Mathias schrieb:
> Welche kriterien muss ich bei der Auswahl Achten.
Halbbrückentreiber, die erzeugen die Steuerspannung für den 'oberen'
MOSFET selber so daß man gute N-MOSFETs verwenden kann.
Achten sollte man darauf, daß die dead time zur Umschaltzeit der
verwendeten MOSFETs passt.
Dankbarerweise gibt es moderne MOSFETs die bei der Spannung trotzdem
eine niedrige gate-Ladung haben. Man muss nicht mehr so grosse
Kapazitäten umladen wie früher, und kommt mit kürzerer dead time aus.
Und wenn man nicht dauernd Schrott haben will, wäre eine schnelle
Überstromerkennung auf diesem Hardwarelevel nicht verkehrt, LT1158 oder
IR2130.
Da man bei BLDC oftmals ohne Hallsensoren auskommen will und die
Back-EMF auswertet, stört die PWM Frequenz der Treiber bei der Back-EMF
Auswertung, man muss die PWM ausfiltern, und das geht deutlich
einfacher, wenn die PWM Frequenz drastisch höher ist als die
Brückenfrequenz. Dummerweise fängt man sich mit steigender PWM Frequenz
Probleme ein mit ground bounce weil 60V in 1 Microsekunde umgeschaltet
schon enorme Steilheiten ergeben.
Ein Gate mit 5A umzuladen ist eine Einladung zur nicht-funktionierende
Platine, insofern sind 500mA Treiberleistung nicht verkehrt, das lädt
langsamer um und macht weniger Probleme, ist aber schlecht für Back-EMF,
man sollte Sensoren nutzen.