hohe Sperrspannung die Sperrschichtkapazität.
Beitrag #5070392 wurde von einem Moderator gelöscht.
Bitte melde dich an um einen Beitrag zu schreiben. Anmeldung ist kostenlos und dauert nur eine Minute.
Bestehender Account
Schon ein Account bei Google/GoogleMail? Keine Anmeldung erforderlich!
Mit Google-Account einloggen
Mit Google-Account einloggen
Noch kein Account? Hier anmelden.