|
Anzeige
|
höhere Pulsbelastung
Gast
#5215379
Tag zusammen! Ich habe da eine Frage: Ich habe einen Mosfet, welcher für einen Drain Pulsstrom von 30Ampere für 200ms ausgelegt ist. Ist es möglich diesen auch mit z.B. 60 Ampere zu belasten, wenn die Belastungszeit kürzer ist? Wenn ja, wie lässt sich dies berechnen? (Im Datenblatt ist ja lediglich die maximale Temperatur des Chips angegeben. Hi, das ist ganz einfach: Wenn das im Datenblatt nicht drinsteht, heißt die Antwort: Nein. Gruß Andreas Eigentlich hat jedes Leistungs-Mosfet-DB ein sogenanntes SOA-Diagramm, aus dem sich sowas herauslesen läßt. Das sollte auch bei Deinem Mosfet so sein. Und üblicherweise noch ein Transient thermal Impedance Diagramm, mit dem sich wiederholte Impulsbeklastungen wärmetechnisch beschreiben läßt.
Gast
#5215512
Andreas B. schrieb: > Wenn das im Datenblatt nicht drinsteht, heißt die > Antwort: Nein. Das gilt insbesondere für den Deutschen Michel. Beim Chinesen nicht, und genau daher ist Deutschlands Elektronikmarkt auch im dramatischen Abstieg begriffen (die übliche Schönrederei ausgeklammert). @TO: schau dir mal z.B. Mosfet-Treiber an. Dort werkeln zwei kleine Transistoren sehr oft weit abseits ihrer zulässigen Pulsbelastung. Halte einfach einen guten Abstand zur rechnerisch höchstzulässigen Chiptemperatur, und du wirst nie Probleme bekommen. Sie werden dir hier freilich was anderes erzählen, aber da behältst du einfach den Michel im Kopf und gut...sonst bist du eines Tages auch nur noch in der Lage, Schaltungen zu bauen, die eigentlich niemand mehr braucht. Der Dreckige Dan schrieb: > Halte einfach einen guten Abstand zur rechnerisch höchstzulässigen > Chiptemperatur, und du wirst nie Probleme bekommen. Du bist also der Meinung, das die Bonddrähte unbegrenzt belastbar sind, solange der MOSFet nur nicht zu heiss wird? Das ist interessant, wenn auch nicht wahrscheinlich.
Gast
#5215544
Der Dreckige Dan schrieb: > ...sonst bist du eines Tages auch nur noch in der Lage, Ich bin eigentlich recht froh, dass meine Schaltungen stabil laufen. Sehe auch nicht ein, dass ich an meinen Vorgehen was ändern sollte. @ grill das ding (Gast) >Ich habe einen Mosfet, welcher für einen Drain Pulsstrom von 30Ampere >für 200ms ausgelegt ist. Welcher denn? Datenblatt? >Ist es möglich diesen auch mit z.B. 60 Ampere zu belasten, wenn die >Belastungszeit kürzer ist? Meistens ja. >Wenn ja, wie lässt sich dies berechnen? (Im Datenblatt ist ja lediglich >die maximale Temperatur des Chips angegeben. Grob gerechnet über den Energieeintrag, denn der heizt den Chip. Pi mal Daumen muss dass I^2*t Stromintegral kleiner als der Maximalwert bleiben. 30A^2 * 200ms = 18A^2s Bei 60A sind es dann nun noch 50ms, ggf. weniger. Ja, das kann man nicht endlos steigern, aber zumindest für Test- und Experimentierzwecke ist meistens DEUTLICH mehr möglich als im Datenblatt steht.
Gast
#5215642
Andreas B. schrieb: > das ist ganz einfach: Wenn das im Datenblatt nicht drinsteht, heißt die > Antwort: Nein. Genau genommen heißt das nur, das der Chip-Hersteller dafür nicht gerade steht. Falls es nur daran liegt, das im Datenblatt das nötige Diagramm fehlt, kann es durchaus sein, dass der FET damit gut klar kommt. Dafür müsste man natürlich wissen, was sich hinter "einen Mosfet" für ein Typ verbirgt und was "wenn die Belastungszeit kürzer ist" bedeutet. Falls es nur 199 statt 200ms sind, darf man sich vielleicht nicht zu große Hoffnungen machen. Ich nehme nie schwachbrüstige FETs sondern dimensioniere immer reichlich über. Der Vorteil ist dann, das diese nur einen geringen Einschaltwiderstand haben und dann nur wenig gekühlt werden muß. Oftmals brauche ich daher keinen Kühlkörper und die Platine reicht als Kühlfläche aus.
Gast
#5215699
Peter D. schrieb: > Ich nehme nie schwachbrüstige FETs sondern dimensioniere immer reichlich > über. Als Bastler ist das ok und normal. Sobald man bissl was berechnen kann, ist das nicht mehr nötig. Und wenn es gar um schnelle und effiziente Schaltungen geht, klappt das gar nicht mehr mit viel zu dicken Mosfets. Wolfgang schrieb: > Genau genommen heißt das nur, das der Chip-Hersteller dafür nicht gerade > steht. Mehr ist zur Frage des TO eigentlich nicht zu sagen. Es ist (auch dauerhaft)erheblich mehr möglich, als im DB steht. Nur wird der Hersteller dafür weder garantieren, noch solch extreme Test überhaupt machen wollen. Der Dreckige Dan schrieb: > Als Bastler ist das ok und normal. Als Bastler ist das nebensächlich. Aber wenn ich in einem Gerät Kühlkörper, Montageaufwand und vielleicht sogar nen Lüfter einsparen kann, ist das richtig Geld. Da lohnt sich schnell ein etwas teuerer FET. Und deutlich zuverlässiger ist das auch, als auf Kante genähte Verschleißteile. Hier mal ein FET für 100A Dauerstrom für kleines Geld (0,40€). http://de.farnell.com/infineon/bsc020n03lsgatma1/100a-30v-pg-tdson-8/dp/1775429 Bei 60A und 1,7 mOhm fallen 0,1V daran ab. Bei Dauerlast wären das 6W. Bei Pulslast sollte die Platine bequem als Kühlung reichen. Es lohnt sich also nicht, an der falschen Stelle zu sparen. Der erwaehnte FET macht dann keine 100A. Die 20W bringt man nie weg. die Flaeche ist 5x5mm. 20W bringt man nicht mal vernuenftig mit einem TO220 weg. Antwort schreibenBitte melde dich an, um einen Beitrag zu schreiben. |
Anzeige
|
