Hallo
Um den Widerstand zu wählen, habe ich aus der Kommutierungszeit die
notwendige Schaltzeit der Schalter (Mosfets) bestimmt.
Ohne näher darauf einzugehen beträgt die Kommutierungszeit bei einer
gewünschten Drehzahl Umdr_mech = 28200 U/min, 88.6us.
Nun würde mich bei dem Mosfetdriver TC4469 interessieren, wie ich den
Widerstand am Gate wählen muss, damit dies erfüllt ist.
http://ww1.microchip.com/downloads/en/DeviceDoc/21425C.pdf
Den continuous current verstehe ich. Man kann 300mA pro Ausgang ziehen
und das kontinuierlich. Das kommt mit den max. 1.2A (4x300A) auch hin
mit 4 Ausgängen. Was aber die 500 sind (total package) verstehe ich
nicht. Heisst das, wenn ich nur einen Ausgang verwenden würde, bekomme
ich maximal 500mA, also nicht 1.2A?
Ausserdem müssen Mosfets ja eher schnell geschaltet werden, wegen der
Verluste.
Ich würde bei einem Qtotal von 37nC bei einem IRF530N mit einer
Schaltzeit 88.6us auf einen notwenigen Strom von nur 0.43mA kommen. Das
ist relativ wenig. Müsste ich dafür im Falle einer Realisierung nun
(12-0.025)/0.43mA nehmen? Also ein 27k Widerstand.
Der Schaltverlust der Mosfets wäre ja so auch hoch.
Was macht man da nun sinnvollerweise auch bzgl. der Mosfets, wenn
angestrebt werden soll, dass diese möglichst schnell schalten sollen?
mauri schrieb:> Was macht man da nun sinnvollerweise auch bzgl. der Mosfets, wenn> angestrebt werden soll, dass diese möglichst schnell schalten sollen?
Den Widerstand möglichst klein ?
Die Berechnung der Umschaltzeit ist kompliziert:
http://www.ti.com/lit/an/slua560c/slua560c.pdf
ArnoR schrieb:> mauri schrieb:>> Was aber die 500 sind (total package) verstehe ich nicht.>> Die Summe aller Ausgänge als DC-Strom.
Ja wenn ich pro Ausgang 300mA ziehen kann, kann die Summe aller 4 ja
nicht 500 sein.
ArnoR schrieb:> mauri schrieb:>> Ja wenn ich pro Ausgang 300mA ziehen kann, kann die Summe aller 4 ja>> nicht 500 sein.>> Aha.
Ja aber dann verstehe ich gar nichts mehr.
Ich kann ja 300mA kontinuierlich ziehen. In welchem Fall ist das der
Fall?
Wenn ich insgesamt nur 500 ziehen kann, heisst das dann pro Ausgang
125mA bei 4 genutzten Ausgängen.
Wie kann man es dann beeinflussen, dass man kurzzeitig 1.2A zieht, nur
bei einem genutzten Ausgang?
mauri schrieb:> Ich kann ja 300mA kontinuierlich ziehen. In welchem Fall ist das der> Fall?
An einem Ausgang darfst du das, nicht an allen gleichzeitig.
mauri schrieb:> Wenn ich insgesamt nur 500 ziehen kann, heisst das dann pro Ausgang> 125mA bei 4 genutzten Ausgängen.
Ja, als DC-Strom, nicht Pulsstrom beim Umladen des Gate.
mauri schrieb:> Wie kann man es dann beeinflussen, dass man kurzzeitig 1.2A zieht, nur> bei einem genutzten Ausgang?
Der Pulsstrom ist höher, weil die Wärmekapazität des Chip eine
Überhitzung bei kurzen Pulsen verhindert. Außerdem steigt der
ON-Widerstand mit der Temperatur, so dass mit der Zeit (Erwärmung) immer
weniger Strom lieferbar ist (Fig. 2-9, 2-12).
