Vorgehen beim HF-Verstärkerentwurf

Ich will mit einem BFP420 Transistor einen HF-Verstärker bauen. Nur 
leider ist es ein paar Jahre her, seit ich das zum letzten mal gemacht 
habe, daher bin ich mir über die richtige Vorgehensweise nicht mehr ganz 
im Klaren.

Netzwerkanalyzer und Microwave Office habe ich zur Verfügung!

Gut, als erstes habe ich in MWO mal die S-Parameter des Transistors 
importiert. Kollektorstrom wähle ich zu 4mA und VCE zu 2V, weil dann 
gemäss Datenblatt das Rauschen am geringsten ist.

Danach habe ich den Stabilitätsparameter K geplottet. Man erkannte, dass 
der Transistor in meinem gewünschten Frequenzbereich um 1.6GHz instabil 
war, weshalb ich dann mit dem 1. Subcircuit "Transistor_Stability" 
(siehe angehängtes Bild) mit einem Reihenwiderstand zur Basis versucht 
habe, Stabilität zu erzielen. Mit RB=12Ohm wird das Ding dann 
tatsächlich auch stabil.

Danach habe ich den Kollektorwiderstand und den 
Spannungsgegenkopplungswiderstand dimensioniert und in LTSpice 
verifiziert, dass man auch tatsächlich den gewünschten Arbeitspunkt mit 
IC=4mA erhält. Das trifft zu, mit RC=330Ohm und RBB=30kOhm.

Damit der Transistor also im Arbeitspunkt ist, braucht er die beiden 
Widerstände. Deshalb habe ich dann nochmals eine Simulation gemacht und 
geschaut, wie sich die S-Parameter verändern, wenn ich die Widerstände 
dazu packe.

So weit so gut. Ich habe jetzt einen stabilen Transistor und kenne 
dessen S-Parameter und Noise Figure. Dank meiner ganzen Widerstände 
verschlechtert sich die Noise Figure von ca. 1dB auf 1.6dB, was aber 
immer noch gut ist.

Wie muss ich jetzt nochmal weiter vorgehen, um den Transistor 
anzupassen, damit ich den grösstmöglichen Gain bei minimalem Rauschen 
erhalte? es gab doch da sowas mit Kreisen im Smith Chart. Bin aber 
gerade unsicher. Welche Impedanzen muss ich dem Transistor am Kollektor 
und Basis präsentieren, damit er so verstärkt, wie ich das will?