Hallo Ich habe einige Fragen zum Buch von Dieter Zastrow. These: Es geht um das Parallelschalten von Transistoren. Es steht da: Der RDSon nimmt mit der Temperatur zu, sodass bei parallel liegenden ungleichen Einschaltwiderständen die Tendenz zur ungleichmässigen Stromverteilung vorliegt. Frage: Der RDSon ist ja der Widerstand des Halbleiters. Ich hätte angenommen, dass dieser eher abnimmt, sonst hätte man ja das Problem mit der Erwärmung der Transistoren nicht, dass der Strom immer grösser wird und sich das Teil immer stärker erhitzt... Oder etwa nicht? These: Beim Parallelschalten bipolarer Leistungstransistoren müssen Ausgleichswiderstände in Reihe geschaltet werden, da sich sonst der den grösseren Teilstrom führende Transistor noch stärker erhitzt als die anderen. Frage: Wie in Reihe? So etwa wie im Bild? Die Ansteuerleistung hat sich dann verdreifacht, die Verlustleistung gedrittelt. Ist das korrekt? These: Bei parallel geschalteten Mosfets muss zur Vermeidung von Schwingungen jedem Gateanschluss ein Entkopplungswiderstand vorgeschaltet werden. Frage: Warum nur bei parallel geschalteten. Ich habe ja bei einem einzigen Mosfet auch eine Gatekapazität, die mit der Induktivität und dem Wirkwiderstand der Leitung selbst einen Schwingkreis bildet.. Der zusätzliche Widerstand würde hier ja dämpfen, oder nicht? Durch die Parallelschaltung addieren sich die Kapazitäten, ok, und die Induktivitäten und Widerstände der Leitungen (sehr klein) auch, aber bei einem einzigen Mosfet ist das ja etwa das selbe oder nicht?
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Du redest von Drain und Source über eine Schaltung, die nur Kollektor und Emitter enthält??? sortier erstmal die "Thesen" In denen sind Aussagen über bipolare Tsen und Mosfets munter gemischt. Erste These: Mischung von Mos. und bip. in einem Satz beim bip. Ts nimmt der "Widerstand" bei wachsender Temperatur ab. Es kommt dann zum "umkippen": Der Transistor, der den größeren Strom führt, erwärmt sich stärker und übernimmt, weil er dann niederohmiger wird, weiteren Strom. Im Endeffekt führt der eine Ts fast den ganzen Strom alleine. Abhilfe schafft man durch Emitterwiderstände. Die Last, am Kollektor,lässt sich üblicherweise nicht teilen. Die ist EIN Widerstand. Beim Mos nimmt der Widerstand beim Erwärmen zu. Der stärker belastete Mos bekommt höheren Widerstand, wird dadurch entlastet. Die Verteilung des Stroms wird gleichmäßiger. btw. Auch wenn Du etwas über Luther gehört haben solltest. In der Elektrotechnik spricht man nicht von Thesen. Das ist seit einigen hundert Jahren vorbei. Das mit den parallel geschalteten Mosfets: Da die inneren Kapazitäten (Cdg) recht hoch sind kann bei Schaltvorgängen die Spannungsänderung an einem der drains auf die gates der benachbarten Mosfets einwirken. Der am leichtesten steuerbare Mos übernimmt dann den Schaltvorgang alleine (für Besserwisser: Miller-Kapazität). Mit den Serienwiderständen werden die gates voneinander etwas entkoppelt. Für ein Schwingen ist nicht immer ein Schwingkreis notwendig. etwas Laufzeit oder drei RC-Verzögerungen reichen zum Schwingen aus.
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So kann es funzen. Sollte ein Transistor besser leiten als die anderen beiden, dann fließt ein höherer Strom durch den dazugehörigen Emitterwiderstand und das führt zu einem höheren Spannungsabfall an ihm, so dass an der Basis-Emitterstrecke weniger Spannung zum Durchschalten übrig bleibt. Mit den Widerständen stabilisiert sich die ganze Schaltung also wie von selbst.
