Hallo, leider habe ich folgendes Problem: In meinem WIG-Schweißgerät sind die Leistungstransistoren zum Teil durchgebrannt.... Es befinden sich 6 gleiche Transistoren auf insgesamt 2 Kühlkörpern. Die Beschriftung ist zwar noch gut lesbar, aber leider kann ich im Web nichts über die Transistoren herausfinden. Wie kann ich am Besten vorgehen, um ein entsprechendes Vergleichsmodell zu finden?? Was zu lesen ist kann ich ja mal beschreiben: 1.Zeile I20N60B3 oder auch 120N60B3. Wie kann ich I und 1 unterscheiden? 2.Zeile H5 01 3. Ein kleines H...., Steht wohl für Harris. Dieses soll jetzt aber an Fairchild verkauft worden sein. Bei beiden finde ich nichts... Meine Recherchen bislang ergaben: 20 = 20 Ampere oder eben 120 A.. und die 60 stehen für 600 Volt...(wg. der HF-Zündung) Das Schweißgerät kann aber insgesamt 160 Ampere am Ausgang liefern... Davor sitzt allerdings noch ein Trafo..... Also sagt das soweit nichts über die Belastung der Transistoren aus... Nun... wie kann ich da weiter vorgehen?? Ich wäre für jede Hilfe oder Idee dankbar...
In welchem Gehäuse ist der Transistor? Ich kenne den Infineon 20N60C3, das ist ein 600 V Mosfet im TO-220 Gehäuse: http://www.infineon.com/dgdl/Infineon-SPP_I_A20N60C3-DS-v03_01-en.pdf?fileId=db3a304318f3fe290119090054e32a20 Kann es evtl. so etwas sein?
Vielen Dank. Den habe ich auch schon gefunden. Das Gehäuse ist dabei aber etwas anders... Aber darauf soll es mir nicht ankommen.. Meine hatten das TO-220. Die Belegung ist gleich: Aber der Chinahersteller IXYS ist auch nicht Fairchild... Kann man davon ausgehen, dass die Bezeichnungen übernommen werden können? Versuchen würde ich es damit, aber da noch die kleine Frage: Wo kann ich am Besten den IGBT bestellen? Bislang habe ich noch nie etwas direkt aus China bestellt... Läuft das problemlos? Oder gibt es Bezugsquellen in Deutschland? Und 120 Ampere 6 mal... Jeweils 3 Transistoren laufen parallel (Vielleicht positive und negative Halbwelle). Wäre dann aber immer noch 360 Ampere für ein 180 Ampere Schweißgerät.... Hmmmm.... Wäre dann aber viel Sicherheit. Kann ich das Gerät nicht einschalten und ohne die Transistoren Kollektor-Emitter-Spannung messen? (Entschuldigung.... Ich bin Maschbauer...)
William W. schrieb: > Chinahersteller IXYS Voll daneben ist auch vorbei. http://ixys.com/Corporate.aspx Und die haben auch eine Fab in Darmstadt.
Oh.. Vielen Dank für die Info. Dort kann ich mal weiter suchen. Es gibt ja doch Vertretungen in Deutschland.
Noch weiter zur Info: Eben habe ich mit der Firma IXYS telefoniert. Dabei kam folgendes heraus.. Meine Transistoren sind im TO220 Gehäuse... es gibt aber keine Transistoren in diesem Gehäuse, die 120 A bei 600 V verkraften.... Da reicht die Fläche zur Wärmeübertragung nicht aus... Also muss die Bezeichnung lauten: I 20 N 60 B3..... Danke nochmal für den Tipp.... IXYS ist da sehr hilfsbereit.
hinz schrieb: > Und die haben auch eine Fab in Darmstadt. das ist schon näher, aber wirklich ist IXYS in Lampertheim (früher war das die Fertigung für Leistungshalbleiter von BBC/ABB).
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Fotos mache ich gerne.. Ich hoffe das klappt....
Bei der I20 Bezeichnung bin ich von einer 120 ausgegangen. Da in der zweiten "Zeile" der Beschriftung ja eine 01 steht, war das also falsch. Die "1" wäre oben vermutlich in der selben Schriftart gedruckt....
