Gate Spannung begrenzen, aber wie?

woodcore Gast #5357377
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Hallo,

habe obige Schaltung mit einem IRF4905 aufgebaut und diese Funktioniert 
auch.
Der gleiche Aufbau jedoch mit einem IXTP120P065T funktioniert nur bis ca 
30V
dann raucht er ab.
Ich möchte mit dieser Schaltung lasten von bis zu 300W Schalten, 
wahlweise mit 14V oder auch mit 48V.
Da bei 14V und 20A der IXTP120P065T wegen der 10mOhm RDSon die bessere 
Wahl ist und auch 65V ab kann, hatte ich diesen favorisiert.

Ich habe bemerkt dass ich das Gate mit einer zu hohen Spannung belegt 
hatte
und habe das Gate mit einer 15V Z-Diode geschützt. Das führt aber dazu 
dass ab einer Spannungsdifferenz Ugs zu Uds von 5V der FET leitend wird.

Ich habe zwar eine Lösung in Form eines BTS50080-1TMB suche aber nach 
einer
eventuell kostengünstigeren Lösung.

Anregungen wie ich das Problem lösen könnte?
Danke für die Mühe vorab.

Gruß
woodcore
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Jens G. #5357794
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>Ich habe bemerkt dass ich das Gate mit einer zu hohen Spannung belegt
>hatte
>und habe das Gate mit einer 15V Z-Diode geschützt. Das führt aber dazu

Wie hast Du die denn eingebaut? Zeig' mal ...
Denn eine Abhängigkeit zu Folgendem klingt sehr unlogisch:

>dass ab einer Spannungsdifferenz Ugs zu Uds von 5V der FET leitend wird.
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der schreckliche Sven Gast #5357900
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Klaus-Peter B. schrieb:
> (Wie auch immer das funktioniert mit dem BTS50080-1TMB)

Mit einem "schwebenden" Gate-Treiber, der durch eine eingebaute 
Ladungspumpe mit Betriebsspannung versorgt wird. Sowas diskret aufbauen 
ist am Ende auch nicht billiger, es sei denn, man weiß wies geht, und 
hat die Teile zufällig in der Grabbelkiste.
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Possetitjel Gast #5357933
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woodcore schrieb:

> Ich habe bemerkt dass ich das Gate mit einer zu hohen
> Spannung belegt

Du hast die Gate-Spannung natürlich korrekt zwischen
+Ub und dem Gate gemessen?

> hatte und habe das Gate mit einer 15V Z-Diode geschützt.

Die Z-Diode war auch korrekt zwischen +Ub und Gate
geschaltet? Polung korrekt? Vorwiderstand korrekt?

> Das führt aber dazu dass ab einer Spannungsdifferenz
> Ugs zu Uds von 5V der FET leitend wird.

???

> [...]
> Anregungen wie ich das Problem lösen könnte?

Die einfachste Lösung wäre meiner Meinung nach, T2 (den
BS170) zu einer Stromsenke umzumodeln und eine passende
Z-Diode zu dem 10k-Widerstand parallelzuschalten.

Stromsenke ginge am einfachsten mit einem NPN-Transistor
und einem passenden Emitterwiderstand.
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