wenn ich groß bin schrieb:> Warum ist das so? Haben Schottky-Dioden generelle kürzere Reverce> Recover-Zeiten?
Die haben gar keine Reverse Recovery Zeit. Weil der Vorgang "Recovery" =
"Ausräumen der Minoritätsladungsträger aus der Sperrzone" nicht
stattfindet. Nicht stattfinden muß.
wenn ich groß bin schrieb:> Hallo, im verlinkten Artikel heißt es: "Sie hat im Vergleich zur> Bodydiode des unteren MOSFET keine „Reverse Recovery“-Zeit....">> https://www.analog-praxis.de/stoerungen-im-schaltregler-mit-einer-schottky-diode-reduzieren-a-677885/
Was hat die Recovery-Time der Freilaufdiode mit dem Einschalten der
Diode zu tun? Nur darum geht es doch in dem Artikel. Dort braucht man
eine Diode, die schneller als die Body-Diode des Mosfet einschaltet und
mit weniger Überspannung leitend wird.
Das Ausräumen der Ladungsträger aus der Diode geschieht in der auf die
Totzeit folgenden Einschaltzeit des Mosfet durch den eingeschalteten
Mosfet selbst und hat mit dem Überbrücken der Totzeit doch nicht zu tun.
ArnoR schrieb:> Was hat die Recovery-Time der Freilaufdiode mit dem Einschalten der> Diode zu tun?
Tja, echt ungeschickt, wenn man das "Reverse" beliebig verwendet oder
weglässt.
wenn ich groß bin schrieb:> Hallo, im verlinkten Artikel heißt es: "Sie hat im Vergleich zur> Bodydiode des unteren MOSFET keine „Reverse Recovery“-Zeit...."
Im verlinkten Artikel heißt es zu den Body-Dioden: "Sie schalten sehr
langsam aufgrund eines Effekts, der sich Reverse Recovery nennt." Das
ist aber erst mal egal.
Interessanter ist, wie schnell sie abschalten, denn während dieser
Zeit fließt ein Strom "rückwärts" durch den Mosfet. Und dagegen hilft
die parallel dazugebastelte Schottky-Diode gar nichts, denn auch wenn
die parallele Schottky-Diode sofort sperren würde, leitet trotzdem noch
die Diode im Mosfet während der trr. Da hat entweder wer das Prinzip
nicht ganz verstanden, oder er kann es nur schlecht erklären.
Die Diode hilft nur im Vorwärtsbetrieb. Und zwar solange, bis der Mosfet
eingeschaltet hat und die Schottky-Diode überbrückt. Eine wie im Text
angeführte "kleine" Schottky-Diode hilft hier aber auch nicht sooo arg
viel, denn wenn der Spannungsabfall über der Diode zu groß wird, dann
fängt wieder die Bodydiode an zu leiten...
Lothar M. schrieb:> Interessanter ist, wie schnell sie abschalten, denn während dieser> Zeit fließt ein Strom "rückwärts" durch den Mosfet. Und dagegen hilft> die parallel dazugebastelte Schottky-Diode gar nichts, denn auch wenn> die parallele Schottky-Diode sofort sperren würde, leitet trotzdem noch> die Diode im Mosfet während der trr.
???
In dem Artikel geht es um das Einschalten der Diode während der Totzeit,
also der Zeit zwischen dem Ausschalten des oberen (Längs-) Mosfet und
dem Einschalten des unteren Mosfet. Normalerweise übernimmt in der Zeit
die Body-Diode im Mosfet den Strom. In dem Artikel wird nun behauptet,
dass die auf Grund ihrer Reverse-Recovery-Time zu langsam dazu ist, es
unnötig hohe Spannungen bei der Stromübernahme gibt und man besser eine
Schottky-Diode parallel schaltet.
Die Body-Diode im Mosfet wird näherungsweise gar nicht leitend, weil die
Schottky den Strom schneller übernimmt und eine kleinere Flussspannung
hat.
ArnoR schrieb:> weil die Schottky den Strom schneller übernimmt und eine kleinere> Flussspannung hat.
Aber eben nicht, wenn das wie im Artikel propagiert nur eine "kleine"
Schottky-Diode ist. Denn wenn die für kurze Zeit einen großen Strom
abbekommt, dann wird die Vorwärtsspannung gleich wieder größer...
Lothar M. schrieb:> Aber eben nicht, wenn das wie im Artikel propagiert nur eine "kleine"> Schottky-Diode ist.