Ach Du grüne Neune schrieb: > So kann es funzen. Sollte ein Transistor besser leiten als die anderen > beiden, dann fließt ein höherer Strom durch den dazugehörigen > Emitterwiderstand und das führt zu einem höheren Spannungsabfall an ihm, > so dass an der Basis-Emitterstrecke weniger Spannung zum Durchschalten > übrig bleibt. Mit den Widerständen stabilisiert sich die ganze Schaltung > also wie von selbst. So kenne ich das auch, die Widerstände sitzen in der Emitterleitung .
mauri schrieb: > Es steht da: Der RDSon nimmt mit der Temperatur zu, Das steht da sicher nicht. Einerseits hast du weggelassen, daß RDSon nur bei MOSFETs gilt, aber bipolare Transistoren gezeichnet, andereseits nimmt der RDSon nur unter bestimmten Rahmenbedingungen (nämlich dem voll durchgeschalteten MOSFET) bei Erwärmung zu, unter anderen Bedingungen (MOSFET im LInearbetrieb) nimmt er ab, den Satzteil hast du also auch weggelassen, und scheiterst nun weil verallgemeinert halt nichts von dem stimmt was du glaubst. mauri schrieb: > Beim Parallelschalten bipolarer Leistungstransistoren müssen > Ausgleichswiderstände in Reihe geschaltet werden, da sich sonst der den > grösseren Teilstrom führende Transistor noch stärker erhitzt als die > anderen. Ja, im Linearbetrieb und bei bipolaren sowieso. http://www.dse-faq.elektronik-kompendium.de/dse-faq.htm#F.22 mauri schrieb: > These: > Bei parallel geschalteten Mosfets muss zur Vermeidung von Schwingungen > jedem Gateanschluss ein Entkopplungswiderstand vorgeschaltet werden. Ja, und weil die Millerplateaus jeden MOSFETs selbst gleicher Typennummer unterschiedlich sind. http://www.dse-faq.elektronik-kompendium.de/dse-faq.htm#F.22.2
du kannst/ solltest auch den motor normal gegen plus und dem collector legen und die emmitterwiderstände gegen masse. Dann passiert genau so der effekt, der gewünscht ist. Die transitoren balancieren sich aus. Es handelt sich also um eine gegenkopplung. Je höher der strom ist, detso höher spannungsabfall und dammit, verändern sich die verhältnisse, an der basis zum emitter ( relativ gesehen), weil er jetzt höher über dem nullpunkt liegt ( spannungsabfall ) und sommit der B-E strom zurückgeht. Wenn du aber den motor so anlegst, wie bei Ach Du grüne Neun beschrieben, kommt ja noch der spannungsabfall von dem motor hinzu und der dürfte größer sein, als die spannungsabfälle an den widerständen, die würden dann marginalisiert werden. Schlimmer noch, der motor hat ja verschiedene spannungsabfälle, je nach lastfall. UNd dann dürftest du auch nicht mehr die transistoren durchgechaltet kriegen ( mit deinem TTL , oder was auch immer ausgang ). wenn du natürlich fets nehmen möchtest und nur schalten, dann machst du es , wie hier : http://www.frauensteinweb.de/RCShips/thumbs/t_MF100SP.jpg D und S werden parallel geschaltet und die Gates mit kleinen widerständen belegt. Gruß Michael
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Vor langer Zeit hatte ich mal das Buch über Fernsehtechnik von Zastrow durchgearbeitet. Ich erinnere mich noch an die vielen Fehler. Das hat mich total verärgert.
Ach dann schau dir mal die bücher von RICHTER an ... Da gab es viele schaltungen, die einfach nicht in gang bringbar gewesen sind. Besonders ärgerlich, wenn ein buch , Radiobasteln für Jungen geheissen hatte. Gruß Michael
Ich war richtig angepisst von diesem Bausatz-Buch: https://shop.heise.de/katalog/elektronik-baubuch?pk_campaign=feed&pk_kwd=gshopping&gclid=EAIaIQobChMIucDyr4iw2AIVAvEbCh21xg3AEAQYBCABEgLP5vD_BwE Davon habe ich zwei für meine Kinder gekauft. Das Buch ist auch voller Fehler und die Bauteile passen nicht zu den Experimenten. Da wird ganz oft eine Blink-LED als Taktgeber verwendet, doch mit der mitgelieferten LED hat das Taktsignal nur 1V Pegel. Bei Conrad bekam ich eine besser geeignete Blink LED. Dann schalten die da einen Summer mit einem Widerstand in Reihe, der viel zu hochohmig ist - er summt gar nicht. Man muss den Widerstand weglassen. Außerdem sind die ganzen Experimente extrem oberflächlich beschrieben, lernen tut man mit diesem Buch praktisch nichts.
