Hallo Leute,
ich hab da ein Problem wo ich momentan noch nicht wirklich weiter weiß
und hoffe das ihr mir einen Tipp könnt.
Und zwar geht es darum, dass ein Leistungs-MOSFET als Schalter verwendet
wird. Die Schaltzeiten sind so gering, dass sehr große Störungen
auftreten und mir die anderen Signale in der Umgebung versauen. Ich habe
zuerst dran gedacht die Schaltzeiten zu verlängern, dies würde aber die
Schaltverluste in die Höhe treiben was natürlich auch nicht gewünscht
ist. Und mit einem LC-Filter die Versorgung entkoppeln geht auch nicht
so leicht, da eine entsprechende Induktivität für diese Ströme riesig
werden würde. Hättet ihr vielleicht eine Idee wie man die Störungen
anders dämpfen kann?
Viele Grüße
Visitor schrieb:> Hättet ihr vielleicht eine Idee wie man die Störungen> anders dämpfen kann?
Diverse, die aber alle vollkommen Schaltplanabhängig sind. Und ne
detaillierte Problembeschreibung kann auch nie schaden.
THOR schrieb:> Diverse, die aber alle vollkommen Schaltplanabhängig sind.
Und noch diverse mehr, die vollkommen vom Layout abhängig sind...
Visitor schrieb:> diese Ströme
Welche denn? Bei welchen Spannungen? Und wofür?
Layout herzeigen!
Ich dimensioniere den Gatevorwiderstand oft so, dass er mit der Ciss
gebildeten Ladekurve von Uth bis zur zum Strom passenden Gatespannung in
ca. trr geladen ist.
Zusätzlich dann noch ein Millerkond + Serienwiderstand zwischen Gate und
Drain. Das begrenzt du/dt selbst wenn Coss ba ca. 10V massiv absinkt.
Wenns eine Halbbrücke ist, dann helfen kleine 10nF Konds noch, um die
Stromschleifen zu reduzieren.
Weiters kann ein Ferrit oder ein 100R ca. in den Zuleitungen für die
Gatetreiber helfen (d.h. in + und -), um auch hier Stromschleifen zu
öffnen.
Problem sind immer die durch du/dt verursachten Kapazitätsströme. Z.b.
durch den Kühlkörper.
Greif das Gnd für den Gatetreiber erst beim Fet Source ab!
L.g.
der schreckliche Sven schrieb:> falschen Aufbau
Ohne den schrecklichen Aufbau zu kennen: Jeder Draht ist eine Antenne!
Lothar M. schrieb:> vollkommen vom Layout abhängig sind...
Suche Lothars praktisches Beispiel
"EMV-Optimiertes-Schaltreglerlayout.html"
Visitor schrieb:> die Schaltzeiten zu verlängern, dies würde aber die> Schaltverluste in die Höhe treiben was natürlich auch nicht gewünscht> ist. Und mit einem LC-Filter die Versorgung entkoppeln geht auch nicht> so leicht,
Wasch' mir den Pelz, aber mach' mich nicht naß. Entscheide Dich!
der schreckliche Sven schrieb:> Matthias S. schrieb:>> kurze kräftige Leitungen für die Leistungskreise>> Kreise sind des Teufels! Weil Luftspule = Magnetfeld.
Nun ja. "Ohne Kreis kein Strom". :)
Oder bei einer H-Brücke zumindest dem unteren FEt einen Kühlkörper aus
Keramik geben. Der wirkt nicht wie eine große Antennenfläche bzw. ein
Kondensator.
Visitor schrieb:> ch habe zuerst dran gedacht die Schaltzeiten zu verlängern, dies würde> aber die Schaltverluste in die Höhe treibe
Das ist aber der Weg. Man muss es ja nicht übertreiben. Gutes Layout
sorgt natürlich auch für kleine Abstrahlungen.
Wie Du siehst, besteht zu dieser Problematik reges Interesse, wobei aber
niemand verbindliche und wirklich hilfreiche Tipps geben kann - weil
ganz einfach sehr viele Informationen fehlen! :)
MaWin hat allgemein völlig recht - das ist der einfachste Weg.
