Hallo, habe obige Schaltung mit einem IRF4905 aufgebaut und diese Funktioniert auch. Der gleiche Aufbau jedoch mit einem IXTP120P065T funktioniert nur bis ca 30V dann raucht er ab. Ich möchte mit dieser Schaltung lasten von bis zu 300W Schalten, wahlweise mit 14V oder auch mit 48V. Da bei 14V und 20A der IXTP120P065T wegen der 10mOhm RDSon die bessere Wahl ist und auch 65V ab kann, hatte ich diesen favorisiert. Ich habe bemerkt dass ich das Gate mit einer zu hohen Spannung belegt hatte und habe das Gate mit einer 15V Z-Diode geschützt. Das führt aber dazu dass ab einer Spannungsdifferenz Ugs zu Uds von 5V der FET leitend wird. Ich habe zwar eine Lösung in Form eines BTS50080-1TMB suche aber nach einer eventuell kostengünstigeren Lösung. Anregungen wie ich das Problem lösen könnte? Danke für die Mühe vorab. Gruß woodcore
Musst du wirklich auf der high side schalten? Ansonsten siehe: https://www.mikrocontroller.net/articles/Treiber
Ja, leider. Einen N-Kanal-Fet kann ich nicht verwenden. (Wie auch immer das funktioniert mit dem BTS50080-1TMB)
>Ich habe bemerkt dass ich das Gate mit einer zu hohen Spannung belegt >hatte >und habe das Gate mit einer 15V Z-Diode geschützt. Das führt aber dazu Wie hast Du die denn eingebaut? Zeig' mal ... Denn eine Abhängigkeit zu Folgendem klingt sehr unlogisch: >dass ab einer Spannungsdifferenz Ugs zu Uds von 5V der FET leitend wird.
Klaus-Peter B. schrieb: > (Wie auch immer das funktioniert mit dem BTS50080-1TMB) Mit einem "schwebenden" Gate-Treiber, der durch eine eingebaute Ladungspumpe mit Betriebsspannung versorgt wird. Sowas diskret aufbauen ist am Ende auch nicht billiger, es sei denn, man weiß wies geht, und hat die Teile zufällig in der Grabbelkiste.
woodcore schrieb: > Ich habe bemerkt dass ich das Gate mit einer zu hohen > Spannung belegt Du hast die Gate-Spannung natürlich korrekt zwischen +Ub und dem Gate gemessen? > hatte und habe das Gate mit einer 15V Z-Diode geschützt. Die Z-Diode war auch korrekt zwischen +Ub und Gate geschaltet? Polung korrekt? Vorwiderstand korrekt? > Das führt aber dazu dass ab einer Spannungsdifferenz > Ugs zu Uds von 5V der FET leitend wird. ??? > [...] > Anregungen wie ich das Problem lösen könnte? Die einfachste Lösung wäre meiner Meinung nach, T2 (den BS170) zu einer Stromsenke umzumodeln und eine passende Z-Diode zu dem 10k-Widerstand parallelzuschalten. Stromsenke ginge am einfachsten mit einem NPN-Transistor und einem passenden Emitterwiderstand.
Possetitjel schrieb: > Die einfachste Lösung wäre meiner Meinung nach, T2 (den > BS170) zu einer Stromsenke umzumodeln und eine passende > Z-Diode zu dem 10k-Widerstand parallelzuschalten. Bei klar definiertem High-Pegel der Eingangsspannung und richtiger Dimensionierung kann man dann sogar auf die Z-Diode verzichten.
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