Forum: Mikrocontroller und Digitale Elektronik Berechnung von Pulldown und Serienwiderstand für MosFETs


von Andi (Gast)


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Hallo Forum,

ich möchte gerne ein Lauflicht aus 24V LED Signalleuchten bauen.
Im grunde gibt es hier keine besonderen Anforderungen, da das alles nur 
ein Experiment ist. Trotzdem würde ich die Schaltung gern optimieren, so 
dass ich eine Art Referenzschaltung habe.

Bei den Mosfets handelt es sich um IRL44Z, die hinter einem 
Schieberegister sitzen.

Aus anderen Beiträgen hier im Forum habe ich gelernt, dass

a) jedem Gate bzw. jedem Mosfet ein Pulldown Widerstand spendiert werden 
sollte, damit der Mosfet nicht in der Luft hängt und sicher ein- bzw. 
aus schaltet.

b) vor jedem Gate ein Serienwiderstand platziert werden "sollte", damit 
der Strom beim Einschalten des Mosfets begrenzt wird.

Was mich nun interessiert, sind die Parameter anhand derer ich diese 
beiden Widerstände berechnen kann.

Für den Pulldown finde ich hier im Forum verscheidene Varianten zwischen 
3K3 und 100K. Welche Vor- und Nachteile ergeben sich denn durch einen 
kleinen bzw. großen Pulldown?

Und für den Serienwiderstand habe ich auch unterschiedliche Vorschläge 
gefunden... zum Beispiel 10R.

Auch hier wäre die Frage, wie d ie Größe des Gatewiderstands denn das 
Schaltverhalten beeinflusst - und ob überhaupt.

Kann mir hier jemand erklären, wie man diese Widerstände optimalerweise 
berechnet?

Freue mich auf eure Antworten.

LG, Andi

von Olaf (Gast)


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> Aus anderen Beiträgen hier im Forum habe ich gelernt, dass

Leider lernt man in Foren meist nicht soviel. Buecher moegen unmodern 
sein, sind aber besser.

Den Pulldown brauchst du fuer den Fall das dein Microcontroller die 
Ausgaenge nicht treibt. Also z.B kurz nach dem einschalten oder wenn du 
mal mit dem Debugger durch den Code stepst bevor der Port initialisiert 
wird. Der Wert ist relativ egal. Aber natuerlich muss dein Port den noch 
treiben koennen. Ich wuerde da auch irgendwas in der 100k Gegend nehmen. 
Wenn du dagegen sonst schon 150k Widerstaende in anderen Bereichen der 
Schaltung verwendest dann nimmst du diesen Wert weil du so weniger 
unterschiedliche Bauteile hast. In der Praxis wird wohl alles zwischen 
10k und 1M gut funktionieren.

Der Reihenwiderstand am Gate begrenzt den Einschaltstrom. Schlecht fuer 
den Wirkungsgrad, gut fuer die EMV. Den berechnest du wenn du weisst wie 
oft und wie schnell du schalten willst und wirfst dabei einen Blick auf 
die Eingangskapazitaet deines Mosfet. Wie lange brauchst du um diesen 
Kondensator aufzuladen. Oder vielleicht laesst du ihn auch ganz weg und 
programmierst den Ausgangsstrom deines Ports auf niedrig.

Olaf

von MaWin (Gast)


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Andi schrieb:
> Für den Pulldown finde ich hier im Forum verscheidene Varianten zwischen
> 3K3 und 100K. Welche Vor- und Nachteile ergeben sich denn durch einen
> kleinen bzw. großen Pulldown

Der pull down muss das Gate ausreichend nach Masse ziehen damit der auf 
Eingang geschaltete uC Pin nicht durch den Eingangsfehlstrom (so 1uA, 
siehe uC Datenblatt) plus Gate-Leckstrom (100nA) über die untere UGS(th) 
(siehe Datenblatt MOSFET, 1V) steigen kann.