Schlimm Stefan U. schrieb: > Ich war richtig angepisst von diesem Bausatz-Buch: > https://shop.heise.de/katalog/elektronik-baubuch?p... > > Außerdem sind die ganzen Experimente extrem oberflächlich beschrieben, > lernen tut man mit diesem Buch praktisch nichts. Schlimm! Vor allen Dingen sind die Kinder dann frustriert. Richter hat auch manches verbockt, hielt sich aber im Vergleich zu Zastrow noch in Grenzen. Auch in "Funktechnik ohne Ballast" (manche sagen ja: Ballast ohne Funktechnik", ha, ha) gab es einige Fehler, worüber ich mich gewundert habe bei der großen Auflage. Sehr gute Erfahrungen habe ich mit Fachbüchern vom Vogel-Verlag gemacht. ...so gut wie gar keine Fehler vorhanden...nur eine Kleinigkeit ist mir zufällig mal aufgefallen.
Ja, über Heinz Richter habe ich mich damals auch geärgert, irgendwann auch über den gesamten Franzis Verlag. Als "Wessi" habe ich dann die Bücher von Jakubaschk entdeckt - die waren um Klassen besser.
Mark S. schrieb: > Ja, über Heinz Richter habe ich mich damals auch geärgert, irgendwann > auch über den gesamten Franzis Verlag. Richter war doch nicht bei Franzis? AFAIR war der bei Franck/Kosmos.
juergen schrieb: > Sehr gute Erfahrungen habe ich mit Fachbüchern vom Vogel-Verlag gemacht. Ich hab von denen noch kein einziges taugliches Buch gesehen.
hinz schrieb: > Mark S. schrieb: >> Ja, über Heinz Richter habe ich mich damals auch geärgert, irgendwann >> auch über den gesamten Franzis Verlag. > > Richter war doch nicht bei Franzis? > > AFAIR war der bei Franck/Kosmos. hast Recht!
Mark S. schrieb: > Bücher von Jakubaschk entdeckt - die waren um Klassen besser. Das habe ich auch gelesen: Rundfunktechnik, teilweise noch Röhrentechnik. Ich war begeistert von dem Buch! Besser hätte man es nicht erklären können. Weder Flüchtigkeits- noch sonstige Fehler.
hinz schrieb: > juergen schrieb: >> Sehr gute Erfahrungen habe ich mit Fachbüchern vom Vogel-Verlag gemacht. > > Ich hab von denen noch kein einziges taugliches Buch gesehen. "Dioden und Transistoren" Vogel-Verlag habe ich komplett durchgearbeitet. Ein sehr gutes Fachbuch! Es war kein Fehler drin. Allerdings gab es im Transistor-Diagramm Eingangskennlinie eine Unklarheit. Aber das wird wohl an mir gelegen haben? Der Kennlinienknick war nicht ausgeprägt bei 0,7V vorhanden, sondern bei fing schon bei etwa 0,3V an und die Krümmung verlief nur allmählich. Ich habe lange darüber nachgedacht, ob es sich um Germanium handeln könnte. Wenn ja, dann hätte man das dazusagen müssen. Zum Schluß war noch eine ganze Kleinigkeit zur Vierpoltheorie - mehr nicht. "Modulationsverfahren" Vogel-Verlag Da habe ich die ersten 100 Seiten (AM)komplett durchgearbeitet. Nicht ein Fehler!!! Alles sehr gut beschrieben!
