Hallo, ich versuche gerade eine Diode zu finden die bei 1000V sperrt und einen Pulsstrom von 1kA für 10µs mit einer Wiederholfrequenz von 3kHz standhält. Normalerweise würde ich den IFSM Wert aus dem Datenblatt nehmen um meine Diode zu bestimmen. Allerdings ist dieser Strom für eine Sinushalbwelle mit 8ms definiert (zumindestens in den Datenblättern in denen ich nachgeschaut habe), daher bin ich nicht sicher in wie weit dieser hier zutrifft. Eine Diode die meinen Vorstellungen nahe kommt wäre: https://docs-emea.rs-online.com/webdocs/14b7/0900766b814b7d0b.pdf Die maximale periodische Strombelastbarkeit liegt hier bei IFSM ~ 500A; also nicht genug für meine Schaltung. Wenn ich nun nach dem I²T-Wert die Pulsbelastung berechne, würde ich auf I²t= 10A²s kommen. Der maximale Wert für die Diode ist allerdings I²tmax ~ 1000A²s. Wäre meine Diode nun unter- oder überdimensioniert? Wo ist der Fehler, den ich hier mache bzw. wie würde man bei der Bestimmung der Bauteile korrekt vorgehen? Vielen Dank im Voraus! Beste Grüße Christoph
Ich habe direkt einen Fehler gefunden. -.- Zum einen ist der IFSM Wert für NICHT periodische Belastungen definiert und zum anderem ist der Wert für die Pulsbelastung bei 10µs mit IFRM=800A angegeben. Also wäre demnach die Diode nicht für 1kA geeignet. Trotzdem bleibt die Frage wie ich dann den I²T Wert verstehen muss? Beste Grüße Christoph
@Christoph (Gast) >ich versuche gerade eine Diode zu finden die bei 1000V sperrt und einen >Pulsstrom von 1kA für 10µs mit einer Wiederholfrequenz von 3kHz >standhält. AUA! Was soll denn das werden? Wenn wir mal optimistisch von 3V Flußspannung @ 1kA ausgehen, macht das 3kW Spitzenleistung und bei 3 kHz Wiederholrate 90W Dauerleistung. Die muss man erstmal wegkriegen, ohne daß die Diode zu heiß wird. Denn dadurch sinkt die Pulsbelastbarkeit. >https://docs-emea.rs-online.com/webdocs/14b7/09007... Auch ein TO247 Gehäuse hat mit 90W Dauerleistung arge Kühlungsprobleme. Da sollte man eher 3-4 parallel schalten, dann hast du eine Chance. Durch den hohen Strom werden die Dioden automatisch ohmsch symmetriert. >Wäre meine Diode nun unter- oder überdimensioniert? Unter.
@Christoph (Gast) >IFRM=800A angegeben. Also wäre demnach die Diode nicht für 1kA geeignet. Nein. >Trotzdem bleibt die Frage wie ich dann den I²T Wert verstehen muss? Das ist die Energie, die man in eine kalte Diode (25°C) kurzfristig (ms-Bereich und weniger) reinpumpen kann, sodaß sie gerade so nicht überhitzt und kaputt geht. Dabei springt die Chiptemperatur auf die Belastungsgrenze von ca. 170-200°C.
Christoph schrieb: > Trotzdem bleibt die Frage wie ich dann den I²T Wert verstehen muss? Völlig abgegrenzt zu irgend einer Dauerbelastung.
Vielen Dank für die schnelle Antwort! Ich habe wohl die entstehende Verlustleistung an dem Bauteil unterschätzt. An den Spannungsabfall der Diode habe ich garnicht mehr gedacht. Eine Abwärme von 90W dürfte dann wohl schwierig werden. Beste Grüße Christoph
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