ArnoR schrieb:> mauri schrieb:>> Ich kann ja 300mA kontinuierlich ziehen. In welchem Fall ist das der>> Fall?>> An einem Ausgang darfst du das, nicht an allen gleichzeitig.>> mauri schrieb:>> Wenn ich insgesamt nur 500 ziehen kann, heisst das dann pro Ausgang>> 125mA bei 4 genutzten Ausgängen.>> Ja, als DC-Strom, nicht Pulsstrom beim Umladen des Gate.>> mauri schrieb:>> Wie kann man es dann beeinflussen, dass man kurzzeitig 1.2A zieht, nur>> bei einem genutzten Ausgang?>> Der Pulsstrom ist höher, weil die Wärmekapazität des Chip eine> Überhitzung bei kurzen Pulsen verhindert. Außerdem steigt der> ON-Widerstand mit der Temperatur, so dass mit der Zeit (Erwärmung) immer> weniger Strom lieferbar ist (Fig. 2-9, 2-12).
Wozu dann die Angabe, wenn man die 1.2A nicht erreichen kann?
Mit welchem Strom kann ich rechnen, wenn ich für einen Motor mit 3
Phasen, 3 Ausgänge verwende? Die Pulsströme sollten dabei die gleichen
sein.
mauri schrieb:> Wozu dann die Angabe, wenn man die 1.2A nicht erreichen kann?
Kann man doch, jedenfalls unter bestimmten Bedingungen. Siehe die
genannten Bilder.
mauri schrieb:> Mit welchem Strom kann ich rechnen, wenn ich für einen Motor mit 3> Phasen, 3 Ausgänge verwende? Die Pulsströme sollten dabei die gleichen> sein.
Du musst zwischen DC-Strom und Pulsstrom unterscheiden. Der Pulsstrom
wird durch die Ausgangswiderstände begrenzt (spannungsabhängig,
temperaturabhängig). Der DC-Strom wird durch die maximale Chiptemperatur
begrenzt.
ArnoR schrieb:> mauri schrieb:>> Wozu dann die Angabe, wenn man die 1.2A nicht erreichen kann?>> Kann man doch, jedenfalls unter bestimmten Bedingungen. Siehe die> genannten Bilder.
Ja das Bild sagt bei High STate zB bei 12V supply, dass ich bei 25°C
einen RDSon von etwa 12 Ohm habe. Also kann ich pulsmässig unter dieser
Bedingung 1A ziehen und das durch 4 pro Ausgang?
>> mauri schrieb:>> Mit welchem Strom kann ich rechnen, wenn ich für einen Motor mit 3>> Phasen, 3 Ausgänge verwende? Die Pulsströme sollten dabei die gleichen>> sein.>> Du musst zwischen DC-Strom und Pulsstrom unterscheiden. Der Pulsstrom> wird durch die Ausgangswiderstände begrenzt (spannungsabhängig,> temperaturabhängig). Der DC-Strom wird durch die maximale Chiptemperatur> begrenzt.
Ich verstehe das immer noch nicht so ganz. Ich benötige doch für das
Umschalten einen Pulsstrom, keinen DC. Bei 3 genutzten Ausgängen könnte
ich etwa 166mA ziehen als DC-Strom.
Aber geladen und entladen werden die Mosfets ja mit Pulsströmen. Wenn
ich jetzt einen Gatewiderstand (Ausgangswiderstand) von 20Ohm nehme, was
habe ich dann für einen Pulsstrom?
Mir ist einfach nicht klar, wann ich gerade einen DC-STrom ziehe und
wann ich einen Pulsstrom ziehe
mauri schrieb:> Mir ist einfach nicht klar, wann ich gerade einen DC-STrom ziehe und> wann ich einen Pulsstrom ziehe
Bei Mosfets/IGBTs gibt es gar keinen DC-Strom, nur den Pulsstrom im
Umschaltmoment. DC-Strom gibt es z.B. bei Bipolartransistoren.
mauri schrieb:> Bei 3 genutzten Ausgängen könnte> ich etwa 166mA ziehen als DC-Strom.
Ja, aber bei Mosfets irrelevant.
mauri schrieb:> Wenn> ich jetzt einen Gatewiderstand (Ausgangswiderstand) von 20Ohm nehme, was> habe ich dann für einen Pulsstrom?
Hängt von der Betriebsspannung, der Temperatur, dem inneren
Gatewiderstand des Mosfet und der Schaltrichtung ab.