Stefan U. schrieb: > Ich war richtig angepisst von diesem Bausatz-Buch: > https://shop.heise.de/katalog/elektronik-baubuch?p... > > Davon habe ich zwei für meine Kinder gekauft. Das Buch ist auch voller > Fehler und die Bauteile passen nicht zu den Experimenten. > Zum Schluß noch: "Kosmos" hatte Ende der 50er den Radiomann-Bausatz rausgebracht. Das war eine sehr schöne Sache! Ich weiß nicht, was die Firma derzeit für Kinder an Bastelkästen im Angebot hat...und ob die gute Qualität bis heute beibehalten wurde. Aber, da würde ich mal nachschauen. LG
juergen schrieb: > "Kosmos" hatte Ende der 50er den Radiomann-Bausatz rausgebracht. > Das war eine sehr schöne Sache! Dazu die gereimten Werbesprüche: "Optikus und Photomann - erstaunlich was er leisten kann" "Alles was im Hause ist - untersucht der Alchemist"
Alle Kosmos Kästen die ich probiert habe, waren sehr enttäuschend. Die wachsenden Kristalle waren winzig klein und sahen ganz anders aus als auf dem Cover. Die Urzeit-Krebse-Suppe stank zum Himmel, bevor darin leben zu sehen war. Ein Solar-Auto konnte nicht fahren, weil die Solarzelle zu schwach war. Im Ameisen-Labyrinth sind die Ameisen verstorben bevor sie anfiengen, zu "graben".
Gut die neuen sachen kenne ich nicht. Aber der Radiomann, aus den 40ern , bis in die 70er jahre war ein schönes lehrspielzeug. Dasselbe galt für die Laborserien. Das problem ist, daß heute der schnelle erfolg zählt und nicht das prinzip dahinter. Der Radiomann sollte einen spielerisch an die rundfunktechnik bringen, wenn einem das dan zu leicht wurde, ging es auf die X serie über. http://www.sarganserland-walensee.ch/radio_tv_historisch/radiomann/radiomann0.htm https://www.radiomuseum.org/r/kosmos_elektronik_labor_xg.html als vorgänger gab es dann noch http://www.experimentierkasten-board.de/viewtopic.php?p=22 UNd in den 80er kamm dann die Laborserie heraus, was mir als basis für eigene schaltungen diente. ( steckbretter kannte ich noch nicht) http://www.experimentierkasten-board.de/viewtopic.php?t=243&p=3500 Vom prinzip gibt es die noch heute, aber lange nicht mehr so anspruchsvoll. Aber rein vom level her , empfinde ich die XG serie am besten. Die alten hatte ich alle und habe noch das XL und den Radiomann mit Röhre. Wer me an mechatronik intressiert gewesen ist, griff zu fischertechnik, inklusive den elektronikkästen. ( wurden mir alle geklaut :-( )
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Mark S. schrieb: > Dazu die gereimten Werbesprüche: > "Optikus und Photomann - erstaunlich was er leisten kann" > "Alles was im Hause ist - untersucht der Alchemist" Rumms! Da war die Bude leer keine Alchemisten mehr! :) MfG Paul
juergen schrieb: > Der Kennlinienknick war nicht ausgeprägt bei 0,7V vorhanden, Den gibts ja auch nicht.
Paul B. schrieb: > Rumms! Da war die Bude leer > keine Alchemisten mehr! Gib es zu, Du warst damals Werbetexter beim Kosmos-Verlag und bei Paech-Brot!
hinz schrieb: > juergen schrieb: >> Der Kennlinienknick war nicht ausgeprägt bei 0,7V vorhanden, > > Den gibts ja auch nicht. Könntest Du eventuell etwas näher darauf eingehen? Es handelt sich um den dritten Quadranten der Vierquadranten-Darstellung des Transistors. Zur Drucklegung, so etwa in den 80ern, drehte sich doch alles nur noch um Siliziumhalbleiter? Warum ist dann an der Stelle eine Germaniumkennlinie eingetragen (kommentarlos!!!)? ...oder sehe ich das gänzlich falsch? Wenn es das Buch von Zastrow wäre, würde ich ja nicht weiter drüber nachdenken - aber bei diesem Buch, in dem ich keinen einzigen Fehler entdeckt habe, wundere ich mich schon!
juergen schrieb: > hinz schrieb: >> juergen schrieb: >>> Der Kennlinienknick war nicht ausgeprägt bei 0,7V vorhanden, >> >> Den gibts ja auch nicht. > > Könntest Du eventuell etwas näher darauf eingehen? https://de.wikipedia.org/wiki/Shockley-Gleichung Die Position des "Knicks" ist eine Frage des Maßstabs, in der Diodengleichung gibts keinen.