Dann wäre ja der ganze Artikel überflüssig. Nein, dort wird schon davon
ausgegangen, dass die Schottky groß genug ist, um den Strom im
wesentlichen zu übernehmen. Das ist auch korrekt so. Was aber nicht
stimmt, ist die Behauptung, dass die Body-Diode infolge ihrer
Reverse-Recovery-Time ungeeignet zur Stromübernahme ist. Selbst
langsame Dioden mit großer trr können sehr schnell einschalten. Da gab`s
doch mal Einen, der das gemessen hat. Da waren sogar 1N400x wenige
ns-schnell.
Was du da oben geschrieben hast, bezieht sich aber auf die leitende
Body-Diode. Nur würde die (ohne parallele Schottky) noch während der
Einschaltzeit des unteren Mosfet von dem ausgeräumt und ist dann am Ende
der Einschaltzeit des unteren Mosfet ohne Ausräumzeit sperrfähig.
ArnoR schrieb:> In dem Artikel geht es um das Einschalten der Diode während der Totzeit,> also der Zeit zwischen dem Ausschalten des oberen (Längs-) Mosfet und> dem Einschalten des unteren Mosfet.
Genau andersherum.
Wenn der untere Mosfet ABschaltet, und der leitende Kanal entfällt,
fließt der Strom weiter, da die Bodydiode leitend wird. Wenn dann der
obere Mosfet nach verstreichen der Totzeit EINschaltet, fließt in die
Bodydiode des unteren ein Rückwärtsstrom, der "Reverse Recovery
Current". Das dauert bei aktuellen Typen 30 - 50 nS, "sehr langsam" ist
also völlig unzutreffend. Da der Strom aber einen sehr hohen Wert haben
kann, und nach verstreichen der trr extrem plötzlich "abgewürgt" wird,
haben diese Impulse hohes Störpotential. Die parallele Schottkydiode
verhindert durch ihre geringere Flussspannung das Leitendwerden der
Bodydiode. Wenn die Diode schon sperrt, verursacht ein Spannungsanstieg
keinen Rückstrom. Könnte bekannt sein.
Im Übrigen finde ich den besagten Artikel ziemlich bescheiden. Offen bar
muß einer nicht mal Strom und Spannung unterscheiden können, um einen
Job bei AD zu kriegen.
der schreckliche Sven schrieb:> Genau andersherum.> Wenn der untere Mosfet ABschaltet, und der leitende Kanal entfällt,> fließt der Strom weiter, da die Bodydiode leitend wird.
Hää? Zitate:
"In Bild 2 sind MOSFETs mit den entsprechenden PN-Übergängen eingesetzt.
Somit wird der Schaltknoten auch während der Totzeit nicht auf einen
Spannungswert von minus unendlich sinken, sondern der PN-Übergang des
unteren MOSFETs (in Rot dargestellt) wird den Stromfluss führen, bis die
Totzeit vorbei und der untere MOSFET eingeschaltet ist."
"Die Bodydioden der entsprechenden MOSFETs haben jedoch einen
entscheidenden Nachteil. Sie schalten sehr langsam aufgrund eines
Effekts, der sich Reverse Recovery nennt. Während dieser Zeit sinkt die
Spannung am Schaltknoten, bedingt durch die Induktivität L1, auf mehrere
Volt unter Masse ab."
Es geht nicht um den Übergang vom leitenden unteren Mosfet zum oberen,
sondern genau umgekehrt. Der obere Längsmosfet schaltet ab, der untere
Mosfet schaltet (nach der Totzeit) ein.
ArnoR schrieb:> Sie schalten sehr langsam aufgrund eines> Effekts, der sich Reverse Recovery nennt.
Na, das müsste dann ja "Forward Recovery" heissen. Sowas gibt es aber
nicht.
Oder doch?
Sind Dioden vielleicht auch nur Menschen, die in der Freizeit Party
machen und sich dann bei der Arbeit wieder erholen müssen?
Spass beiseite, die "Einschaltverzögerung" einer Diode wird durch die
Anschlussinduktivitäten dominiert. Da ändert eine Schottkydiode nichts
daran.
der schreckliche Sven schrieb:> ArnoR schrieb:>> Sie schalten sehr langsam aufgrund eines>> Effekts, der sich Reverse Recovery nennt.
Nee, das schrob nicht ich, sondern der Autor des oben verlinkten
Artikels, ich habe das nur zitiert.
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