1V/1.1uA = 900kOhm maximal

Der Gate-Vorwiderstand darf 0 sein. Es gibt nur einige wenige Gründe 
warum man einen braucht.

http://www.dse-faq.elektronik-kompendium.de/dse-faq.htm

von MaWin (Gast)


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von Klaus (Gast)


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MaWin schrieb:
> Der pull down muss das Gate ausreichend nach Masse ziehen damit der auf
> Eingang geschaltete uC Pin nicht durch den Eingangsfehlstrom (so 1uA,
> siehe uC Datenblatt) plus Gate-Leckstrom (100nA) über die untere UGS(th)
> (siehe Datenblatt MOSFET, 1V) steigen kann.

Andi schrieb:
> Bei den Mosfets handelt es sich um IRL44Z, die hinter einem
> Schieberegister sitzen.

MaWin schrieb:
> Der Gate-Vorwiderstand darf 0 sein. Es gibt nur einige wenige Gründe
> warum man einen braucht.

Zusammengefasst: es ist weder ein pull down noch ein Gatewiderstand 
nötig.

MfG Klaus

von Possetitjel (Gast)


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Klaus schrieb:

> Zusammengefasst: es ist weder ein pull down noch ein
> Gatewiderstand nötig.

Genau.

Da, wie wir aus Therac-25 gelernt haben, Software nicht
nur verschleissfrei, sondern auch stets frei von Fehlern
ist, kann es nie vorkommen, dass Ausgänge versehentlich
hochohmig sind und deshalb kein definiertes Potenzial
aufweisen. Allein der Einsatz eines Mikrocontrollers
schließt aus, dass die FETs versehentlich im Linearbetrieb
arbeiten.


Und morgen kommt der Weihnachtsmann...

von Olaf (Gast)


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> Da, wie wir aus Therac-25 gelernt haben, Software nicht
> nur verschleissfrei, sondern auch stets frei von Fehlern
> ist, kann es nie vorkommen,

Richtig! Endlich mal einer der Ahnung hat. :-)
Weil die Software naemlich fehlerfrei ist kommt es auch nie zum Fall des 
Firmwareupdates wo offene Gate wohlmoeglich fuer viele Sekunden Radio 
Eriwan empfangen. Vollkommen ausgeschlossen.

Olaf

von Klaus (Gast)


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Olaf schrieb:
> Weil die Software naemlich fehlerfrei ist

Seit wann kann Software aus den Outputs eines Schieberegisters Inputs 
machen? Lötet die den Chip aus und einen anderen ein?

MfG Klaus

von Possetitjel (Gast)


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Klaus schrieb:

> Seit wann kann Software aus den Outputs eines Schieberegisters
> Inputs machen? Lötet die den Chip aus und einen anderen ein?

Kann sie nicht.
Aber es gibt m.W. auch Schieberegister mit Tristate-Ausgängen...

von Jörg R. (solar77)


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Klaus schrieb:
> Zusammengefasst: es ist weder ein pull down noch ein Gatewiderstand
> nötig.

Quatsch.


Klaus schrieb:
> Olaf schrieb:
>> Weil die Software naemlich fehlerfrei ist
>
> Seit wann kann Software aus den Outputs eines Schieberegisters Inputs
> machen? Lötet die den Chip aus und einen anderen ein?

Das hat Olaf doch nicht geschrieben.

Es geht darum das Gate des Mosfets auf einen definierten Pegel zu 
bringen wenn der Ausgang der ansteuernden Quelle (uC) in einem 
undefinierten (hochohmigen) Zustand ist.

von Klaus (Gast)


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Possetitjel schrieb:
> Aber es gibt m.W. auch Schieberegister mit Tristate-Ausgängen...

Wenn es Tristate-Ausgänge sind , muß man üperprüfen, ob der Zustand 
überhaupt eintreten kann und erwünscht ist oder benötigt wird. Die 
Lösung gehört dann aber eher an den OE

Jörg R. schrieb:
> Ausgang der ansteuernden Quelle (uC) in einem
> undefinierten (hochohmigen) Zustand ist.

Wenn der FET garnicht am µC sondern an einem Schieberegister hängt?

Du brauchst dir nicht solche Mühe geben, mir zu erkären was passieren 
kann. Und bevor ich rumschreie "da muß immer ein PD dran" habe ich mir 
überlegt was in der angesagten Schaltung passieren kann. Wenn ich eine 
Schaltung sehe, wo sinnlose Schaltungsteile drin sind, mach ich mir 
schon mein Bild von der Qualität des Entwicklers. Das zeigt mir, daß er 
nicht wirklich verstanden, was er baut.