Michael F. schrieb: > Gut die neuen sachen kenne ich nicht. Aber der Radiomann, aus den > 40ern > , bis in die 70er jahre war ein schönes lehrspielzeug. Dasselbe galt für > die Laborserien. > Ich hatte die Ausführung mit der roten und blauen Grundplatte (mit Röhre und Transistor). Nach etwa 3 Monaten Bastelei waren dann die Versuche alle durch, bis hin zum vollwertigen Empfänger mit Röhre und Transistor. Meine Mutter, Sekretärin, mußte aber ab und zu mal helfen. Das war ein wirklich schönes Spielzeug für die Zeit.
hinz schrieb: > juergen schrieb: >> hinz schrieb: >>> juergen schrieb: >>>> Der Kennlinienknick war nicht ausgeprägt bei 0,7V vorhanden, >>> >>> Den gibts ja auch nicht. >> >> Könntest Du eventuell etwas näher darauf eingehen? > > https://de.wikipedia.org/wiki/Shockley-Gleichung > > Die Position des "Knicks" ist eine Frage des Maßstabs, in der > Diodengleichung gibts keinen. Das habe ich mir schon gedacht. Trotzdem finde ich keine Erklärung dafür. Die Shockley-Gleichung kenne ich. Normalerweise bezieht sich die Kennlinie auf Raumtemperatur. ...aber auch egal...es gibt so vieles, was ich nicht verstehe.
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Ich habe eine weitere Frage zum Buch. Und zwar geht es um die obige Schaltung. Es ist ja so, dass anfangs die beiden Kondensatoren Cgs und Cgd nicht geladen sind. Die Spannung am Gate ist also 0V. Da die Millerkapazität aber am Drain hängt, beträgt die Spannung U, wenn der Mosfet mit der Spannung U versorgt wird. Damit ist also Ucgs = 0 und Ucgd = -U, das sind die Anfangszustände. Jetzt müssen die Kapazitäten, damit der Mosfet schaltet, geladen werden. Qtotal wäre dann also -> Qtotal = Cgs * Ugs + Cgd * (U+Ugs) Das Miller-Plateau (Gerade in der Ladungskurve) ist umso länger, je grösser U ist. Nun jetzt nehme ich einmal einen richtig fetten Mosfet. Den IRL3803: http://cdn-reichelt.de/documents/datenblatt/A100/IRL3803_IR.pdf Es gibt jetzt 2 Arten wie man den notwendigen Strom berechnen kann. Die einfache ist, man nimmt Qtotal aus dem Datenblatt und dividiert es durch die gewünschte Rise-time. In diesem Fall aus dem Datenblatt --> Qtotal = 140nC und trise = 230ns, tfall = 35ns Igate wäre dann also Igate = 140nC/230ns zum Einschalten etwa 0.6A und 140nC/35ns zum Ausschalten also 4A. Jetzt frage ich mich aber, warum man das so machen kann, denn Qtotal ist ja eigentlich von der Spannung U abhängig und wenn ich es mit meiner Formel Qtotal = Cgs * Ugs + Cgd * (U+Ugs) versuche, komme ich lediglich auf etwa 106nC. Warum? mit Cgd = Crss = 880pF Cgs = Ciss - Cgd = (5000-880)pF = 4120pF Ugs = 16V U = VDSS = 30V
Hmm keine Antwort auf meine vorige Frage? Würde mich sehr interessieren. Eine weitere Frage: Bei einer Aufgabe Uebung 6.3 ist ein Mosfet mit einer Spule am Drain ohne Freilaufdiode. Die Aufgabe ist: man berechne und zeichne die Funktionen für iD und UDS. Die Schaltphasen sind jeweils 25us lang, gleich lang also. UDS max sei 220V, beim Ausschalten. L=0.25mH, R=0. Nun ich habe UDS richtig, aber die Kurve für iD hat er dreieckförmig anstatt wie bei mir die Kurve ähnlich eines PT-1 Kurververlaufs. Warum dreieckförmig? Ist meine Annhame falsch? Im Internet finde ich auch immer PT-1 förmige Kurven. https://www.google.de/search?q=spule+stromanstieg&client=opera&hs=Jgf&source=lnms&tbm=isch&sa=X&ved=0ahUKEwjK5pTcssvYAhVIWhQKHWVvC7IQ_AUICigB&biw=1014&bih=470&dpr=1.25
Hi Ich möchte hier niemanden stressen, es ist ja auf freiwilliger Basis. Aber warum möchte hier niemand mit mir diskutieren? Stelle ich die Fragen zu blöd oder sind sie für euch einfach zu banal? Für mich nämlich ist die vorletzte Frage mit der Formel alles andere als banal, auf die letzte könnte ich noch verzichten.. ;) Ich wäre dankbar, wenn sich jemand opfern würde für mich :P bis dann
> Aber warum möchte hier niemand mit mir diskutieren?
