MOSFET PN-Dioden

[Markus E. (opc)]

Hallo,

könnte mir jemand erklären, warum die beiden pn-Dioden mit dem Body 
verbunden sind?

Ich weiß bisher nur, dass wenn man beim N-Kanal FET eine positive 
Spannung am Gate anlegt, die Elektronen aus dem Substrat "angezogen" 
werden und damit der Kanal zwischen den n-Inseln leitend wird.

Die pn-Dioden entstehen ja durch die unterschiedliche Dotierung der 
Inseln und dem Substrat. Aber warum mit Body verbunden?

Schöne Grüße

Markus

[Typ (Gast)]

Markus E. schrieb:
> Aber warum mit Body verbunden?

Na, weil das eben so hergestellt wird.
Kann man auch isolieren, aber jede zusätzliche Schicht erhöht auch den 
Wärmewiderstand und das will man nicht.

[Werner H. (werner45)]

Du kannst einen Chip natürlich auch nur an den Bondrähten aufhängen 
wollen, dann ist die Bodydiode mit nichts verbunden.
Aber wie wird da die Verlustwärme abgeführt?
Mir sind Fets mit Gehäuse-verbundener Bodydiode deutlich lieber...

Gruß   -   Werner

[Jörg W. (dl8dtl) (Moderator)]

Markus E. schrieb:
> Aber warum mit Body verbunden?

Die sind nicht „verbunden“, sondern die entstehen einfach an dieser
Stelle.

[Markus E. (opc)]

Ok. Danke.

Und welche Auswirkungen haben die auf den FET?
Ich habe gelesen, dass diejenige Richtung Source auch mit Source 
"verbunden" wird.

[Typ (Gast)]

Markus E. schrieb:
> Und welche Auswirkungen haben die auf den FET?

Die, dass da Dioden sind.

Markus E. schrieb:
> Ich habe gelesen, dass diejenige Richtung Source auch mit Source
> verbunden wird.

Was?

[Markus E. (opc)]

Typ schrieb:
> Markus E. schrieb:
>> Und welche Auswirkungen haben die auf den FET?
>
> Die, dass da Dioden sind.
>
> Markus E. schrieb:
>> Ich habe gelesen, dass diejenige Richtung Source auch mit Source
>> verbunden wird.
>
> Was?

Dass die Insel an Source mit dem Substrat verbunden ist. Ich verstehe 
aber nicht warum, kann das jemand erklären?

[Hp M. (nachtmix)]

Markus E. schrieb:
> Dass die Insel an Source mit dem Substrat verbunden ist. Ich verstehe
> aber nicht warum, kann das jemand erklären?

was für eine "Insel"?


Das Substrat muss nicht mit Source verbunden sein.
Es gab bei den ersten MOSFETs durchaus einige mit herausgeführtem 
Substratanschluss. Man hat so eine zusätzliche Möglichkeit über diesem 
Sperrschicht-FET die Leitfähigkeit des Kanals zu beeinflussen.
Da das bei JFETs aber immer nur in Richtung "sperren" geht, kann man das 
Substrat nicht einfach in der Luft hängen lassen. Es würde sich aufladen 
und die Steuerbarkeit über das Gate verschlechtern.

Im Übrigen ist bei den Analogschaltern der CMOS-ICs  (z.B. CD4066) das 
Substrat bzw. die Wanne tatsächlich nicht mit Source oder Drain 
verbunden, sondern -in Sperrrichtung gepolt- mit den 
Speisespannungsanschlüssen.

[Arno H. (arno_h)]

Suche mit der Suchmaschine deiner Wahl nach "power mosfet basics". Fast 
alle Hersteller bieten Grundlagendokumente an.
Die Bodydiode ist die Basis-Kollektorstrecke eines parasitären 
Transisors. Der Emitter liegt an der Source und durch die Verbindung von 
Basis und Emitter hast dann eine Diode zwischen Source und Drain. Besser 
erklärt zum Beispiel bei Fairchild/ONSemi oder IRF.

Arno