Normalerweise in Gleichstromschaltungen wird ein Mosfet entgegen der Richtung seiner inneren Diode verdrahtet - beispielsweise wenn ein Microcontrollerausgang eine große Last schalten soll. Der Strom fließt dann beim Durchschalten entgegengesetzt zur Diode. Will ich den Mosfet als ideale Diode/Gleichrichter einer Wechselspannung nutzen, so kann diese Diodenrichtung eigentlich nur diejenige sein, welche durch die innere Diode ohnehin vorgegeben ist. Denn würde ich den Mosfet wie üblich in Sperrrichtung schalten lassen, würde er ja den Wechselstrom wegen der Diode in beide Richtungen durchlassen. Tatsächlich scheint es so zu sein, dass ein Spezial IC für einen idealen Gleichrichter, nämlich der LT4320 den Mosfet in Richtung der Diode durchschaltet. Hier fließt also entgegen dem oberen Beispiel der Strom im durchgeschalteten Zustand in Richtung der Diode. Dass ein Mosfet auch in Diodenrichtung also rückwärts durchschalten kann, steht in keinem Lehrbuch. Oder irre ich da? http://www.linear.com/product/LT4320
Karl M. schrieb: > Dass ein Mosfet auch in Diodenrichtung also rückwärts durchschalten > kann, steht in keinem Lehrbuch. Oder irre ich da? Du irrst dich. Überall steht, dass der Kanal keine Vorzugsrichtung hat, sich fast wie ein ohmscher Widerstand verhält.
hinz schrieb: >> Dass ein Mosfet auch in Diodenrichtung also rückwärts durchschalten >> kann, steht in keinem Lehrbuch. Oder irre ich da? > > Du irrst dich. Überall steht, dass der Kanal keine Vorzugsrichtung hat, > sich fast wie ein ohmscher Widerstand verhält. Das mag sein. Aber die angegebenen Schaltungsbeispiele sind immer vorwärts, nie rückwärts. Zumindest habe ich die noch nicht in Lehrbüchern gesehen.
Karl M. schrieb: > steht in keinem Lehrbuch. Ja, so direkt steht es nicht drin. Naja, es heißt ja dass der Kanal durch eine Art Feld geöffnet oder geschlossen wird und so die Bewegungsfähigkeit der Elektronen im Kanal eingeschränkt wird. Du kannst an das Gate einenes N-Kanal-MosFETs eine Spannung von meinetwegen 10V anlegen (zwischen Gate und Source) und dann öffnet sich das Gate (wird niederohmig). Wenn du eine Spannung von -10V anlegst, dann geht es nicht auf ... aber es ist laut Datenblatt erlaubt. (Ugs= +20/-20V) Ist zwar sinnlos mit der negativen Spannung, aber man kann es so machen.
Mike J. schrieb: > Karl M. schrieb: >> steht in keinem Lehrbuch. > Ja, so direkt steht es nicht drin. > > Naja, es heißt ja dass der Kanal durch eine Art Feld geöffnet oder > geschlossen wird und so die Bewegungsfähigkeit der Elektronen im Kanal > eingeschränkt wird. > > Du kannst an das Gate einenes N-Kanal-MosFETs eine Spannung von > meinetwegen 10V anlegen (zwischen Gate und Source) und dann öffnet sich > das Gate (wird niederohmig). Wenn du eine Spannung von -10V anlegst, > dann geht es nicht auf ... aber es ist laut Datenblatt erlaubt. (Ugs= > +20/-20V) > > Ist zwar sinnlos mit der negativen Spannung, aber man kann es so machen. Sinnlos ist es nicht, in manchen Schaltungen bei denen es wichtig ist das der Mosfet "ausgeschaltet" bleibt wird Ugs bipolar zb +-12V betrieben. Damit dieser garantiert bei Ugs -12V ausgeschaltet bleibt und du eine große Reserve hast, damit sich dieser aus diversen Gründen nicht wieder selbständig einschaltet. Gruß
Karl M. schrieb: > Schaltungsbeispiele sind immer vorwärts, nie rückwärts Bei Schaltungsbeispielen für Synchrongleichtung ("Ideale Diode") aber definitiv der Fall. Das ist gar nicht anders möglich (Fehler ausgenommen). [Der Begriff SYNCHRON - "zeitgleich" - bezieht sich ja gerade darauf, den Kanal (idealerweise) in der Zeit leitend zu schalten, wenn anderenfalls die interne Dode leitend wäre.] Du wirst also in Schaltungen dazu auf jeden Fall "MOSFETs verkehrt herum betrieben" finden. Ob nun in beliebigen solchen Schaltungen (z.B. Application Notes), oder solchen in Lehrbüchern. (Wobei ich allerdings letzteres ehrlich gesagt nicht kenne - mein Wissen stammt allein ... aus dem Internet. Eine Ausbildung oder ein Studium in dieser Richtung blieb mir, und bleibt mir wohl auch, versagt. Trotzdem bin ich mir dessen natürlich sicher.) Suche danach, Du wirst hundertprozentig fündig.
Richtig. Der MOSFET wird so geschaltet, dass die interne Diode in der richtigen Richtung leitet. Wenn die gate-Spannung deutlich positiver als das drain oder die source ist, schaltet der MOSFET und schließt die Diode über seinen Rdson kurz.
simmy schrieb: > (idealerweise) Das ist nicht die ganze Wahrheit. Dioden haben eine (meist extrem kleine, praktisch vernachlässigbare) Verzögerung vor dem leitend werden, und ebenfalls eine (schon etwas größere, praktisch je nach Schaltfrequenz teils nicht mehr vernachlässigbare) Verzögerung, bevor sie sperren können. Gerade MOSFET-interne Dioden sind (vor allem bei höheren Spannungen) etwas langsamer als vergleichbare "richtige" Dioden sein können - natürlich korrekte Wahl der Diode vorausgesetzt. Je nach Anwendung kann meine obige Behauptung also falsch sein, wirklich "ideal" wäre ein leitender Kanal, sobald/solange auch Spannung anliegt. Wie gesagt allerdings manchmal - äh - "unwichtig". So daß obige Behauptung häufig zutrifft (und oft für die Praxis ausreichend ist).
Karl M. schrieb: > Dass ein Mosfet auch in Diodenrichtung also rückwärts durchschalten > kann, steht in keinem Lehrbuch. Doch, schon, normalerweise steht im Lehrbuch dass ein MOSFET voll symmetrisch ist, und sein Source nur dadurch erhält, wohin der Bulk mitverdrahtet wird (es gibt auch MOSFETs mit einzeln herausgeführtem Bulk wie BSS83).
Waldemar H. schrieb: > Sinnlos ist es nicht, in manchen Schaltungen bei denen es wichtig ist > das der Mosfet "ausgeschaltet" bleibt wird Ugs bipolar zb +-12V > betrieben. Damit dieser garantiert bei Ugs -12V ausgeschaltet bleibt > und du eine große Reserve hast, damit sich dieser aus diversen Gründen > nicht wieder selbständig einschaltet. Im Semikron Applikationshandbuch wird empfohlen, MOSFETS mit 0V Ugs auszuschalten, IGBTs hingegen sollten mit einer negativen Uge ausgeschaltet werden.
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