William W. schrieb: > Fotos mache ich gerne. Das Herstellerzeichen ist Harris, die schon vor vielen Jahren zu Intersil geworden sind. 20N60B gibt es dort, aber ohne das I vorweg und nicht mit dem Strom, den Du genannt hast.
Vielen Dank für die Hilfe. Bei Intersil werde ich mal weitersuchen. Einen genaue Größe des Stroms hatte ich noch nicht genannt. Nur kommt es mir so vor, dass die erste Zahl in der Bezeichnung den Strom angibt. Da ich ja jetzt weiß, dass es keine 120 sondern I 20 heißt, ist jetzt klar das es sich nur um 20 Ampere bei 600 V handelt. Aber weder das "I" am Anfang, noch das "B3" am Ende der Bezeichnung kann ich genau deuten. Kennt jemand die genauen Aufschlüsselungen oder ist das eher Herstellerbezogen..?
Gehäuse TO220 mit 120A ??? MOSFET in solchem Gehäuse konnten (können?) lt. Spec. angeblich bis 60A dauernd, aber 2-mal soviel ?
William W. schrieb: > Bei Intersil werde ich mal weitersuchen. Kannst du dir sparen. Die Sparte diskrete Halbleiter wurde an Fairchild verkauft, und die wurden von ONSemiconductor übernommen. Die Schlipse lieben dieses Spiel.
Elektrofan schrieb: > Gehäuse TO220 mit 120A ??? > > MOSFET in solchem Gehäuse konnten (können?) lt. Spec. angeblich bis 60A > dauernd, aber 2-mal soviel ? ...Parallelschaltung?! ;-)
William W. schrieb: > Vielen Dank für die Hilfe. > Bei Intersil werde ich mal weitersuchen. Einen genaue Größe des Stroms > hatte ich noch nicht genannt. Nur kommt es mir so vor, dass die erste > Zahl in der Bezeichnung den Strom angibt. Da ich ja jetzt weiß, dass es > keine 120 sondern I 20 heißt, ist jetzt klar das es sich nur um 20 > Ampere bei 600 V handelt. Aber weder das "I" am Anfang, noch das "B3" am > Ende der Bezeichnung kann ich genau deuten. > Kennt jemand die genauen Aufschlüsselungen oder ist das eher > Herstellerbezogen..? Gut möglich kein Standardbauteil. Wird wohl ein IGBT sein. (Nein, nicht das I dafür deuten) Bezeichnungen lt. Datenbüchern in denen es dieser auch nicht aufgeführt ist, immer mit HGT-X-Strom-Polarität-Spannung-?Revision? In TO-220A finden sich ldg. 12/24/30 Ampere-typen jdf. bis 1995
> > In TO-220A finden sich ldg. 12/24/30 Ampere-typen jdf. bis 1995 Da hat es noch ein paar ältere Datenbücher, sind aber teils nur scans: http://www.electronicsandbooks.com/eab2/manual/index.php?dir=Electronic+Component+Databook+Datasheet%2FBrand%2FHarris+%28Intersil+1999%29%2FDatabook%2F Eher unwahrscheinlich das sich da was findet. H5 evtl. Produktionsjahr '95, ist jetzt aber blose Spekulation.
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> Da hat es noch ein paar ältere Datenbücher, > sind aber teils nur scans: archive.org hat durchsuchbares Material. >> ist, immer mit HGT-X-Strom-Polarität-Spannung-?Revision? Fast, siehe Anhang. -B3 200nS 3. Generation vlt. findest du ja noch was, bis '99 gabs die ja noch. evlt. suchen nach "Nomenclature", "Ordering-Informations" oder ähnlichem. Aber zu kaufen gibts diese ja eh nicht mehr.
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Das meine ich mit Parallelschaltung... Siehe Fotos. Kollektor und Emitter sind jeweils gleich geschaltet. Davor hängen direkt 5 Elkos mit nur 400 V und 470 Mikrofarad... Vielen Dank auch für das Datenblatt von Harris (IGBT Ordering Information) Jetzt weiß ich auch die "B3"-Bezeichnung am Ende... =200ns, 3.Generation... ...(Das Knöllchen für Falschparken im Hintergrund ist nicht relevant ;-) Oder möchte das jemand für mich bezahlen????
