GaN HEMT Chip Befestigung

[Sawyer M. (sawyer_ma)]

Hallo alle zusammen,

ich muss nun mal eine grundsätzliche Frage stellen. Ich habe vor einiger 
Zeit mal einen LNA mit einem ATF-55143 aufgebaut, von 10Mhz bis 5Ghz. 
Nun möchte ich einen weiteren LNA bin 10GHz aufbauen. Dabei bin ich auf 
diesen Amplifier gestoßen:

Qorvo TGF2023 GaN HEMT Transistors

Die Chip Dimensionen sind 0.82x0.92x0.10mm und genau da stellt sich mir 
die Frage. Müssen diese Chips gebondet werden oder per Flip Chip Montage 
befestigt?

Dies bietet mir den unheimlichen Vorteil der kurzen Leitungslänge. 
Deshalb ziehe ich solch ein Verstärker in Betracht. Was meint Ihr??

Beste Grüße

[Duennwandiger Troll (Gast)]

Flipchip sollte gehen, falls du diese Technologie im Griff hast. Die 
Kontaktierung bei 10GHz hat wahrscheinlich einen Einfluss auf die 
Impedanz. Denn ein Bonddraht von 1mm Laenge hat auch schon 1nH...

[Hp M. (nachtmix)]

Sawyer M. schrieb:
> Müssen diese Chips gebondet werden oder per Flip Chip Montage
> befestigt?

Steht doch alles im Datenblatt:


Bei den thermischen Daten:
1. Assumes eutectic attach using 1.5 mil thick 80/20 AuSn mounted to a 
10 mm x 10 mm x 40 mil CuMo Carrier Plate

und  weit hinten im DB:

Interconnect process assembly notes:
• Ball bonding is the preferred interconnect technique, except where 
noted on the assembly diagram.
• Force, time, and ultrasonics are critical bonding parameters.
• Aluminum wire should not be used.
• Devices with small pad sizes should be bonded with 0.0007-inch wire.

Ausserdem gibt es z.B. hier noch Hinweise:
http://media.wiley.com/assets/7280/42/9781119135548_GaN.pdf
http://www.qorvo.com/resources/d/qorvo-gaas-gan-die-assembly-handling-procedures-white-paper

[Peter (Gast)]

Hier wurde eine 2.5 GHz 8 W PA aufgebaut:
https://www.researchgate.net/publication/263640439_A_Miniaturized_25_GHz_8_W_GaN_HEMT_Power_Amplifier_Module_Using_Selectively_Anodized_Aluminum_Oxide_Substrate
(oben auf "Download" klicken)
Das Paper ist auf Koreanisch, man sieht aber die Montage des Chips.