Gast
#5366642
Ich will mit einem BFP420 Transistor einen HF-Verstärker bauen. Nur leider ist es ein paar Jahre her, seit ich das zum letzten mal gemacht habe, daher bin ich mir über die richtige Vorgehensweise nicht mehr ganz im Klaren. Netzwerkanalyzer und Microwave Office habe ich zur Verfügung! Gut, als erstes habe ich in MWO mal die S-Parameter des Transistors importiert. Kollektorstrom wähle ich zu 4mA und VCE zu 2V, weil dann gemäss Datenblatt das Rauschen am geringsten ist. Danach habe ich den Stabilitätsparameter K geplottet. Man erkannte, dass der Transistor in meinem gewünschten Frequenzbereich um 1.6GHz instabil war, weshalb ich dann mit dem 1. Subcircuit "Transistor_Stability" (siehe angehängtes Bild) mit einem Reihenwiderstand zur Basis versucht habe, Stabilität zu erzielen. Mit RB=12Ohm wird das Ding dann tatsächlich auch stabil. Danach habe ich den Kollektorwiderstand und den Spannungsgegenkopplungswiderstand dimensioniert und in LTSpice verifiziert, dass man auch tatsächlich den gewünschten Arbeitspunkt mit IC=4mA erhält. Das trifft zu, mit RC=330Ohm und RBB=30kOhm. Damit der Transistor also im Arbeitspunkt ist, braucht er die beiden Widerstände. Deshalb habe ich dann nochmals eine Simulation gemacht und geschaut, wie sich die S-Parameter verändern, wenn ich die Widerstände dazu packe. So weit so gut. Ich habe jetzt einen stabilen Transistor und kenne dessen S-Parameter und Noise Figure. Dank meiner ganzen Widerstände verschlechtert sich die Noise Figure von ca. 1dB auf 1.6dB, was aber immer noch gut ist. Wie muss ich jetzt nochmal weiter vorgehen, um den Transistor anzupassen, damit ich den grösstmöglichen Gain bei minimalem Rauschen erhalte? es gab doch da sowas mit Kreisen im Smith Chart. Bin aber gerade unsicher. Welche Impedanzen muss ich dem Transistor am Kollektor und Basis präsentieren, damit er so verstärkt, wie ich das will?
Angehängte Dateien:
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mylna.png
(10 KB)