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Danke auch für die Idee mit den IRG4BC40U. Ich habe mir jetzt mal die Besorgt: Vishay IRF840PBF Die können aber nur im kurzen Puls bis 32 A. Sonst reichen die 8A vielleicht für die kleinste Stufe des Schweißgerätes um zu sehen ob es dann wieder läuft... Also nur ein "Vorabtest"
Das ist wohl richtig. Aber worin könnte da für einen Test das Problem liegen? Das Mosfet hat nur zwischen Emitter und Kollektor eine Diode. dV/dt mit 3,5ns vielleicht zu langsam?
William W. schrieb: > Das ist wohl richtig. Aber worin könnte da für einen Test das Problem > liegen? Das Mosfet hat nur zwischen Emitter und Kollektor eine Diode. > dV/dt mit 3,5ns vielleicht zu langsam? being no expert: Vgth IGBTs irgendwo im Bereich 1,5-5V IRF840 jdf. lt. hier verlinkten DB 6-7V zum durchsteuern hohe Gatekapazitaet 1,3nF braucht kräftigen Treiber zum schnellen ein und ausschalten. 5A@100°C scheint auch bisl wenig, Sperrspannung liegt auch drunter. Sehe nichts was das Teil annähernd geeignet erscheinen liese :( Sinnvoll wäre es sich die Ansteurung mal rauszuzeichnen, falls man auf der Platine etwas ausmachen kann. ---- geh ggf. mal zu pollin, die haben seit kurzem hauffenweise von den Teilen: Suchbegriff: +IGBT +600V +TO-220 -TO-247 -triac dann alles unter 200nS abschaltzeit rausfiltern und ein kleines Opfer-Säckchen ordern ... good luck :)
@William: Mal ein paar (möglicherweise wichtige) Fragen: A.) Sehe ich das richtig, daß die Anschluß-Beinchen an praktisch allen TO-220(AB)-Gehäusen weiiit auseinander gebogen wurden? B.) Laut Platine/PCB gehören da original - eigentlich MOSFETs hinne. Da steht nämlich (deutlich): G, D, S... (IGBT: G, C, E) Sollte das stimmen, dann macht es den Eindruck einer Reparatur oder "Verbastelung" - und original wären da mal MOSFETs (auch mit 600V / 650V vermutlich), und zwar im (früher: TO-218?) TO-247 Gehäuse [m. A. n. für hohe Spannungen und v. a. Leistungen ... "minimal" besser] drin gewesen. ================================================================== Die heute verfügbaren, moderneren Bauteile sind von fast allen Leistungsdaten durchweg besser, als die "alten". Der einzige Grund, da nicht moderne (je nach dem) FETs oder aber IGBTs einzusetzen, wäre die Gefahr, durch die schnelleren Schaltzeiten versehentlich diverse Probleme zu provozieren. Aber bitte beantworte obige Fragen, und vielleicht findest Du "die beste" Lösung (Preis/Performance). Obwohl z.B. der (ja - bei Pollin ^^) vorhandene https://www.pollin.de/shop/dt/MzkwOTY4OTk-/Bauelemente_Bauteile/Aktive_Bauelemente/Transistoren/HGTG20N60B3D_30_Stueck.html schon seinen Zweck erfüllen dürfte (und evtl. zu dem Harris oben da das "Nachfolge-DIE" darstellt, ähm...), gibt´s den nur noch zu 25 Stück - und nicht mehr einzeln. ================================================================== Alles relativ, wenn original eig. TO-247-FETs verbaut waren.
