Hallo zusammen, ich habe eine Frage bezüglich der Simulation einer H-Brücke mit welcher man einen Motor ansteuern kann. Die Simulation liefert irgendwie nicht das Ergebnis, welches ich mir erhofft habe. Aus meiner Sicht müsste bei der Simulation über die 100 Ohm Last eine Spannung von ungefähr 6 V anliegen, wenn Q3 durchschaltet. Dies ist aber nicht der Fall, aus irgendeinem Grund fällt auch über die Fet’s eine Spannung ab. Verwende ich hier den BUZ11 und den IRF5305, bei welchen die niedrige UGS Spannung laut Datenblatt ausreichend sollte, so erhalte ich hier ein ähnliches Ergebnis. Simuliere ich die gleiche Schaltung in Pspice, so erhalte ich hier das Ergebnis, welches ich mir erhofft habe. Ich hoffe ihr könnt mir hier ein weiteres Mal weiterhelfen, da ich den Fehler nicht finden kann. Danke und Gruß ih453
Die Ansteuerung von Q4 über R9 fehlt. M5 und M7 können je nach Typ gleichzeitig schalten. Schau dir mal den Strom durch die FETs an. Hier hilft eine Totzeit.
Die Schaltung ist in der Praxis sowieso unbrauchbar, weil sie keinerlei Vorkehrung gegen 'Shoot-Through' besitzt - den Moment, bei dem sowohl der obere als auch der untere MOSFet leitet und damit die Speisung kurzschliesst. Entweder verkabelst du über Kreuz, so das die diagonal gegenüberliegenden MOSFet leiten oder du benutzt eine fertige Motorbrücke, z.B. den BA6109, BA6208 oder auch den hier im Forum so verehrten L293. Wenn du auf dem Konzept mit 2 Halbbrücken bestehst, musst du erstens genug Ugs vorsehen, das beide MOSFet zügig und vollständig durchschalten, das geht mit 6V und einem BUZ11 schon mal nicht. Und zweitens musst du gezielt einen MOSFet abschalten, Totzeit einfügen und dann den anderen MOSFet einschalten.
Das Standard PMOS Modell hat bei ugs=-6V einen Sättigungsstrom von 360uA. 6V/100Ohm>>>>360uA --> Sättigung --> riesiger Spannugsabfall an den FETs
Hallo, >Die Ansteuerung von Q4 über R9 fehlt. >M5 und M7 können je nach Typ gleichzeitig schalten. Schau dir mal den >Strom durch die FETs an. Hier hilft eine Totzeit. Ich habe mir hier erst mal nur eine Drehrichtung betrachtet, aus diesem Grund habe ich die rechte Seite an GND angeschlossen. >Die Schaltung ist in der Praxis... Die fertigen IC liefern leider nicht genug Strom. Zudem interessiert mich der "diskrete" Aufbau der Schaltung mehr :-) 'Shoot-Through' war das was Peter vermutlich auch meinte. Guter Hinweis. Hier würde es ggf. Sinn machen mit einem RC-Glied zu arbeiten oder mit einem Controller erst M7 und dann M5 einzuschalten und bei dem ausschalten erst M5 und dann M7. Würde für die Schaltung bedeuten, dass ich auf jeder Seite 2 BJT benötige. Du hast geschrieben, dass der FET relativ langsam ist bei 6V. daher habe ich mir gerade noch einmal das Datenblatt des BUZ11 angesehen. Wo kann man dort ablesen das es so lange dauert? Aktuell tendiere ich noch dazu, die Schaltung mit 12V aufzubauen, dadurch würde auch hier die Spannung Ugs größer werden. CDas Standard PMOS Modell hat bei ugs=-6V einen Sättigungsstrom von >360uA. > >6V/100Ohm>>>>360uA --> Sättigung --> riesiger Spannungsabfall an den FETs Gute Info, dass erklärt natürlich 1-2 Effekte. Gibt es dazu ein Dokument wo das drin steht? Danke und Gruß ih453
Fabian S. schrieb: > Du hast geschrieben, dass der FET relativ langsam ist bei 6V. Nicht langsam, sondern er leitet bei 6V noch nicht mal richtig. Für solche niedrigen Gatespannungen benötigst du einen sogen. Logiklevel MOSFet, der bei 6V am Gate voll durchgesteuert ist. Fabian S. schrieb: > Die fertigen IC liefern leider nicht genug Strom. 100 Ohm Last können die alle treiben. Da du ja nicht schreibst, ob du evtl. auch eine andere Last treiben willst, können wir darüber nichts wissen. Nennt sich Salamitaktik, wenn man so erst im Laufe des Threads dahinterkommt, was der Fragende nun wirklich vorhat.
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