MfG Klaus

von Possetitjel (Gast)


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Klaus schrieb:

> Possetitjel schrieb:
>> Aber es gibt m.W. auch Schieberegister mit Tristate-
>> Ausgängen...
>
> Wenn es Tristate-Ausgänge sind , muß man üperprüfen,
> ob der Zustand überhaupt eintreten kann und erwünscht
> ist oder benötigt wird.

Kann man machen.

Man kann auch eine Sekunde überlegen, ob der Pull-Down
schaden, und - wenn nicht - dann einen einbauen.
Es gibt keine Verpflichtung, alles erst bis zum
Erbrechen zu optimieren. Man darf auch einfach mal
eine Standardlösung verwenden, selbst wenn sie drei
Bauteile zuviel enthält.

von Relais (Gast)


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Ich setze bei mir immer Gatewiderstände in Reihe um den Strom des 
Ausgangs vom Microcontroller zu begrenzen. Nötig ist er nicht, 
jedenfalls nicht wenn alles fehlerfrei läuft. Ich habe es aber schon mit 
dem Multimeter geschafft mit einen ATtiny abzuschießen weil ich 
unglücklich gemessen habe. Darum setze ich sie Standardmäßig ein. Kostet 
ja nicht wirklich viel.

von Daniel B. (daniel_3d)


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Jetzt stell dir das Gate einfach mal als kleinen Kondensator vor.
Wenn dieser Kondensator geladen ist, dann leitet der MosFet den Strom 
durch und wenn er entladen ist, dann sperrt der MosFet.
Ist er teilweise geladen, dann ist man im linearen Betrieb und das mag 
man meistens garnicht.

Serienwiderstand:
Ist der Kondensator leer und du willst ihn aufladen (also den MosFet 
schalten), dann fließt zu Beginn ein sehr hoher Strom (siehe 
Kondensator-Ladekurve). Das mag aber dein Schieberegister garnicht. Und 
selbst wenn es deinem Schieberegister nix ausmacht, hat es andere 
Nachteile wenn der Mosfet zu schnell schaltet. Deswegen kommt da der 
"Serienwiderstand" rein - um deine Quelle zu schützen und den MosFet 
nicht zu schnell schalten zu lassen.
Wie groß dieser Widerstand sein muss hängt ab von:
-Ansteuerung (Schalter, MosFet-Treiber, Schieberegister, uC, ...)
-MosFet und dessen Gatekapazität
-Schaltfrequenz (Schaltverluste, EMV, Überschwinger, ...)
-Last
-...


PullDown-Widerstand:
Dieser Kondensator kann sich auf mehrere Arten aufladen.
Im besten Fall weil du es so willst und gezielt ansteuerst.
Aber auch durch ungewollte Einstreuungen.
Der "PullDown-Widerstand" sorgt jetzt dafür, dass der MosFet nicht 
ungewollt durchschaltet oder teilweise durchschaltet (siehe linearer 
Betrieb) wenn z.B.:
-dein Schieberegister oder uC kaputt geht
-deine Software nen Fehler hat und dar Pin hochohmig ist
-wenn der uC aus ist
-aus sonstigen Gründen das Gate in der Luft hängt

Umso kleiner dieser Widerstand ist, umso mehr Strom muss deine Quelle 
liefern, aber umso unempfindlicher wird das Gate gegen ungewollte 
Einstreuungen.
Es kommt also wieder auf die äußeren Umstände an.

Dieser Wert ist aber in der Regel unkritisch, solltest du dich nicht in 
extremer Umwelt bewegen.

Ohne weitere Details zu kennen, und als grobe Hausnummer:
Nimm als Serienwiderstand irgendwas zwischen 10 und 80 Ohm und als 
PullDown 10k.

Gruß Daniel

von Klaus (Gast)


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Possetitjel schrieb:
> Es gibt keine Verpflichtung, alles erst bis zum
> Erbrechen zu optimieren. Man darf auch einfach mal
> eine Standardlösung verwenden, selbst wenn sie drei
> Bauteile zuviel enthält.

