Hallo,
ich hab angehängte Schaltung mit nem p-kanal MOSFET
der kann bis zu 18A treiben!
jetzt ist die Frage:
kann ich den nicht einfach "kaskadieren", also
irgendwie noch eine Stufe dranhängen, sodass ich
einen noch höheren Strom treiben kann?
quasi einen weiteren von den MOSFETs (irgendwie) parallel?
VG
Hallo,
Wenn ich dich richtig verstanden habe, dann möchtest Du zwei Mosfets
parallel schalten, um mehr Strom schalten zu können. Bzw. um einen
geringeren RDSon zu erzielen.
Wenn ich mich richtig erinnere, dann haben wir das parallel schalten von
Mosfets nicht gemacht, da der RDSON einer Fertigungsstreuung unterliegt.
Beim TPC8120 wird ein Bereich von 3,3 bis 4,2 milliohm angegeben.
Beispiel: Es werden zwei MOSFETS, einer mit 3mOhm und einer mit 4mOhm
parallel geschaltet. Folglich teilt sich der Strom nicht in zwei gleiche
hälften. Ein Transistor kann in dieser Konfiguration fast den gesamten
Strom tragen und somit außerhalb seiner Spec betrieben werden.
Andreas P. schrieb:> dann haben wir das parallel schalten von> Mosfets nicht gemacht, da der RDSON einer Fertigungsstreuung unterliegt.
Das mit der Streuung stimmt zwar, ist in der Praxis aber unerheblich.
Man kann evtl. durch parallelschalten nicht genau den doppelten Strom
schalten, aber 180% sicher. Selbst wenn einer der MOSFet einen
geringfügig höheren RDSOn hat, spielt das keine Rolle. Sicher ist es
aber sinnvoll, MOSFet aus der gleichen Charge zu benutzen. Wichtiger
ist, das der Treiber die doppelte Gateladung schnell aufbringen kann und
auch kräftig genug ist, um zügig über die Millerkapazität
'rüberzuschalten.
Also kaskadieren nicht, parallelschalten schon - oder eben gleich nach
einem P-Kanal suchen, der den höheren Strom als Einzelexemplar verträgt.
Heinz G. schrieb:> StarLord schrieb:>> und wie werden die MOSFETS angesteuert?>> Hallo,>> na ich ziehe das Gate über nen kleinen Transistor MUN2213 auf Masse!
und das soll ich woher wissen?
und was ist mit der Frage WIE du damit schalten willst? Einfach nur
ein/aus könnte so möglich sein. Bei einer PWM könnte es wie schon
genannt zu Problemen wegen der Umladung der Kapazität kommen.
Heinz G. schrieb:>> ich hab angehängte Schaltung mit nem p-kanal MOSFET> der kann bis zu 18A treiben!
Mach erst mal.
> jetzt ist die Frage:>> kann ich den nicht einfach "kaskadieren", also> irgendwie noch eine Stufe dranhängen, sodass ich> einen noch höheren Strom treiben kann?>> quasi einen weiteren von den MOSFETs (irgendwie) parallel?
Ich schlage vor, du liest mal die Bedeutung der Worte "parallel" und
"kaskadieren" nach. Das sind zwei grundverschiedene Dinge.
Wenn man (noch) mehr Strom schalten will, dann würde man einen anderen
(dickeren) MOSFET nehmen. Es ist sehr unwahrscheinlich, daß du Ströme zu
schalten hast, die ein einzelner MOSFET nicht mehr schafft.
Und dann kann man im Schaltbetrieb MOSFET auch parallel schalten. Es
kann sinnvoll sein, das auch dann schon zu tun, wenn ein einzelner
MOSFET den Strom noch schaffen könnte. Zum einen weil sich dann die
Verlustleistung auf mehrere Gehäuse verteilt und leichter abzuführen
ist. Zum anderen weil man mehr Sicherheit bei Stromspitzen hat.
Allerdings ist deine MOSFET-Ansteuerung sehr auf Kante genäht. Beim
Abschalten wird die Gate-Kapazität des MOSFET über R17 nur relativ
langsam entladen. Die 7nF Gate-Kapazität des TPC8120 ergeben mit R17=47K
eine Zeitkonstante \tau von um die 330µs. Der gesamte Abschaltvorgang
kann dann bis 1ms lang dauern. Und in dieser Zeit fällt ein guter Teil
(maximal die Hälfte) der Ausgangsleistung (15V und 18A -> 270W) am
MOSFET an. Das kann man deutlich besser machen.
Bei 15V Versorgung ist es sicher am einfachsten, einen Smart Hi-Side
Switch (aka ProFET) aus dem Automotive Bereich einzusetzen. Z.B. BTS555
schafft 165A. Die Teile haben auch Schutzschaltungen und einen
Diagnose-Anschluß.
Heinz G. schrieb:> spricht da etwas gegen?
ja.
bei knapp 5W max. Verlustleistung verschwindet der von dem Fleck bei
fehlerhaftem Treiber.
Axel S. schrieb:> Allerdings ist deine MOSFET-Ansteuerung sehr auf Kante genäht. Beim> Abschalten wird die Gate-Kapazität des MOSFET über R17 nur relativ> langsam entladen. Die 7nF Gate-Kapazität des TPC8120 ergeben mit R17=47K> eine Zeitkonstante \tau von um die 330µs.
Heinz G. schrieb:> Hallo,>> ich hab angehängte Schaltung mit nem p-kanal MOSFET>> der kann bis zu 18A treiben!
Da wird das arme SO-8 mächtig ins Schwitzen kommen. Merke: Stromangaben
bei MOSFET sind reines Marketing, und die wertloseste Angabe im
Datenblatt. Selsbt die disclaimer auf der letzten Seite haben mehr
Aussagekraft als das.
> jetzt ist die Frage:> ...
MOSFET im Schaltbetrieb (!) kann man relativ gut parallel schalten, wenn
sie gleich sind. Grund: der RDSon hat einen positiven
Temperaturkoeffizienten.
Theoretisch zumindest.
Praktisch hat dein FET 4,2mOhm max, da muss auch das Layout passen.
Sorge dafür, dass die Anschlüsse im Layout etwa gleich sind, dann klappt
das aber auch.
Sonst noch:
In der Praxis wirst du möglicherweise einen Gatetreiber benutzen wollen,
insbesondere wenn du PWM verwenden willst.
PS:
Privat benutze ich (als fauler Hund) gerne Lowside-Treiber (z.B. HITFET)
oder Highsidetreiber. Die gibts nämlich in kurzschluss- und
überlastfest.
Über die solltest du auch nachdenken. Spart riesige Mengen Sicherungen
:-)
Axel S. schrieb:> Die 7nF Gate-Kapazität des TPC8120 ergeben mit R17=47K> eine Zeitkonstante \tau von um die 330µs. Der gesamte Abschaltvorgang> kann dann bis 1ms lang dauern. Und in dieser Zeit fällt ein guter Teil> (maximal die Hälfte) der Ausgangsleistung (15V und 18A -> 270W) am> MOSFET an. Das kann man deutlich besser machen.
Laut SOA-Diagramm müsste er für 1ms bei 20V etwas mehr als 20A aushalten
können - bei 25°C.
Aber du hast natürlich recht: es ist grenzwertig, man kann es besser
machen und der Tipp mit dem ProFET ist noch besser.
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