FET? schrieb: > A.) Sehe ich das richtig, daß die Anschluß-Beinchen an praktisch allen > TO-220(AB)-Gehäusen weiiit auseinander gebogen wurden? Sieht wahrlich so aus. > B.) Laut Platine/PCB gehören da original - eigentlich MOSFETs hinne. > Da steht nämlich (deutlich): G, D, S... (IGBT: G, C, E) Naja, das hab ich schon öfter so falsch gesehen, wäre aber durchaus denkbar, insbesondere macht es die Parallelschaltung wesentlich sympatischer. > Sollte das stimmen, dann macht es den Eindruck einer Reparatur oder > "Verbastelung" - und original wären da mal MOSFETs (auch mit 600V / 650V > vermutlich), und zwar im (früher: TO-218?) TO-247 Gehäuse [m. A. n. für > hohe Spannungen und v. a. Leistungen ... "minimal" besser] drin gewesen. ACK.
Erst mal vielen Dank für die Zahlreichen Antworten. Ich versuche die Fragen der Reihe nach bestmöglich zu beantworten: 1. :Sinnvoll wäre es sich die Ansteurung mal rauszuzeichnen, falls man auf der Platine etwas ausmachen kann. Ja... das kann ich versuchen zu machen... Dauert aber noch etwas.. Aber erstmal so viel: Vor jeder Basis der Transistoren hängt ein Widerstand mit 10Ohm (Br/Br/Sw)... Diese Basis wird wiederum direkt von einem weiteren Transistor angesteuert: Hersteller: ST 9448, Malaysia,D45H8 Insgesamt sind zwei dieser Transistoren verbaut, und jeder steuert drei der "Leistungstransistoren" (um die es sich hier dreht) an.... (Verstanden wie ich meine.... ) 1.: A.) Sehe ich das richtig, daß die Anschluß-Beinchen an praktisch allen TO-220(AB)-Gehäusen weiiit auseinander gebogen wurden? Hm... Das ist schwieriger als es aussieht.... Aber der Reihe nach: Auf der Platine befinden sich insgesamt 10 Anschlüsse für die Leistungstransistoren auf den Kühlrippen. Insgesamt waren bei mir aber nur 6 Stück (drei auf jeder Seite) verbaut. Meine Vermutung ist: Das Schweißgerät gibt es in einer anderen Ausführung auch mit mehr Ausgangsleistung.. Auf der Platine steht GDS an den Anschlüssen, also für mosfets im TO247 Gehäuse (Großer Abstand). Verbaut waren aber die I20N60B3 von Harris im TO220 Gehäuse... (Kleiner Abstand) Das könnte auch durch eine Modernisierung (beim Hersteller) erfolgt sein. Gebastelt wurde da nichts. Ich vermute die Beinchen wurden bei der Produktion verbogen.... Mehr als 600V können die Transistoren/Mosfets aber nicht gehabt haben, da die Kondensatoren, welche darüber entladen werden, nur 400V in der Bezeichnung haben... Noch etwas zur Produktion: Die Platine wurde nur mit kurzen Anschlussdrähten zu den Leistungstransistoren gefertigt. (Verlötung auf der Platine) sieht original aus. Dann kamen die Transistoren auf die Kühlrippen, und als diese mit der Platine verschraubt waren, dann wurden die Beinchen der Transistoren mit den Drahtenden von der Platine verbunden... Somit wurde auch der unterschiedliche Abstand überbrückt, und daher die verbogenen Beinchen...
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in der Bezeichnung: vorn Strom, N oder P Kanal, hinten Spannung SUP75N03..... 75A, NFet, 30V
hinz schrieb: > Was ist das überhaupt für ein Schweißgerät? China-Kracher? Andere sagen auch: Deoroller... Und Jupiter war eine deutsche Firma... und noch der Planet..