Es geht (mir) nicht ums optimieren, es geht um das das Verständniss der 
Schaltung. Wie oft ist hier bei der Inbetriebnahme oder bei 
Reparaturversuchen an eigentlich sinnlosen Schaltungsteilen viel Zeit 
verbraten worden. Und ein Pulldown an einem FET ist für mich keine 
Standardlösung, dazu gibt es einfach zu viele Ansteuerschaltungen.

MfG Klaus

von Relais (Gast)


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Daniel B. schrieb:
> Ohne weitere Details zu kennen, und als grobe Hausnummer:
> Nimm als Serienwiderstand irgendwas zwischen 10 und 80 Ohm und als
> PullDown 10k.
>
> Gruß Daniel

Ich nehme als Serienwiderstand um die 300 Ohm um den Ausgang auch bei 
einem versehentlichen Kurzschluss zu schützen. Frag nicht wie aber ich 
habe es schon geschafft den Ausgang des MC auf Masse zu legen 
(Messspitze) oder weil der Mosfet defekt war.

von Εrnst B. (ernst)


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Possetitjel schrieb:
> Man darf auch einfach mal
> eine Standardlösung verwenden, selbst wenn sie drei
> Bauteile zuviel enthält.

Aber wenn man eine möglichst schöne Lösung sucht, die evtl. 
veröffentlicht werden soll, zur Ausbildung verwendet wird, oder man 
einfach zur Abwechslung mal sauber und korrekt arbeiten will,

Andi schrieb:
> Trotzdem würde ich die Schaltung gern optimieren, so
> dass ich eine Art Referenzschaltung habe.

dann kann man auch die 10 Sekunden investieren, und nachschauen ob das 
Schieberegister Open-Drain oder High-Z oder sonstwie floatende Ausgänge 
haben kann.

Zum Gate-Vorwiderstand:

Andi schrieb:
> Kann mir hier jemand erklären, wie man diese Widerstände optimalerweise
> berechnet?

"Optimalerweise": Man berechnet ihn aus "Wunschwiderstand = 0 Ohm" ==> 
"Sollwiderstand = 0 Ohm" ==> Weglassen.

Leider ist die Welt kein Wunschkonzert, Leiterbahnen haben eine 
Induktivität, Schwingkreise schwingen, EMV-Vorgaben wollen eingehalten 
werden....

Deshalb: Wenn das Radio nicht mehr geht, kann ein Gate-Vorwiderstand 
Abhilfe schaffen, die passende Größe wird m.E.n. meist experimentell 
ermittelt oder durch diverse EMV-Voodoo-Rituale ausgewürfelt.
10 oder 12 Ohm ist ein guter Startwert.


Daniel B. schrieb:
> Ist der Kondensator leer und du willst ihn aufladen (also den MosFet
> schalten), dann fließt zu Beginn ein sehr hoher Strom (siehe
> Kondensator-Ladekurve). Das mag aber dein Schieberegister garnicht

Im Gegenteil. Das mag CMOS sehr gerne, es ist darauf optimiert.
Einfach mal in's Datenblatt (ggfs. "Family Datasheet") schauen.

Die "Absolute Maximimum Ratings" beziehen sich auf Dauerstrom, nicht den 
Gate-Umladestrom. Zum Gate-Umladen können ganz normale CMOS-Chips 
(74HC(T)...) je nach Hersteller auch gerne 200-400 mA rausschieben, nur 
bei hohen Frequenzen muss man dabei auf die max. Verlustleistung achten.

: Bearbeitet durch User
von Wolfgang (Gast)


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Andi schrieb:
> Bei den Mosfets handelt es sich um IRL44Z, die hinter einem
> Schieberegister sitzen.

Das scheint mir ausgesprochen unwahrscheinlich. Meinst du vielleicht 
einen IRLZ44?

Um die ganze Diskussion über den Pull-Down zu einem Abschluss zu 
bringen, wäre es gut, zu wissen, um was für einen 
Schieberegisterbaustein es sich handelt, insbesondere wie dessen 
Ausgangsstufe steuerbar ist.

von Klaus (Gast)


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Ich zitier mich mal selber
Klaus schrieb:
> Es geht (mir) nicht ums optimieren, es geht um das das Verständniss der
> Schaltung.

