Moin,
ich möchte einen NPN Transistor, als Schalter verwenden und bin
verwundert, dass der einen zweiten Basis Anschluss(BX) besitzt.
Vielleicht kann einer erklären warum er diesen besitzt?
Ich möchte mit dem NPN eine Spule schalten.
(Ja, der Transistor ist viel zu groß für meine Anwendungen, aber zum
Rumspielen ganz okay.)
Sehe ich das richtig, das ich den Transistor mit 3µs schalten kann?!
"Ts" erschließt sich mir nicht ganz.
Wenn ich ihn als Emitterfolger schalte, muss meine Basis 3.5V über der
Spannung am Kollektor halten, um ihn voll auszusteuern?!
Patrick S. schrieb:> Vielleicht kann einer erklären warum er diesen besitzt?
Evtl. um den Hauptransistor schneller auszuschalten.
Patrick S. schrieb:> Sehe ich das richtig, das ich den Transistor mit 3µs schalten kann?!> "Ts" erschließt sich mir nicht ganz.
Du kannst ihn (vermutlich) in 3µs ein und in 15µs ausschalten
Patrick S. schrieb:> Wenn ich ihn als Emitterfolger schalte, muss meine Basis 3.5V über der> Spannung am Kollektor halten, um ihn voll auszusteuern?!
Nein, die Basis-Emitterspannung heisst so, weil sie zwischen Basis und
Emitter anliegt. Folglich muss deine Basis 3,5V über dem
Emitterpotential liegen. Ts könnte auch bedeuten, das du 15µs brauchst
um den mit gesättigter Basis leitenden Transistor zu sperren.
> Nein, die Basis-Emitterspannung heisst so, weil sie zwischen Basis und> Emitter anliegt. Folglich muss deine Basis 3,5V über dem> Emitterpotential liegen. Ts könnte auch bedeuten, das du 15µs brauchst> um den mit gesättigter Basis leitenden Transistor zu sperren.
Genau, meinte auch Emitter...
Also müsste ich BX gegen GND schalten, um ihn in 3µs auch
auszuschalten(tf)?!
Patrick S. schrieb:>> Nein, die Basis-Emitterspannung heisst so, weil sie zwischen Basis und>> Emitter anliegt. Folglich muss deine Basis 3,5V über dem>> Emitterpotential liegen. Ts könnte auch bedeuten, das du 15µs brauchst>> um den mit gesättigter Basis leitenden Transistor zu sperren.>> Genau, meinte auch Emitter...>> Also müsste ich BX gegen GND schalten, um ihn in 3µs auch> auszuschalten(tf)?!
Keine Ahnung ob es heutzutage evtl. gar integrierte Darlington-Treiber
gibt?
Also speziell fuer diese Leistungsstarken Teile.
Vor 30 Jahren haette man das wie im Anhang gestalten koennen. Hier
wird als Beispiel zusaetzlich eine negative Spannung angelegt um
schnellstmoeglich abzuschalten.
Was willst Du denn für eine Spule schalten?
Mit fast 1000 Volt und 100+ Ampere?
Für sowas nimmt man heute IGBT`s.
Polier das Teil und leg`s in die Vitrine.
der schreckliche Sven schrieb:> Was willst Du denn für eine Spule schalten?> Mit fast 1000 Volt und 100+ Ampere?> Für sowas nimmt man heute IGBT`s.> Polier das Teil und leg`s in die Vitrine.
Einen IGBT will ich mir auch irgendwann besorgen, wenn sich was
günstiges in der Bucht auftut :D
Ich will mit den Bauteilen experimentieren und Stück für Stück dazu
lernen. Da mein Fokus in den höheren Leistungsregionen liegt, wähle ich
bei den Halbleitern gerne was Größers. Dann habe ich Luft nach oben.
Mal eine Frage an den TO: Hast du den gekauft oder irgendwie kostenlos
bekommen?
Habe gerade mal geschaut was das Teil so kostet.
Meines Erachtens kauft man solche teuren Bauteile doch nur, wenn man es
ganz genau für eine Anwendung braucht.
Aber doch nicht zum spielen.
F. F. schrieb:> Mal eine Frage an den TO: Hast du den gekauft oder irgendwie kostenlos> bekommen?> Habe gerade mal geschaut was das Teil so kostet.> Meines Erachtens kauft man solche teuren Bauteile doch nur, wenn man es> ganz genau für eine Anwendung braucht.> Aber doch nicht zum spielen.
Ich habe knapp 10€ bezahlt
Also gut, ein bißchen was zur Speicherzeit (Ts) beim bipolaren
Transistor: Wenn sich der Transistor im sogenannten Zustand der
Sättigung befindet, und zwecks abschalten der Basisstrom abgeschaltet
wird, so fließt der Kollektorstrom erst mal weiter, als wäre nichts
geschehen. Das dauert, je nach Typ, 1-3 Mikrosekunden. Die Abfallzeit
(Tf), in der der Transistor tatsächlich abschaltet, ist dagegen nur etwa
1/10 so lang. Ein Problem entsteht jetzt beim Schalten von
Induktivitäten: Durch die Induktivität will der Strom weiter ansteigen,
der Transistor in seinem "Speichermodus" verhindert das aber. Die
Kollektorspannung steigt also an, und das bei vollem Strom! Dieser
Zustand extremer Verlustleistung dauert zwar nur 3 µS, aber
multipliziert mit der Schaltfrequenz, kommt einiges zustande. IGBT`s und
MOSFET`s kennen keine Speicherzeit, und seit es diese Teile gibt, werden
bipolare Transistoren für hohe Leistungen eigentlich nicht mehr
verwendet.
Und jetzt noch was zum zusätzlichen Basisanschluss bei Deinem Teil:
Bei einer Darlingtonschaltung befindet sich nur der erste Transistor in
der Sättigung. Wenn Du dem untersten Transistor beim Abschalten
zusätzlich den Basisstrom wegnimmst, wird dieser in ca. 0,2 µS
Abschalten. Allerdings wird seine Stromverstärkung nicht gerade hoch
sein, so dass diese Funktion nicht für Mau zu haben ist.
Na ja ein Mosfet braucht auch ein bisschen Zeit zum unladen des Gates,
aber ein noch wesentlich Vorteil, er wird leistungslos gesteuert.
Guck mal was du für einen Strom brauchst, bei diesem Teil. Habe ich ja
schon weiter oben angemerkt. Wir haben auch große Induktivitäten und
große Ströme in unseren Fahrzeugen. Früher machten wir das mit
Thyristoren, heute allesamt Mosfets.
Das ist heute die Technik.
Gut, wir haben nicht solche hohen Spannungen.
Jedenfalls nicht in den reinen Elektrostaplern.
darlington.png
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