Ich würde gerne mit diskutieren, aber die Frage übersteigt meinen
Horizont.
Ich denke nicht, dass du hier irgend etwas falsch gemacht hast.
Stefan U. schrieb: >> Aber warum möchte hier niemand mit mir diskutieren? > Ich würde gerne mit diskutieren, aber die Frage übersteigt meinen > Horizont. > Ich denke nicht, dass du hier irgend etwas falsch gemacht hast. Ja, das ist ja so ein grosses Forum. Da wird es doch sicher so einen Elektronikfreak mit panzerglasstarken Brillengläsern in der Brillenfassung geben, der sich dem Problem hier gerne annimmt. :P Oder etwa nicht?
Hi @mauri, zum einem Zastrow "Rechenbuch der Radio- und Fernsehtechnik ISBN 3-87234-111-1 gibt es noch ein Lösungsheft dazu: ISBN 3-87234-112-X Hast Du nur das Originalheft ohne Lösungsteil? Der Fehlerteufel im Lösungsheft wurde in der neueren Auflage wohl ausgetrieben? Zum Beispiel: 5 Elektromagnetismus 13. H nicht 0,75 sondern 0,675 I nicht 300 mA sondern 0,27 A viel Spaß ciao gustav
Karl B. schrieb: > Hi @mauri, > zum einem Zastrow "Rechenbuch der Radio- und Fernsehtechnik > ISBN 3-87234-111-1 > gibt es noch ein Lösungsheft dazu: > ISBN 3-87234-112-X > > Hast Du nur das Originalheft ohne Lösungsteil? > Der Fehlerteufel im Lösungsheft wurde in der neueren Auflage wohl > ausgetrieben? > Zum Beispiel: > 5 Elektromagnetismus 13. H nicht 0,75 sondern 0,675 > I nicht 300 mA sondern 0,27 A > > viel Spaß > ciao > gustav Hallo Gustav Vielen Dank für deinen Tipp. Ich werde es mir mal ansehen, das Buch. Es gibt schon Lösungen zu den Aufgaben in meinem Buch. Aber das was ich gefragt habe ist keine explizite Aufgabe, sondern nur eine Erklärung wie man einen Mosfet ansteuert. Beim Rechenbeispiel nennt er auch keinen Mosfettyp, sondern setzt einfach irgend welche Zahlen ein zB für UGS, CGS etc. Oben im Bild sieht man seine Berechnung noch ein wenig. Er sagt QGate_total = UGS * CGS + UGD * CGD = 35nC und setzt ein mit einer angenommenen Einschaltzeit von tein= 0.5us mit IG = QGate/tein = 70mA.. Ich behaupte, aber dass die Gleichung für QGate_total nicht stimmt.. Warum? 1.) Anfangs der Mosfet sperrt ist der Punkt am Gate wo die beiden Kapazitäten sind CGS und CGD sind 0V. 2.) Der Punkt am Drain, an der die Millerkapazität hängt, ist aber sagen wir Uo Was heisst, dass Ucgd = 0-Uo ist und damit Ucgd = -Uo ist. Das heisst, während die Kapazität CGS geladen wird auf Ucgs, wird die Millerkapazität von -Uo auf 0 und von 0 auf Ucgs geladen, mathematisch ausgedruckt also Q_miller = CGS * (Uo + Ucgs) Ist es jetzt klar? Und angenommen die obige Formel würde stimmen und es ist QGate_total = UGS * CGS + UGD * CGD Dann komme ich ja erst recht nicht auf die Datenblattangabe Qtotal, wenn ich mir die Werte einzeln herauspicke aus einem beliebigen Datenblatte eines Mosfets...