Gerade erst gelesen, das passt genau dazu

Daniel B. schrieb:
> Ist der Kondensator leer und du willst ihn aufladen (also den MosFet
> schalten), dann fließt zu Beginn ein sehr hoher Strom (siehe
> Kondensator-Ladekurve). Das mag aber dein Schieberegister garnicht. Und
> selbst wenn es deinem Schieberegister nix ausmacht, hat es andere
> Nachteile wenn der Mosfet zu schnell schaltet. Deswegen kommt da der
> "Serienwiderstand" rein - um deine Quelle zu schützen und den MosFet
> nicht zu schnell schalten zu lassen.

Das meinte ich mit Verstädniss. Da wird dann zum tausendsten mal die 
Kondensatorladekurve zitiert und dabei der Innenwiderstand der Quelle 
komplett vergessen. Das Schalten selbst von vielen Eingängen mit einer 
Eingangskapazität ist die Aufgabe von digitalen Ausgängen. Dazu sind sie 
gebaut.

Dafür wird lobend hervorgehoben, daß der MOSFET möglichst lange im 
linearen Bereich betrieben wird, weil es ihn "schont". Um ihn zu 
"schonen" würd ich ihn in der Verpackung lassen. Die wirklichen Gründe 
für einen Serienwiderstand sind noch nicht mal im Ansatz verstanden.

MfG Klaus

von Possetitjel (Gast)


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Klaus schrieb:

> Possetitjel schrieb:
>> Es gibt keine Verpflichtung, alles erst bis zum
>> Erbrechen zu optimieren. Man darf auch einfach mal
>> eine Standardlösung verwenden, selbst wenn sie drei
>> Bauteile zuviel enthält.
>
> Es geht (mir) nicht ums optimieren, es geht um das das
> Verständniss der Schaltung.

Okay.

> Wie oft ist hier bei der Inbetriebnahme oder bei
> Reparaturversuchen an eigentlich sinnlosen
> Schaltungsteilen viel Zeit verbraten worden.

Hmm. Ich kann mich nicht entsinnen, dass mir das in
nennenswertem Umfang passiert wäre. Ich will damit
weder Deine persönliche Erfahrung noch Deine Meinung
in Frage stellen, aber ich kenne aus meiner Praxis
eher das Problem, dass ich aus Faulheit oder in der
Eile den "wahrscheinlich unnötigen" Siebelko oder
Schutzwiderstand weglasse, und die Schaltung dann
prompt nicht zuverlässig funktioniert.

Ich wüsste aus dem Stand überhaupt kein Beispiel, in
dem ein unnötiges Bauelement bei mir mal ein Problem
verursacht hätte.


> Und ein Pulldown an einem FET ist für mich keine
> Standardlösung, dazu gibt es einfach zu viele
> Ansteuerschaltungen.

Naja.
Ein sehr häufiger Fall ist ja der, dass man "irgend ein"
Digitalsignal aus "irgend einer" Quelle hat, das einen
FET als Leistungsschalter ansteuert. In diesem häufigen
Fall würde ich sie immer vorsehen -- unbestückt lassen
kann man den Footprint dann immer noch.

von Possetitjel (Gast)


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Klaus schrieb:

> Das Schalten selbst von vielen Eingängen mit einer
> Eingangskapazität ist die Aufgabe von digitalen
> Ausgängen. Dazu sind sie gebaut.

Jein.

Bei normalen Logik-Signalen kann man mit Kapazitäten
unter 100pF (eher noch unter 30pF) rechnen. Ein
Leistungs-FET liegt schnell in der Größenordnung von
5nF, das ist das 50fache.

Normale Logikausgänge sind i.d.R. NICHT dafür gebaut,
fette Leistungsschalter direkt zu treiben, dafür gibt
es -- wer hätte es gedacht -- Treiber.

von Possetitjel (Gast)


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Εrnst B. schrieb:

> Die "Absolute Maximimum Ratings" beziehen sich
> auf Dauerstrom, nicht den Gate-Umladestrom.

Also dazu hätte ich dann doch gerne eine belastbare,
eindeutige Quelle.

