MOSFET: Drain-to-Source Breakdown

[Benz (Gast)]

Wird ein MOSFET bei einem Drain-to-Source-Breakdown beschädigt, oder 
darf er im Rahmen der thermischen Belastbarkeit "rückwärts" leiten, also 
quasi wie eine Zener-Diode?

[Falk B. (falk)]

@ Benz (Gast)

>Wird ein MOSFET bei einem Drain-to-Source-Breakdown beschädigt,

Das kommt auf den Strom, die Energie und Verlustleistung an.

>oder
>darf er im Rahmen der thermischen Belastbarkeit "rückwärts" leiten, also
>quasi wie eine Zener-Diode?

Ja, nennt sich Avalanchedurchbruch und zerstört den MOSFETs NICHT, wenn 
die oben genannten Dinge innerhalb bestimmter Grenzen liegen. Dis sind 
aber deutlich geringer als im Linear- oder gar Schaltbetrieb.

[Thomas (kosmos)]

in der Regel hacht man ja am Gate einen Überspannungsschutz rein, dann 
legt man noch eine Supressordiode vom Gate zum Drain.


Beispiel 400V MOSFET, 360V Supressordiode vom Gate zum Drain, wenn jetzt 
die Spannung am Drain zu hoch wird wird das Gates aufgesteuert wodurch 
die Spannung am Drainanschluss zusammenbricht.

Edit: Beispiel https://i.stack.imgur.com/lalFe.jpg

[Boris O. (bohnsorg)]

Thomas O. schrieb:
> in der Regel hacht man ja am Gate einen Überspannungsschutz rein, dann
> legt man noch eine Supressordiode vom Gate zum Drain.

…und in der Regel haben Dioden, ganz gleich welcher Bauart, eine 
Kapazität, wie das Gate und die liegt dazu parallel und dazu noch ein 
paar Induktivitäten in Reihe. Schließlich hat man in der Regel noch eine 
Source-Induktivität und ein Stück Weg zum Treiber und der Rest ergibt 
sich aus dem Treiberstrom. Stichwort für Menschen ohne Kenntnisse der 
Regeln: Schwingkreis.

(In der Regel berechne ich ein paar Kleinigkeiten, simuliere dann ein 
paar Möglichkeiten, messe am Versuchsaufbau und wenn es nur ein Arduino 
ist, der eine LED anschaltet, kauf' ich keinen fully avalanche rated 
automotive MOSFET. Und eine 360V Suppressordiode – man beachte die 2 p – 
von Drain nach Gate ist die beste gefühlte Sicherheit seit der 
erweiterten Forensuche. Ich schlage noch vor, 70cm 2,5mm²-Zuleitung und 
eine Tupperbox zwecks Isolierung zu spendieren und die Suppressordiode 
so wasserdicht zu verpacken.)

Forensuche: Beitrag "Re: MOSFET Vds Breakdown"

[der schreckliche Sven (Gast)]

Thomas O. schrieb:
> in der Regel hacht man ja am Gate einen Überspannungsschutz rein, dann
> legt man noch eine Supressordiode vom Gate zum Drain.

Die Supressordiode zw. Gate u. Drain ist überhaupt nicht die Regel. Das 
ist eindeutig ein Spezialfall, wenn man eine definierte Spannung haben 
will, bei der der Mosfet leitend wird.
In der Regel wird man es vermeiden wollen, Energie plump in Wärme 
umzuwandeln. (JA,ja, von einer Heizung mal abgesehen).

[Thomas (kosmos)]

@Boris Ohnsorg: Bitte vielmals um Entschuldigung das ich keine genau 
berechnete durch simulierte Schaltung mit fertigem Layout gepostet habe, 
sondern nur ein Beispiel wie man den Durchbruch verhindern kann. Hoffe 
der Threadersteller kann damit etwas anfangen.