Ich habe nochmals im Datenblatt geschaut. Auf Seite 4 sieht man ja auch die Abhängigkeit der Millerkapazität von UDS. Aber ich gebe es nun auf. Was aber trotz Aufgeben meinerseits noch zu der letzten Frage führt: Warum ergibt laut Angabe im Datenblatt http://cdn-reichelt.de/documents/datenblatt/A100/IRL3803_IR.pdf Qgd + Qgs nicht gleich Qtotal?? (78 + 41)nC ist nicht 140nC?? Sind denn keine Leistungselektroniker hier??
mauri schrieb: > Warum ergibt laut Angabe im Datenblatt > http://cdn-reichelt.de/documents/datenblatt/A100/IRL3803_IR.pdf > Qgd + Qgs nicht gleich Qtotal?? > > (78 + 41)nC ist nicht 140nC?? > > Sind denn keine Leistungselektroniker hier?? Aber sicher doch. https://www.fairchildsemi.com/application-notes/AN/AN-9010.pdf Punk 5.2 auf Seite 9 (bzw 10 im pdf).
hinz schrieb: > mauri schrieb: >> Warum ergibt laut Angabe im Datenblatt >> http://cdn-reichelt.de/documents/datenblatt/A100/I... >> Qgd + Qgs nicht gleich Qtotal?? >> >> (78 + 41)nC ist nicht 140nC?? >> >> Sind denn keine Leistungselektroniker hier?? > > Aber sicher doch. > > https://www.fairchildsemi.com/application-notes/AN... > > Punk 5.2 auf Seite 9 (bzw 10 im pdf). ok, Ucgs+Ucgd sind nur die Ladungsmenge von t0-t3 t3-t4 fehlt also. Na gut zu wissen. Danke
mauri schrieb: nC ist nicht 140nC?? > > Sind denn keine Leistungselektroniker hier?? Für mich sind deine Fragen zu anspruchsvoll. Da kann ich nichts zu sagen. Aber was mir auch unverständlich ist: Nach deinen Fragestellungen zu urteilen bist du scheinbar ein Fachmann auf dem Gebiet der Elektrotechnik, kennst aber nicht mal das Symbol vom Transistor... s. Bild in deinem ersten Beitrag.
juergen schrieb: > mauri schrieb: > nC ist nicht 140nC?? >> >> Sind denn keine Leistungselektroniker hier?? > > Für mich sind deine Fragen zu anspruchsvoll. > Da kann ich nichts zu sagen. > Aber was mir auch unverständlich ist: > Nach deinen Fragestellungen zu urteilen bist du scheinbar ein Fachmann > auf dem Gebiet der Elektrotechnik, kennst aber nicht mal das Symbol vom > Transistor... s. Bild in deinem ersten Beitrag. Um ehrlich zu sein, ich würde nicht das Buch durcharbeiten, wenn ich schon ein Fachmann wäre. Vielen Dank aber für das Kompliment ;P Hier schreien die "meisten", Grundlagen, Grundlagen... Jetzt bin ich mal dabei und keiner hat eine Antwort?? :P Ich frage mich nur, wie man Schaltungen auslegen kann, ohne zu wissen, was eigentlich vor sich geht... Also ich kann das nicht. Darum die bescheuerten Fragen, bei denen offensichtlich keiner draus kommt. Mich interessiert halt auch die Funktion, was soll ich machen? Ach ja und das Bild des Transistors ;) In der Eile des Gefechts habe ich offensichtlich die Pfeile vergessen.
Du bist halt am Anfang der Lernkurve. Da haperts dann noch an allen Ecken zugleich. Ist für uns alte Hasen schon mal eher langweilig, immer wieder den Erklärbären zu spielen. Das solltest Du auch verstehen.