Bei diskreten Halbleitern (Transistoren, Dioden, ...)
ist immer gesondert vermerkt, wenn ein höherer Pulsstrom
zulässig ist.
Bei diskreter Logik ist mir dergleichen noch nicht
untergekommen.


> Zum Gate-Umladen können ganz normale CMOS-Chips
> (74HC(T)...) je nach Hersteller auch gerne 200-400 mA
> rausschieben,

Es geht nicht darum, ob sie es KÖNNEN , sondern darum,
ob das als betriebsmäßig ausnutzbares Verhalten zulässig
ist, ohne z.B. die Zuverlässigkeit oder die Lebensdauer
zu beeinträchtigen.

von U. M. (oeletronika)


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Hallo,
> Andi schrieb:
> ich möchte gerne ein Lauflicht aus 24V LED Signalleuchten bauen.
Welche Leistung haben die LED-Leuchten?

> Bei den Mosfets handelt es sich um IRL44Z,
Warum so ein Monster-FET für solche kleine Anwendung?

> die hinter einem Schieberegister sitzen.
Welcher Typ? Hat das Schieberegister evtl. Tri-State-Ausgänge?

> a) jedem Gate bzw. jedem Mosfet ein Pulldown Widerstand spendiert werden
> sollte, damit der Mosfet nicht in der Luft hängt und sicher ein- bzw.
> aus schaltet.
Das braucht es nur, wenn es unsichere Betriebsarten gibt.
Z.B. im Resetzustand sind die meisten uC-Ports passiv, so dass kein 
definierter Pegel anliegt. Dann braucht es Pull-Up oder Pull-Down für 
def. Pegel im Resetzustand und während des Bootens.

Du hast aber ein Schieberegister. Sofern das keine Tri-State-Ausgänge 
hat, sind die Pegel immer aktiv. Problem kann aber auch hier sein, dass 
nach dem Power-On die Ausgänge noch undfiniert sind. Entweder man behebt 
das mit einem Power-On-Reset direkt am Schieberegister oder nutzt eben 
einen Typ mit Tri-State-Out und setz diesen erst aktiv, nachdem der 
Proz. das Register ordentlich ansteuert hat. Im letzteren Fall sind 
PullDown-Widerstände sinnvoll, damit die Treiber-FET nicht undefiniert 
durchschalten.

> b) vor jedem Gate ein Serienwiderstand platziert werden "sollte", damit
> der Strom beim Einschalten des Mosfets begrenzt wird.
Ist sinnvoll, aber nicht zwingend.
Mit solchen Vorwiderständen reduziert man auch EMV, indem die 
Schaltflanken etwas langsamer werden.
Außerdem kann man damit auch verhindern, dass das Schieberegister gleich 
zerstört wird, wenn mal ein Treibertrans. durchgebrannt ist.
Mit z.B. 10k begrenzt man den Strom aus der 24V-Quelle auf knapp 2mA am 
Schiebregister, was die meisten aktiven Ausgänge vertragen.
Auch in Verbindung mit evtl. Überspannungsschutz ist ein 
Vorderwiderstand nötig.

> Was mich nun interessiert, sind die Parameter anhand derer ich diese
> beiden Widerstände berechnen kann.
Woher sollen wir das wissen, wo du je nix zur konkreten Anwendung 
bekannt gibst.

> Für den Pulldown finde ich hier im Forum verscheidene Varianten zwischen
> 3K3 und 100K. Welche Vor- und Nachteile ergeben sich denn durch einen
> kleinen bzw. großen Pulldown?
Niedrige Werte sind störsicherer aber belasten den Treiber und 
verbrauchen mehr Strom.

> Und für den Serienwiderstand habe ich auch unterschiedliche Vorschläge
> gefunden... zum Beispiel 10R.
Wenn du im Bereich von hunderten kHz bis MHz schalten mußt.
Für quasi statische Anwendungen geht es auch hochohmiger.

> Auch hier wäre die Frage, wie d ie Größe des Gatewiderstands denn das
> Schaltverhalten beeinflusst - und ob überhaupt.
Natürlich. Ein Reihenwiderstand mit nachfolgenden Kapazitäten bildet 
einen Tiefpass.

