Hallo Leute, was wären die Entscheidungskriterien, um an den FETs eines BLDC-Treibers die FET-Body Diode durch externe Schottkys zu überbrücken? Ich würde den knappen Platz auf der Baugruppe eher für Kondensatoren opfern wollen - die Dioden sind bei den Strömen auch odentlich groß :-/ Brauche ich (wenn extern empfohlen) ggf. auch auf der High und der Low Seite die Dioden, oder wäre eine Seite (welche?) ggf. besser?
Frickel schrieb: > die FET-Body Diode durch externe Schottkys zu überbrücken? Ich würde die Freilauf/Body-Diode durch einen FET brücken. Das ist dann sowas wie eine "ideale" Diode MfG Klaus
die internen Dioden der FETs solten nicht her halten müssen. Eine Shottky ist eben eine Shottky.
@Frickel (Gast) >was wären die Entscheidungskriterien, um an den FETs eines BLDC-Treibers >die FET-Body Diode durch externe Schottkys zu überbrücken? Die Verlustleistung, welche vor allem durch die Schaltvorgänge entsteht. Da aber deine Brücke wahrscheinlich immer aktiv ist und keine Sparansteuerung betrieben wird, wird das nur wenig ins Gewicht fallen. >Brauche ich (wenn extern empfohlen) ggf. auch auf der High und der Low >Seite die Dioden, oder wäre eine Seite (welche?) ggf. besser? Wenn, dann an allen FETs.
Falk B. schrieb: > Die Verlustleistung, welche vor allem durch die Schaltvorgänge entsteht. > Da aber deine Brücke wahrscheinlich immer aktiv ist und keine > Sparansteuerung betrieben wird, wird das nur wenig ins Gewicht fallen. Hallo Falk. Kannst du mir den letzten Satz noch einmal genauer erklären? Bei mir sind die FETs immer (mit Ausnahme der Totzeit zum Wechsel) immer angesteuert. Sprich die Diode kommt nur selten (eigentlich nie) zum Tragen und sind verwerfbar? - Ist das deine Aussage?
Frickel schrieb: > Hallo Leute, > > was wären die Entscheidungskriterien, um an den FETs eines BLDC-Treibers > die FET-Body Diode durch externe Schottkys zu überbrücken? Ich würde den > knappen Platz auf der Baugruppe eher für Kondensatoren opfern wollen - > die Dioden sind bei den Strömen auch odentlich groß :-/ > > Brauche ich (wenn extern empfohlen) ggf. auch auf der High und der Low > Seite die Dioden, oder wäre eine Seite (welche?) ggf. besser? trr und Qrr (Reverse recovery). Das könnte fallweise relevant sein, und ist in jedem brauchbaren Datenblatt angegeben. Beispiel: http://www.aosmd.com/pdfs/datasheet/AO3422.pdf Natürlich ist Vf auch interesssant, möglicherweise. Aber wenn die Diode länger leitend sein sollte, sollte man eher versuchen, in dem Fall den Kanal aufzudrehen. Aber: Einen FET danach auszusuchen ist schon etwas selstam. Du wirst bei FET immer eine Verlustbehaftete SI-Diode drinhaben. Wenn diese Verluste in deiner Schaltung eine große Rolle spielen, wirst du um gescheite Schottky-Dioden nicht herumkommen, welche verhindert dass die Body-Diode jemals leitend wird. Ich sehe das eher im Sinne einer ergänzenden Prüfung, so in der Richtung "noch schnell kucken, ob trr eh nicht außerhalb von jedem sinnvollen Bereich ist" oder so.
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