Mark S. schrieb: > Du bist halt am Anfang der Lernkurve. > Da haperts dann noch an allen Ecken zugleich. > Ist für uns alte Hasen schon mal eher langweilig, > immer wieder den Erklärbären zu spielen. > Das solltest Du auch verstehen. Verstehe ich durchaus. Ich achte genau deshalb auch darauf, dass ich keine dummen oder sehr banale Fragen stelle und das meiste selbst heraus finde. Es wäre ja anderst, wenn ich fragen würde, hey: Ich habe 5V und eine Last 300Ohm, was für ein Strom fliesst da genau? Ich habe im Internet gesucht, aber nichts gefunden.. :O Aber ich frage mich sowieso wie ihr das schafft, sogar noch so dumme Fragen in manchen Threads so gelassen zu klären. So manche von euch haben echt gute Nerven :P Naja.. nichts für ungut. ;) Mal sehen, vllt. kommt von mir eine etwas banalere Frage ;)
Eine kleine Frage noch ;) Im angefügten Bild ist ja der Treiber mit npn, pnp Transistoren. Diese dienen ja für das Schalten (Ein-Aus) Wieso sind diese Transistoren nun nicht so beschaltet, sodass sie übersteuert sind? Sprich mit Basisvorwiderstand und Emitterwiderstand?
Emitterfolger! Die sollen nur den Strom, nicht die Spannung verstärken.
mauri schrieb: > Wieso sind diese Transistoren nun nicht so beschaltet, sodass sie > übersteuert sind? Sprich mit Basisvorwiderstand und Emitterwiderstand? weil die angeschlossene Last keine Überlastung des Treibers verursacht. Strom fließt ja nur in der Umschaltzeit, um die Eingangskapazität usw. zum ent- oder aufzuladen. Das passiert im µs-Bereich und da kann der Ts ohne Probleme auch ein A verkraften. Dazu kommt dann noch: beim Umschalten ist entweder der PNP oder der NPN geöffnet, (nur in Ausnahmefällen beide). Und ein voll aufgesteuerter Transistor hat wegen des geringen UCE nur kleine Verluste. kurz gesagt: ein als Schalter genutzter Transistor darf sehr hoch belastet werden.
Peter R. schrieb: > nur in Ausnahmefällen beide Auch nicht in Ausnahmefällen. Selbst bei einem Dreiecksignal kann immer nur ein Transistor leiten. Erst wenn der eine Transistor vollständig zu gemacht, hat, fängt der andere Transistor 1,4 Volt später an zu leiten. Dieser Treiber ist selbstsicher.
hinz schrieb: > Emitterfolger! Die sollen nur den Strom, nicht die Spannung > verstärken. hinz schrieb: > Emitterfolger! Die sollen nur den Strom, nicht die Spannung > verstärken. Ja, wenn ich einen kleinen Motor steuere und dieses über den Bipolartransistor mache, dann betreibe ich diesen auch als Schalter. Und wenn ich ihn auch noch geschwindigkeitsmässig steuern will, hänge ich eine PWM dran an die Basis. Deshalb muss ich den Transistor trotzdem so auslegen, dass so wenig Verlustleistung wie möglich entsteht. Also Wenn Strom fliesst im Sättigungsbereich des Transistors. Hier ist es doch das gleiche oder etwa nicht? Ich schalte auch.
mauri schrieb: > hinz schrieb: >> Emitterfolger! Die sollen nur den Strom, nicht die Spannung >> verstärken. > > hinz schrieb: >> Emitterfolger! Die sollen nur den Strom, nicht die Spannung >> verstärken. > > Ja, wenn ich einen kleinen Motor steuere und dieses über den > Bipolartransistor mache, dann betreibe ich diesen auch als Schalter. > Und wenn ich ihn auch noch geschwindigkeitsmässig steuern will, hänge > ich eine PWM dran an die Basis. > > Deshalb muss ich den Transistor trotzdem so auslegen, dass so wenig > Verlustleistung wie möglich entsteht. > Also Wenn Strom fliesst im Sättigungsbereich des Transistors. > > Hier ist es doch das gleiche oder etwa nicht? > Ich schalte auch. Und ausserdem hier bei der Motorsteuerung wird ja auch keine Spannung verstärkt, sondern nur der Strom. Aber trotzdem wird der Transistor als Schalter ausgelegt?? Irgendwie verstehe ich das nicht so ganz.
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