Gast
#5097527
Wird ein MOSFET bei einem Drain-to-Source-Breakdown beschädigt, oder darf er im Rahmen der thermischen Belastbarkeit "rückwärts" leiten, also quasi wie eine Zener-Diode?
@ Benz (Gast) >Wird ein MOSFET bei einem Drain-to-Source-Breakdown beschädigt, Das kommt auf den Strom, die Energie und Verlustleistung an. >oder >darf er im Rahmen der thermischen Belastbarkeit "rückwärts" leiten, also >quasi wie eine Zener-Diode? Ja, nennt sich Avalanchedurchbruch und zerstört den MOSFETs NICHT, wenn die oben genannten Dinge innerhalb bestimmter Grenzen liegen. Dis sind aber deutlich geringer als im Linear- oder gar Schaltbetrieb.
in der Regel hacht man ja am Gate einen Überspannungsschutz rein, dann legt man noch eine Supressordiode vom Gate zum Drain. Beispiel 400V MOSFET, 360V Supressordiode vom Gate zum Drain, wenn jetzt die Spannung am Drain zu hoch wird wird das Gates aufgesteuert wodurch die Spannung am Drainanschluss zusammenbricht. Edit: Beispiel https://i.stack.imgur.com/lalFe.jpg
Thomas O. schrieb: > in der Regel hacht man ja am Gate einen Überspannungsschutz rein, dann > legt man noch eine Supressordiode vom Gate zum Drain. …und in der Regel haben Dioden, ganz gleich welcher Bauart, eine Kapazität, wie das Gate und die liegt dazu parallel und dazu noch ein paar Induktivitäten in Reihe. Schließlich hat man in der Regel noch eine Source-Induktivität und ein Stück Weg zum Treiber und der Rest ergibt sich aus dem Treiberstrom. Stichwort für Menschen ohne Kenntnisse der Regeln: Schwingkreis. (In der Regel berechne ich ein paar Kleinigkeiten, simuliere dann ein paar Möglichkeiten, messe am Versuchsaufbau und wenn es nur ein Arduino ist, der eine LED anschaltet, kauf' ich keinen fully avalanche rated automotive MOSFET. Und eine 360V Suppressordiode – man beachte die 2 p – von Drain nach Gate ist die beste gefühlte Sicherheit seit der erweiterten Forensuche. Ich schlage noch vor, 70cm 2,5mm²-Zuleitung und eine Tupperbox zwecks Isolierung zu spendieren und die Suppressordiode so wasserdicht zu verpacken.) Forensuche: Beitrag "Re: MOSFET Vds Breakdown"
Gast
#5097679
Thomas O. schrieb: > in der Regel hacht man ja am Gate einen Überspannungsschutz rein, dann > legt man noch eine Supressordiode vom Gate zum Drain. Die Supressordiode zw. Gate u. Drain ist überhaupt nicht die Regel. Das ist eindeutig ein Spezialfall, wenn man eine definierte Spannung haben will, bei der der Mosfet leitend wird. In der Regel wird man es vermeiden wollen, Energie plump in Wärme umzuwandeln. (JA,ja, von einer Heizung mal abgesehen).
@Boris Ohnsorg: Bitte vielmals um Entschuldigung das ich keine genau berechnete durch simulierte Schaltung mit fertigem Layout gepostet habe, sondern nur ein Beispiel wie man den Durchbruch verhindern kann. Hoffe der Threadersteller kann damit etwas anfangen.