> Kann mir hier jemand erklären, wie man diese Widerstände optimalerweise
> berechnet?
Je nach Anwendungsfall mehrere Größenordnungen variiren oder auch ganz 
eng sein.
Gruß Öletronika

von Klaus (Gast)


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Possetitjel schrieb:
> Ich wüsste aus dem Stand überhaupt kein Beispiel, in
> dem ein unnötiges Bauelement bei mir mal ein Problem
> verursacht hätte.

Das fängt mit der verpolt eingelöteten Verpolschutzdiode an. Wieoft hab 
ich hier schon mitten in einer Schaltung eine solche Diode gesehen, als 
ob sich Vcc und GND innerhalb einer Platine spontan tauschen würden. 
Oder die Snubber, die die Funktion von Sparlampen oder LEDs stören bis 
zu allfälligen Schutzdioden, deren Kapazität schnelle Signal kaputt 
macht.

Possetitjel schrieb:
> Normale Logikausgänge sind i.d.R. NICHT dafür gebaut,
> fette Leistungsschalter direkt zu treiben, dafür gibt
> es -- wer hätte es gedacht -- Treiber.

Vollkommen richtig. Aber wenn die FETs von einem Digitalsignal mit 3,3 
bzw 5V gesteuert werden, fällt das in eine andere Kategorie. "Fett" 
kommt da nicht vor oder es ist sowieso Mist.

Possetitjel schrieb:
> Ein sehr häufiger Fall ist ja der, dass man "irgend ein"
> Digitalsignal aus "irgend einer" Quelle hat, das einen
> FET als Leistungsschalter ansteuert.

Genau. Da muß man seine Schaltung wirklich verstehen und entscheidet 
dann ob das Signal in Spannung und Strom reicht, oder ob man eine 
komplexere Schaltung oder einen extra Treiber braucht. Und dabei muß man 
jedesmal neu entscheiden, ob es ungewünschte Zustände gibt und wie man 
sie vermeidet.

MfG Klaus

von Jörg R. (solar77)


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Klaus schrieb:
> Du brauchst dir nicht solche Mühe geben, mir zu erkären was passieren
> kann. Und bevor ich rumschreie "da muß immer ein PD dran"

Brauche ich nicht, darf ich aber. Und rumschreien das immer ein PD 
vorhandensein muss tut hier auch niemand.


> Wenn ich eine Schaltung sehe, wo sinnlose Schaltungsteile drin sind, mach
> ich mir schon mein Bild von der Qualität des Entwicklers. Das zeigt mir,
> daß er nicht wirklich verstanden, was er baut.

Genau. Hier fragen auch nur Experten nach Rat?


Klaus schrieb:
> Wenn der FET garnicht am µC sondern an einem Schieberegister hängt?

Possetitjel schrieb:
> Aber es gibt m.W. auch Schieberegister mit Tristate-Ausgängen...

z.B. 74HC595

: Bearbeitet durch User
von MaWin (Gast)


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Daniel B. schrieb:
> Nimm als Serienwiderstand irgendwas zwischen 10 und 80 Ohm und als
> PullDown 10k.

Du hättest auch dem schon genannten Link folgen können und lesen können 
dass diese Werte eher doof sind - sie sollen etwas verhindern was sie 
bei diesem Wert nicht verhindern. Gut gemeint, blöd gemacht, weil zu 
faul zum rechnen.

Εrnst B. schrieb:
> Leiterbahnen haben eine Induktivität, Schwingkreise schwingen,
> EMV-Vorgaben wollen eingehalten werden....
>
> Deshalb: Wenn das Radio nicht mehr geht, kann ein Gate-Vorwiderstand
> Abhilfe schaffen, die passende Größe wird m.E.n. meist experimentell
> ermittelt oder durch diverse EMV-Voodoo-Rituale ausgewürfelt.
> 10 oder 12 Ohm ist ein guter Startwert.

Genau so blöd  denn: Es handelt sich um digital angesteuerte MOSFETs. Da 
schwingt nichts, ein eventuelles klingeln wäre durch CMOS Schutzdioden 
begrenzt und durch den Ausgangswiderstand des Digitalausgangs stark 
gedämpft. Deine Überlegung würde nur bei Analogansteuerung z.B. aus 
einen OpAmp passen.

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