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Stephan schrieb: > scheint doch nicht generell zu gelten :-( (grins) Nimm´s Dir nicht zu Herzen. ^^ "Genormt" ist das halt nicht. William W. schrieb: > es gibt aber keine Transistoren in diesem Gehäuse, > die 120 A bei 600 V verkraften.... Da > reicht die Fläche zur Wärmeübertragung nicht aus Transistoren, die 120A bei 600V verkraften... diese Aussage würde eher Linearbetrieb bedeuten, so daß 120A und 600V gleichzeitig ... Ja, die wären ein klein wenig größer. Darum aber geht´s nicht. Die Angaben von max. Strom und Spannung beziehen sich auf die sog. Schaltleistung - weit über der thermischen P(tot). William W. schrieb: > Sinnvoll wäre es sich die Ansteurung mal rauszuzeichnen, > falls man auf der Platine etwas ausmachen kann. Gute Idee. Die D45H8 vor den Gate- (nicht Basis-) Widerständen werden oft in Gate-Treiber-Stufen eingesetzt - normalerweise im Pärchen mit D44HX o. ä., einem Komplementär-Typen halt. Wenn Du den Spannungshub an der Ansteuerung oszi-fieren würdest, ließe das Rückschlüsse auf die "tatsächlich geplante" Art Leistungstransistor zu - denn IGBTs werden eigentlich mit +15V eingeschaltet (MOSFETs mit +10 o. +12V). Obwohl viele IGBTs auch bei +10V "funktionieren" können, und die meisten FETs auch +15V am Gate "(v)ertragen". In seltenen (und "alten") Fällen könnte sogar eine negative Spannung vorhanden sein (manche ältere IGBTs brauchten diese, um sicher zu sperren) - na gut, bei Ansteuerung über Trafo wäre das teils auch für Fets normal ... obwohl die sowas nie "gebraucht" haben, überträgt ein "echter" Trafo nur AC. Mach mal bei Gelegenheit, untersuch die Ansteuerung.
William W. schrieb: > und noch der Planet "Rot-pünkt-chen". (Statt kä...) Dachte ja, den gibt´s noch?
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Ich habe hier in Forum noch etwas sehr interessantes für mich entdeckt. Ein Schweißgerät mit ähnlichem Aufbau wie meins: Dort sind als Leistungstransistoren SGW30N60 (Q103 - Q113)verbaut. Ebenfalls an 400V Elkos. Bei mir eben Q1 bis Q10. Von dort aus geht es in den Trafo (Drossel) und dann in die 3 Leistungsdioden ... Alles wie bei mir vielleicht habe ich da jetzt das Richtige gefunden... Bei mir eben I 20 N 60 B3 die nicht mehr zu finden sind... Und hier auf den Fotos SGW 30 N 60. Vielleicht gibt es einen SGW 20 N 60.... Dann wären die Strombelastungen mit 20 Ampere ebenfalls gleich..
Ja, genau. Zwei mit 30A pro Seite meine ich auch. Und bei mir waren eben 3 Stück mit 20A auf jeder Seite... Die Gesamtleistung bleibt aber somit gleich. Und das Datenblatt sagt: Parallel switching capability... und designed for Inverter. Eben auch gut, da ja jede Seite jeweils parallel geschaltet ist. Und sogar das Gate nur über 10 Ohm Vorwiderstände parallel ist. Und die Anzahl der verbauten IGBT`s variiert vermutlich je nach Ausgangsleistung des Schweißgerätes. Die Platine bleibt aber dabei gleich... Daher eben nicht voll bestückt. Und die max fall time liegt mit 70ns auch deutlich unter den bei mir eingesetzten I20N60B3. Das "B" steht ja für 200ns...
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William W. schrieb: > Und die Anzahl der verbauten IGBT`s variiert vermutlich je nach > Ausgangsleistung des Schweißgerätes. Ehr danach was der chinesische Einkäufer gerade billig bekommen kann.
Ich denke der Einkäufer saß in Italien. Die Platine kommt von Sagit, Savignone in Italien. Geprüft dann durch Eltig in Polen und hier verkauft unter dem Firmennamenamen Jupiter. Nur chinesisch ist da nichts....
NPT IGBTs sollen m. W. eigentlich thermisch ENT- (und nicht ge-) koppelt werden, wenn denn parallel... (hier nebeneinander auf KK). FETs würden ja potentiell weniger Verluste erlauben, und hätten beim Avalanchen meist Vorteile - IGBTs wüden höheren Kurzschlußstrom erlauben, denke ich.
William W. schrieb: > Ich denke der Einkäufer saß in Italien. Die Platine kommt von > Sagit, > Savignone in Italien. Geprüft dann durch Eltig in Polen und hier > verkauft unter dem Firmennamenamen Jupiter. > Nur chinesisch ist da nichts.... Tja, auch anderswo haben sie sparsame Einkäufer. Wieviel willst du denn ausgeben für die IGBTs?