Z.B. bei Schaltnetzteilen, die mit immer höheren und höheren Frequenzen
schalten, wählt man gerne Schaltzeiten im Bereich 1/250stel bis 1/25stel
der Schaltperiode. Je höher die Frequenz, desto mehr wird man wohl einen
Kompromiß in Richtung etwas längerer Schaltzeiten eingehen.
Bei Verwendung als Ein-/ Aus-Schalter, der da und dort mal schaltet,
sieht das völlig anders aus - man hat in Bezug auf Schaltverluste kaum
Probleme zu erwarten, so lange man den FET nicht im Schneckentempo
"schalten" (in dem Fall eher "linear Anlaufen"?) lassen will, wobei er
sogar sterben kann.
Zuallererst muß man also ermitteln, ob die Schaltzeiten und Schalt-
verluste in Deiner Anwendung überhaupt ein Problem darstellen.
Geh also ins Detail, bringe alle Informationen her.
Matthias S. schrieb:> Metallgehäuse und abgeschirmte Kabel
Wenn man das Übel gleich am Ursprung beseitigt, dann ist spart man viel
Blech, Filter und Durchführungskondensatoren.
sillybilly schrieb:> Z.B. bei Schaltnetzteilen, die mit immer höheren und höheren Frequenzen> schalten, wählt man gerne Schaltzeiten im Bereich 1/250stel bis 1/25stel> der Schaltperiode
Woher hast du diese Information?
sillybilly schrieb:> Alexander schrieb:> Woher hast du diese Information?>> Genau so kurz angebunden: Wieso fragst Du?
Weil es sich nach einer Daumenregel anhört, die ich zum ersten Mal höre.
Damit möchte ich nicht behaupten, dass sie falsch sei. Allerdings
erschließt sich mir nicht, inwiefern die Schaltflanke ZUSAMMEN mit der
Schaltfrequenz zu den EMV Problemen beiträgt.
Steile Schaltflanken können EMV Probleme verursachen, gar keine Frage.
Aber weshalb sollte die Schaltflanke von der Schaltfrequenz abhängig
sein, um EMV Probleme vorzubeugen.
Gruß,
Alexander schrieb:> Allerdings> erschließt sich mir nicht, inwiefern die Schaltflanke ZUSAMMEN mit der> Schaltfrequenz zu den EMV Problemen beiträgt.>> Steile Schaltflanken können EMV Probleme verursachen, gar keine Frage.> Aber weshalb sollte die Schaltflanke von der Schaltfrequenz abhängig> sein, um EMV Probleme vorzubeugen.
Nein, darum geht es gar nicht. Das habe ich auch nicht behauptet.
Sondern allein um einen Bereich, der "aus Vernunftgründen" gewählt wird.
Wieso sollte man bei einem Tiefsetzsteller mit 16kHz in 10ps schalten
wollen? Viel zu schnell, unnötig. - Von der nötigen Treiberleistung für
einen großen IGBT für 10ps mal abgesehen. - (Zumindest für Schaltwandler
- will man für irgend eine Anwendung 10ps Pulse bei 16kHz erzeugen, ist
das eine andere Sache...)
Oder: Schaltet man bei 2MHz in 250ns, ist das so langsam, daß statt
dem Stattfinden einer wesentlichen Leistungsübertragung eher der/die
MOSFET/s wegkocht/en.
Was ich da nannte, findet man vielleicht nirgends in Lehrbüchern (kann
ich nicht sagen). Das sind eher ungefähre (*) Erfahrungswerte. Und wären
die falsch, hätte längst jemand vehement widersprochen.
(* bzw. ein erweiterter Bereich dessen, was gerne gewählt wird, um die
Schaltverluste gegenüber den Leitverlusten in "bedeutungslosen"
Bereichen zu halten - weniger "erweitert" wären es wohl 1/100 bis 1/50,
vielleicht steht zumindest das irgendwo, ich weiß es nicht...)
sillybilly schrieb:> 2MHz in 250ns
Verzeihung, das wäre hier die Hälfte der Schaltperiode. Zu extrem.
Da würde mit Totzeit bei einem symm. Rechteck nicht einmal "das Dach"
erreicht. Hätte 100ns oder 50ns schreiben sollen.