Vermutlich sind jeweil 3 IGBTs auf einem Kühlkörper da dieser dann einfacher zu befestigen ist.... Sonst müssten ja 6 getrennte Kühlkörper einzeln befestigt werden... Die Preise die bislang so gesehen habe liegen alle etwas unter 5 Eur pro Stück.
William W. schrieb: > Vermutlich sind jeweil 3 IGBTs auf einem Kühlkörper da dieser dann > einfacher zu befestigen ist.... Sonst müssten ja 6 getrennte Kühlkörper > einzeln befestigt werden... > > Die Preise die bislang so gesehen habe liegen alle etwas unter 5 Eur pro > Stück. Normalerweise reichen für einen vergleichbaren oder besseren Typen maximal an die 2,50€/Stk. Häng Dich nicht an die Bezeichnung, oder was in "anderen Threads" dazu verwendet wird. Irrelevant, nahezu. Das Optimum wären meiner Meinung nach FETs, weil man da durch parallelisieren auch wirklich weniger Verluste erreichen kann. (Und nicht zuletzt... glaube ich, "original" waren welche geplant.) Und wenn Du wirklich auf die identische Bezeichnung Wert legst (was aber ehrlich nichts bringt), warum dann nicht den (wie ich vermute) sozusagen "direkten Nachfolger" (Harris-->Fairchild (-->später OnSemi), den ich oben verlinkt habe? 6 x knapp unter 5 Euro sind doch eh 25€... ^^ (Bei pollin kosten 25 Stück auch 25€ - falls nicht nachgesehen. Das sorgt entweder für weiteren Ersatz, oder für gute Verkaufschancen der Überzähligen Teile.) Es gibt unzählige Möglichkeiten - man muß keine 6 Stk. für 30€ + Vsd. bezahlen, nur um etwas zu kriegen, was man woanders zufällig als Ersatz ausgemacht hat. Je nach dem, was Du ausgeben willst (ich meine also nicht: "Sparen um jeden Preis ist alles!", sondern...) kann hinz Dir aus 1000 Möglichkeiten die passende nennen - sozusagen "aus dem Kopf", das habe ich so mitgekriegt. Deutlich: Seiner Empfehlung ist mehr Gewicht beizumessen, als einer zufälligen Entdeckung "dort zufällig verwendeten Schun... (räusper)" in anderen Threads. Der kennt sich da aus.
FET? schrieb: > 6 x knapp unter 5 Euro sind doch eh 25€... ^^ Sorry, falsch. Du würdest ja von "I 20 N 60..." zwölf Stück kaufen. Um so besser das pollin-Angebot... a.) Statt 60 Euro Kosten nur (25+Vsd.= ca.) 30 Euro, ca. 1/2 b.) Jeder dieser IGBTs (verbessert) könnte 30A statt 20A Dauer-I. c.) Für 1/2 d. Geldes die doppelten Teile (1 x voller Ersatz, weil 25)
d.) To-247 paßt zu den Pklatinen-Bohrungen ohne biegen. (Gefälscht sind die übrigens nicht - kenne an die 10 Erfahrungsberichte von Käufern der "HGTG20N60B3" bei pollin - teils einzeln, teils 25er-Säckel-weise)
William W. schrieb: > unter 5 Eur pro > Stück. Dann besorg dir 4, oder besser 6, SGW30N60. Die gibts z.B. bei RS.
FET? schrieb: > Das Optimum wären meiner Meinung nach FETs, Du wirst für taugliche MOSFETs deutlich tiefer in die Tasche greifen müssen, und dennoch nicht die Impulskurzschlusssicherheit von IGBTs erhalten.
hinz schrieb: > Du wirst für taugliche MOSFETs deutlich tiefer in die Tasche greifen > müssen, und dennoch nicht die Impulskurzschlusssicherheit von IGBTs > erhalten. Das ist korrekt. Da können die FETs einfach nicht mithalten. > Das Optimum wären Nur in Bezug auf Effizienz, das hätte dabeistehen sollen. FETs setzt man bevorzugt in Schaltungen mit schneller (am besten "cycle-by-cycle") Stromüberwachung ein, und auch nicht, wo es topologisch bedingt zu (zu) hohen Strompulsen kommt. Das aber ist hier wohl der Fall. Wie gesagt - ich persönlich würde die 25Stk. kaufen, aber auch nur, weil ich anderw. Verwendung für sowas hätte.
Dann erst mal vielen Dank für eure Hilfe! Werde die entsprechenden Bauteile besorgen SGP oder SGW 20N60. SGP im To-220 Gehäuse SGW im To-247... Ist es eigentlich egal ob ich SGW 30N60 oder SGW 20N60 verwende? Die originalen 20N60 haben ja mit 6 Stück lange gehalten... (Über 20 Jahre)... Wenn ich auf 30N60 gehe bräuchte ich ja nur 4 Stück... wenn ich mal den Strom betrachte... Dabei Frage ich nicht wegen der Kosten! Das Schweißgerät liegt bei mehreren tausend Eur... Da machen die Reparaturkosten nichts aus.. Aber bei meinen Recherchen zu den Teilen ist mir aufgefallen, dass die IGBTs doch öfter mal in Dampf übergehen.... Meine Angst liegt darin, wenn ich diese Stufe mit insgesamt stärkeren Transistoren ausstatte und es wieder zu einem Fehler kommt, dann raucht mir vielleicht etwas anderes (die Drossel z.B.) hoch... ? Somit sehe ich die IGBTs mittlerweile fast als "Sicherung" ... (Wenn ich weiß was es für Bauteile sind, dann sollen sie eben hochrauchen...) Besser als ein weiterer Fehler .... (Meiner kam übrigens durch Schweißen mit einem Stromaggregat als Stromquelle.... (Regler vom Benzinmotor oder Spannungsregler zum Generatorrotor (Gleichstromerregt) zu langsam..?)
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Entschuldigung... hier vielleicht falsch, aber es gäbe da noch ein weiteres Problem. Die Bauteile auf dem Foto... OK, das Symbol ist Texas. Also ein Produkt von Texas Instruments... EP2500 A7913 und A7910 Nur auch die Kennen diese Transistoren nicht... Hier handelt es sich um die "Endstufe" aus meinem Bandelin Sonorex Ultraschallreiniger... Wie kann ich nun herausfinden womit ich diese ersetzen kann?
William W. schrieb: > auch die Kennen diese Transistoren nicht... Es wurden (und werden) auch für manche Käufer "spezielle" Bezeichnungen auf (eigentliche) Standardteile gedruckt... aus diversen Gründen. Welche eine Vermeidung eines einfachen Ersatzes einschließen könn(t)en... William W. schrieb: > Wie kann ... herausfinden, womit ich diese ersetzen kann? Hier schwieriger. Man bräuchte wohl die Schaltung drum herum. William W. schrieb: > Meine Angst liegt darin, > wenn ich diese Stufe mit insgesamt stärkeren Transistoren ausstatte und > es wieder zu einem Fehler kommt, dann raucht mir vielleicht etwas > anderes (die Drossel z.B.) hoch... ? Nicht unmöglich, aber die meisten passiven Teile (vor allem induktive) sind "physikalisch prädestiniert" für Haltbarkeit. William W. schrieb: > Somit sehe ich die IGBTs mittlerweile fast als "Sicherung" Ha... oder doch ein 25er Säckel besser? ^^ Ernsthaft gesehen eine verständliche, aber "mutige" Sichtweise.
William W. schrieb: > Die originalen 20N60 haben ja mit 6 Stück lange > gehalten... (Über 20 Jahre)... Wenn ich auf 30N60 gehe bräuchte ich ja > nur 4 Stück... wenn ich mal den Strom betrachte... Strom ist nicht alles, Deine Formulierung deutet an, dass Du es schon erahnst. Deine Transistoren haben Verluste, die Wärme erzeugen und abgeführt werden wollen. Das hängt mehr von der Gehäusebauform als von der maximalen Belastbarkeit ab. Ich sage: 30N und davon alle sechs. Ein paar gesparte Euro sind toll, aber für ein paar Euro mehr eine höhere Zuverlässigkeit wäre mir mehr wert.
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